新型250-mA LDO 穩(wěn)壓器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 SiP21110 250-mA LDO 穩(wěn)壓器，從而擴展了其 LDO 產(chǎn)品系列。該低成本器件采用可節(jié)省空間的超薄 SOT23-5L 封裝，可在 1mA 負(fù)載時提供 35µA 的低典型接地電流，真正實現(xiàn)了延長便攜電子設(shè)備中電池的工作時間的目標(biāo)。
SiP21110 的超低接地電流有助于延長電池供電系統(tǒng)及便攜式電子設(shè)備中相鄰兩次充電之間的電池運行時間，這些設(shè)備包括手機與無線手持終端、PDA、數(shù)碼相機、尋呼機、無線調(diào)制解調(diào)器、手持式醫(yī)療設(shè)備等各種便攜式電子產(chǎn)品。
SiP21110 具有可通過外部電阻網(wǎng)絡(luò)在 1.3V 至 5V 之間變化的可調(diào)輸出電壓，以及 +25°C 時 1.0% 的高輸出電壓精度。其高級設(shè)計架構(gòu)可利用超小的低 ESR 陶瓷輸出電容器實現(xiàn)穩(wěn)定的運行，從而可縮減板面空間以及降低元件成本。其他 SiP21110 特性包括出色的瞬態(tài)響應(yīng)、具有快速恢復(fù)時間的低峰值到峰值瞬態(tài)輸出電壓，以及高 PSRR，同時電流損耗最低。
在為啟動時具有高浪涌電流的系統(tǒng)提供 330mA 的典型峰值電流的同時，該器件可保持穩(wěn)壓。在啟動過程中，有源下拉電路可改進輸出瞬態(tài)響應(yīng)及穩(wěn)壓。在關(guān)斷模式下，通過利用 100Ω n 通道 MOSFET 將輸出與接地裝置相連，該輸出可自動放電。
為實現(xiàn)安全運行，該器件具有熱過載（典型值+160°C）及內(nèi)置短路保護（典型值 500mA），+85°C 時最高關(guān)斷電流為 1µA。SiP21110 在 -40C～+125C 的結(jié)溫范圍內(nèi)運行。
目前，新型 SiP21110 LDO 穩(wěn)壓器的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 8 周。
SiP21110 的超低接地電流有助于延長電池供電系統(tǒng)及便攜式電子設(shè)備中相鄰兩次充電之間的電池運行時間，這些設(shè)備包括手機與無線手持終端、PDA、數(shù)碼相機、尋呼機、無線調(diào)制解調(diào)器、手持式醫(yī)療設(shè)備等各種便攜式電子產(chǎn)品。
SiP21110 具有可通過外部電阻網(wǎng)絡(luò)在 1.3V 至 5V 之間變化的可調(diào)輸出電壓，以及 +25°C 時 1.0% 的高輸出電壓精度。其高級設(shè)計架構(gòu)可利用超小的低 ESR 陶瓷輸出電容器實現(xiàn)穩(wěn)定的運行，從而可縮減板面空間以及降低元件成本。其他 SiP21110 特性包括出色的瞬態(tài)響應(yīng)、具有快速恢復(fù)時間的低峰值到峰值瞬態(tài)輸出電壓，以及高 PSRR，同時電流損耗最低。
在為啟動時具有高浪涌電流的系統(tǒng)提供 330mA 的典型峰值電流的同時，該器件可保持穩(wěn)壓。在啟動過程中，有源下拉電路可改進輸出瞬態(tài)響應(yīng)及穩(wěn)壓。在關(guān)斷模式下，通過利用 100Ω n 通道 MOSFET 將輸出與接地裝置相連，該輸出可自動放電。
為實現(xiàn)安全運行，該器件具有熱過載（典型值+160°C）及內(nèi)置短路保護（典型值 500mA），+85°C 時最高關(guān)斷電流為 1µA。SiP21110 在 -40C～+125C 的結(jié)溫范圍內(nèi)運行。
目前，新型 SiP21110 LDO 穩(wěn)壓器的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 8 周。
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