日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。
SiA850DJ 的典型應用將包括面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器以及手機、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備中的有機 LED（OLED）背光。
將 MOSFET 及功率二極管整合到同一封裝可幫助設計人員節(jié)約至少三分之一的 PCB 面積，同時由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在 2.5V 時達到導通電阻額定值，而 SiA850DJ 在 1.8V 時便可達到導通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進一步節(jié)約了板面空間。該器件的導通電阻值范圍介于 1.8V VGS 時 17Ω～4.5V VGS時 3.8Ω，0.5A 時二極管正向電壓為 1.2 V。
SiA850DJ 100% 無鉛（Pb），無鹵素，并且符合 RoHS規(guī)范，因此符合有關消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。
目前，新型 SiA850DJ 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
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