安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出業(yè)內(nèi)首個(gè)異步雙緣(dual-edge)脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制器NCP5381。這全新控制器適用于快速瞬流響應(yīng)和先進(jìn)電源管理極為關(guān)鍵的應(yīng)用，如奔騰4處理器主板、VRM模塊和圖形卡。

安森美半導(dǎo)體模擬計(jì)算產(chǎn)品總監(jiān)施寶(Michael Stapleton)表示："通過使用工作個(gè)人電腦主板，安森美半導(dǎo)體推出了符合VR10和VR11性能的雙緣NCP5381 PWM控制器?？催^現(xiàn)場(chǎng)展示的客戶對(duì)控制器的印象十分深刻，因?yàn)槠湫阅軆?yōu)異，可以方便地集成到現(xiàn)有的主板設(shè)計(jì)中，且最終可以幫助降低其Vcore核心電壓電源管理子系統(tǒng)的總體成本。"

電平增高和電流轉(zhuǎn)換更快是長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)，故CPU電源設(shè)計(jì)人員面臨的主要挑戰(zhàn)之一在于特定主板上的CPU電壓必須保持穩(wěn)定，而有源功率要求有波動(dòng)。NCP5381的設(shè)計(jì)使電源管理子系統(tǒng)響應(yīng)用戶激活高性能計(jì)算功能，對(duì)負(fù)載瞬流的響應(yīng)明顯比現(xiàn)有業(yè)內(nèi)單緣、鎖存、時(shí)鐘或同步調(diào)制產(chǎn)品更快。這讓子系統(tǒng)的工作頻率更低，而且與現(xiàn)有調(diào)制方法相比，保持電容更少、更小。其結(jié)果是得到更加緊湊的解決方法，需要更少外部元件，因此比現(xiàn)有解決方法的性價(jià)比更高。

產(chǎn)品特性
* 雙緣PWM對(duì)瞬變負(fù)載快速初始響應(yīng)
* 正在申請(qǐng)專利的動(dòng)態(tài)參考注入(Dynamic Reference Injection)
* +0.5%系統(tǒng)電壓精確度
* 符合VR11的遠(yuǎn)程溫度檢測(cè)
* 與VR10逆向兼容
* "無損"差分電感電流檢測(cè)

安森美半導(dǎo)體高級(jí)副總裁兼模擬產(chǎn)品部總經(jīng)理施禮賢 (Larry Sims) 說："業(yè)內(nèi)已廣泛認(rèn)為CPU功率控制--特別是Vcore核心電壓功率控制--的下一步，將需要昂貴的數(shù)字控制系統(tǒng)以克服今天同步控制器架構(gòu)的性能限制。安森美半導(dǎo)體的PWM控制器成功推出后，我們已證明這創(chuàng)新的雙緣架構(gòu)，能夠?yàn)橄冗M(jìn)CPU功率控制提供高性能的解決方案，性價(jià)比遠(yuǎn)高于數(shù)字或其他模擬平臺(tái)。"

完整的解決方案 
除NCP5381外，安森美半導(dǎo)體的CPU功率控制4相解決方案還包括四個(gè)獨(dú)立12伏 (V) NCP3418B MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，用于同步降壓。這些產(chǎn)品采用SOIC-8和DFN-10無鉛封裝。八個(gè)25 V、單N-溝道MOSFET也是雙緣Vcore核心電壓子系統(tǒng)解決方案的一部分，包括四個(gè)45安培(A)的NTD50N03R MOSFET和四個(gè)65 A的NTD65N03R MOSFET。這些器件的RDS(ON)門極電荷以及逆向恢復(fù)電荷較小，而且使用無鉛DPAK封裝。一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)MOSFET用于驅(qū)動(dòng)NCP5381的四個(gè)輸出相位。

供貨日期
NCP5381MNR2G采用40引腳無鉛QFN封裝?，F(xiàn)備樣品供索，計(jì)劃于2006年第一季度投入生產(chǎn)。更多信息，請(qǐng)發(fā)送郵件至Michael.Stapleton@onsemi.com或致電1-602-244-5027與Mike Stapleton聯(lián)系。

NCP5381拓展了安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有計(jì)算應(yīng)用中的DDR控制器、通用控制器、MOSFET和分立產(chǎn)品的產(chǎn)品系列。如欲了解更多有關(guān)安森美半導(dǎo)體器件的信息，請(qǐng)?jiān)L問www.onsemi.com.cn。