傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...

北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日，國內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過項(xiàng)目評(píng)審和論證，在開放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(huì)（OCTC）獲批立項(xiàng)。浪潮信息作為標(biāo)準(zhǔn)主要發(fā)起單位和撰寫單位，將牽頭圍繞冷板、連...

（全球TMT2022年9月20日訊）9月16日至18日，借第19屆中國—東盟博覽會(huì)開展之機(jī)，首屆中國—東盟和平利用核技術(shù)論壇在廣西南寧召開。中核集團(tuán)同方股份有限公司出席活動(dòng)，并聯(lián)合核安保技術(shù)中心、中國原子能工業(yè)有限公司...

為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗，必須盡快對柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場提供了特殊的電路來最小化這個(gè)過渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來說，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡易開關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來更多的工程洞見。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡易的器件模型無法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...

北京, 2022年9月20日 /美通社/ -- 9月16日至18日，借第19屆中國—東盟博覽會(huì)開展之機(jī)，首屆中國—東盟和平利用核技術(shù)論壇在廣西南寧召開。中核集團(tuán)同方股份有限公司出席活動(dòng)，并聯(lián)合核安保技術(shù)中心、中...

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...

2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開啟機(jī)制，使其成為...

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開關(guān)時(shí)間太長，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件，這個(gè)問題...

（全球TMT2022年8月18日訊）近日，TUV南德意志集團(tuán)（簡稱"TUV南德"）授予深圳光峰科技股份有限公司（簡稱"光峰科技"）目擊測試實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)。 TUV南德授予光峰科技目擊測試實(shí)驗(yàn)室資質(zhì) 作為全球領(lǐng)先...