經(jīng)過100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰

2010年2月2日 – 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN) 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測(cè)試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。

安森美半導(dǎo)體這些100 V功率MOSFET器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)電機(jī)控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃?xì)鈬娚?DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關(guān)鍵的規(guī)范特性包括：
* 導(dǎo)通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ)
* 電流能力高達(dá)76安培(A)
* 經(jīng)過100%雪崩測(cè)試
* 通過AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“為了應(yīng)對(duì)開關(guān)電感型負(fù)載時(shí)潛在的大電壓尖峰，以及推動(dòng)更高能效，安森美半導(dǎo)體的N溝道功率MOSFET提供強(qiáng)固及可靠的方案。我們100 V產(chǎn)品系列新增的器件為客戶提供更多的選擇，幫助他們獲得適合他們特定應(yīng)用的最優(yōu)器件?！?/p>

封裝及價(jià)格
NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，采用無鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，采用無鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些器件的工作溫度范圍為-55°C至+175°C。這些MOSFET每10,000片批量的價(jià)格為0.92至1.90美元。現(xiàn)提供樣品。