安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展定制晶圓代工能力，推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。

這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用?；贠NC18工藝的方案將在安森美半導(dǎo)體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造，因此，預(yù)期對于尋求遵從國際武器貿(mào)易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內(nèi)生產(chǎn)的美國軍事應(yīng)用設(shè)計人員而言，也具備吸引力。

安森美半導(dǎo)體定制及晶圓代工分部總經(jīng)理Rick Whitcomb說：“ONC18工藝使汽車、工業(yè)、醫(yī)療和軍事部門的設(shè)計人員可開發(fā)集成的低功率數(shù)字及混合信號ASIC，既快速又符合高性價比。這工藝的‘在岸’制造屬性尤其適用于美國軍事客戶，同時這工藝的持續(xù)開發(fā)計劃進(jìn)一步彰顯安森美半導(dǎo)體致力于定制晶圓代工業(yè)務(wù)。”

ONC18工藝適合于要求多達(dá)1,000萬門的ASIC，具有4到6層金屬，讓設(shè)計人員集成1.8伏(V)內(nèi)核電壓及1.8 V和3.3 V輸入/輸出(I/O)。混合信號設(shè)計用元件包括多種電阻，以及額定值[每平方微米1.0飛(femto，即10-15)法(fF/µm2)]和高量值(2.0 fF/µm2)的可堆疊金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容。這基礎(chǔ)工藝支持?jǐn)U展的模塊化0.18 µm雙極型-CMOS-DMOS(BCD)工藝，以及高壓工藝路線圖。

支持安森美半導(dǎo)體這新工藝的設(shè)計套件提供全面的I/O及存儲器庫。高密度內(nèi)核的門密度及功率消耗分別是每平方毫米124,000門(即124 K gates/mm2 )和每門每兆赫茲46微瓦(即46 µW/ MHz/gate)，混合信號內(nèi)核單元的門密度及功率消耗分別是每平方毫米120,000門和每門每兆兆赫28微瓦。存儲器選擇包括1.1兆比特( Mb)同步單端口及512千比特(Kb)雙端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)，以及1.1 Mb高密度、低泄漏過孔可編程只讀存儲器(ROM)。 ONC18平臺的后續(xù)開發(fā)將使安森美半導(dǎo)體能夠提供更強(qiáng)的混合信號能力及更高電壓處理選擇。

新工藝的設(shè)計方法兼容于常見的數(shù)字及模擬/混合信號計算機(jī)輔助設(shè)計(CAD)工具，包括Cadence®、Synopsys®及Mentor Graphics®等工具。安森美半導(dǎo)體的專長服務(wù)，如用于原型制造的先進(jìn)裸片接合(stitching)及往復(fù)(shuttle)服務(wù)，也可用于基于ONC18的設(shè)計。