21ic訊 Molex公司子公司Polymicro Technologies成功地開發(fā)了一款包含low -OH 合成熔融石英(synthetic fused silica)內(nèi)芯的光纖產(chǎn)品，PolyClad™硬聚合物覆層和ETFE 緩沖器/護(hù)套jacket。其特性是具有高抗張強(qiáng)度和最小彎曲半徑，實(shí)現(xiàn)了高可靠性。Polymicro 200/230 PolyClad光纖適合工廠自動(dòng)化和過程控制應(yīng)用中的短至中等距離數(shù)據(jù)通信，能夠耐受嚴(yán)苛溫度、化學(xué)品和輻射環(huán)境。

Molex業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Imke Kuester稱：“我們?nèi)碌膶捁庾V200 µm硬聚合物覆層光纖經(jīng)過優(yōu)化，在650和850 nm下的典型衰減分別低于10和6 dB/km，具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)150 kpsi的抗張強(qiáng)度，以及最小彎曲半徑，實(shí)現(xiàn)了高可靠性。Polymicro的200/230 PolyClad光纖具有出色的性能，并且結(jié)合了耐受可能導(dǎo)致退化和縮短產(chǎn)品壽命的嚴(yán)苛溫度、化學(xué)品和輻射的特性。”

200/230 PolyClad光纖兼容壓接和切割，并且符合 Euro RoHS標(biāo)準(zhǔn)，具有大型200 µm內(nèi)芯和大數(shù)值孔徑，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便的端接和高光源耦合效率。由于具有高覆層/內(nèi)徑比例，連接器偏移最大限度減小至≤5 µm。由于抗張強(qiáng)度≥150 kpsi、最小彎曲半徑≥10 mm (短期)和≥16 mm (長期)，并且在850nm下典型衰減≤6 dB/km，在650nm下≤10 dB/km，即使在嚴(yán)苛的環(huán)境條件下，Polymicro光纖也是非?？煽康摹?/p>

200/230 PolyClad光纖設(shè)計(jì)用于一系列高性能短至中等距離數(shù)據(jù)通信，用于廣泛的工廠自動(dòng)化和過程控制應(yīng)用，包括化工廠、精煉廠、航空電子、汽車、生產(chǎn)和制造廠、移動(dòng)平臺(tái)，風(fēng)力渦輪、發(fā)電廠和PLC中的應(yīng)用。