經過100%雪崩測試的MOSFET提供業(yè)界領先的雪崩額定值,能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN) 擴充N溝道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領先雪崩額定值,非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。
安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器,以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件,符合RoHS指令,關鍵的規(guī)范特性包括:
* 導通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ)
* 電流能力高達76安培(A)
* 經過100%雪崩測試
* 通過AEC-Q101標準認證
安森美半導體MOSFET產品部副總裁兼總經理Paul Leonard說:“為了應對開關電感型負載時潛在的大電壓尖峰,以及推動更高能效,安森美半導體的N溝道功率MOSFET提供強固及可靠的方案。我們100 V產品系列新增的器件為客戶提供更多的選擇,幫助他們獲得適合他們特定應用的最優(yōu)器件?!?/p>
封裝及價格
NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN,采用無鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL,采用無鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些器件的工作溫度范圍為-55°C至+175°C。這些MOSFET每10,000片批量的價格為0.92至1.90美元?,F提供樣品。
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