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[導讀]21ic訊 愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布提供帶有1MB 嵌入式閃存和128KB SRAM的32位ARM® Cortex® -M3微控制器(MCU)的早期樣品。全新SAM3S16 Cortex-M3微控制器具有高性能、低功耗和高存儲器密度的

21ic訊 愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布提供帶有1MB 嵌入式閃存和128KB SRAM的32位ARM®  Cortex® -M3微控制器(MCU)的早期樣品。全新SAM3S16 Cortex-M3微控制器具有高性能、低功耗和高存儲器密度的特點,用于需要電容式觸摸高級用戶接口、更高數(shù)據(jù)處理能力和連通性的應用。目標應用包括醫(yī)療設備、樓宇和家庭控制、工業(yè)自動化、機器對機器(M2M)、測試和測量、智能電網(wǎng),以及用于消費和計算設備的數(shù)據(jù)輸入/輸出外設。

愛特梅爾SAM3S16 Cortex-M3微控制器是有100多種批量付運產(chǎn)品的愛特梅爾ARM產(chǎn)品系列的成員,新器件與現(xiàn)有的SAM3N和SAM3S Cortex-M3微控制器引腳完全兼容,并支持來自愛特梅爾和第三方系統(tǒng)合作伙伴的系統(tǒng)內編程和開發(fā)工具。該器件以最高100MHz速率運行,帶有1024KB閃存和128KB SRAM,并包含完整的外設集,帶有全速USB、用于SDIO/SD/MMC的高速MCI,4個UART,TWI、SPI、I2S,以及一個支持PSRAM、NOR Flash、LCD模塊和NAND Flash的外部總線接口。

愛特梅爾公司ARM微控制器產(chǎn)品總監(jiān)Jacko Wilbrink稱:“SAM3S16進一步證實愛特梅爾是微控制器領域的領導廠商,并為市場帶來了創(chuàng)新的易于使用的ARM微控制器產(chǎn)品,能夠滿足對更高性能、更高存儲器密度和更低功耗的需求。新產(chǎn)品使用90nm嵌入式閃存技術,使得愛特梅爾得以在運行速率高達100MHz的單片式Cortex-M3微控制器上集成1MB閃存、 128KB SRAM和豐富的外設集。”

作為電容式觸摸感測技術的領導廠商,愛特梅爾通過Atmel QTouch® 軟件庫,為SAM3S16 Cortex-M3微控制器提供電容式觸摸按鍵、滑塊和轉盤(BSW)的支持。SAM3S16的工作電壓范圍為1.62V至3.6V,可在動態(tài)模式中以低運作頻率達到200 uA/Mhz性能;100MHz下耗電量為30mA;在實時時鐘(RTC)運作的后備模式下,運作電壓為1.8 V,耗電量為3uA。
 

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