完全自保護式低壓側(cè)MOSFET（Diodes）
[導(dǎo)讀]Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500mΩ，能夠使功耗保持在絕對極小值。
ZXMS6004FF將靜電放電（ESD）、過壓、過流及過溫保護集成于一個高散熱效率封裝，為元件本身及負(fù)載提供了完善的保護，有助于減少元件數(shù)、印刷電路板尺寸及系統(tǒng)總成本，滿足各種汽車及工業(yè)應(yīng)用需要。該器件的超小外形也使空間有限的應(yīng)用能夠首次集成自保護式的MOSFET。
該器件的連續(xù)額定電流為1A，且符合AECQ101標(biāo)準(zhǔn)，能耐受60V的負(fù)載突降瞬變。ZXMS6004FF的邏輯電平輸入為3.3V或5V，可通過微控制器輸出直接驅(qū)動。
雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500mΩ，能夠使功耗保持在絕對極小值。
ZXMS6004FF將靜電放電（ESD）、過壓、過流及過溫保護集成于一個高散熱效率封裝，為元件本身及負(fù)載提供了完善的保護，有助于減少元件數(shù)、印刷電路板尺寸及系統(tǒng)總成本，滿足各種汽車及工業(yè)應(yīng)用需要。該器件的超小外形也使空間有限的應(yīng)用能夠首次集成自保護式的MOSFET。
該器件的連續(xù)額定電流為1A，且符合AECQ101標(biāo)準(zhǔn)，能耐受60V的負(fù)載突降瞬變。ZXMS6004FF的邏輯電平輸入為3.3V或5V，可通過微控制器輸出直接驅(qū)動。
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