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全新HEXFET®功率MOSFET系列（IR）

時(shí)間：2010-07-18 23:03:00

關(guān)鍵字：功率MOSFET LM 器件整流器

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[導(dǎo)讀]國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。

新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這個(gè)全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍，并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ，從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設(shè)計(jì)選擇?！?/p>

新器件達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格

器件編號(hào)

BVDSS

25°C下的最大Id

10V下的

典型 / 最大RDS(on)

(mΩ)

4.5V下的

典型 / 最大RDS(on)

(mΩ)

典型Qg

IRLML9301TRPBF

-30V

3.6 A

51 / 64

82 / 103

4.8 nC

IRLML9303TRPBF

-30V

2.3 A

135 / 165

220 / 270

2.0 nC

IRLML0030TRPBF

30V

5.2 A

22 / 27

33 / 40

2.6 nC

IRLML2030TRPBF

30V

2.7 A

80 / 100

123 / 154

1.0 nC

IRLML0040TRPBF

40V

3.6 A

44 / 56

62 / 78

2.6 nC

IRLML0060TRPBF

60V

2.7 A

78 / 92

98 / 116

2.5 nC

IRLML2060TRPBF

60V

1.2 A

356 / 460

475 / 620

0.4 nC

IRLML0100TRPBF

100V

1.6 A

178 / 220

190 / 235

2.5 nC

新器件現(xiàn)正接受批量訂單

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