全新功率晶體管系列采用先進(jìn)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，擁有業(yè)界最低通態(tài)電阻，適用于低能耗、高空間效率的設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出能夠降低電信系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、太陽能逆變器、工業(yè)自動(dòng)化以及汽車電子等應(yīng)用設(shè)備的環(huán)境影響的新一代高能效功率器件。

意法半導(dǎo)體全新STripFET™ VII DeepGATE™ MOSFET 在當(dāng)前市場銷售的80V和100V功率晶體管中擁有最高的導(dǎo)通效率，同時(shí)提高了開關(guān)效率。此外，新產(chǎn)品有助于簡化設(shè)計(jì)，使用數(shù)量更少且封裝更小的器件滿足系統(tǒng)功耗和能效目標(biāo)，從而降低了設(shè)備尺寸和成本。

工業(yè)設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施更加節(jié)能環(huán)保" />

增強(qiáng)的MOSFET柵結(jié)構(gòu)是意法半導(dǎo)體STripFET VII DeepGATE技術(shù)的重要進(jìn)步，降低器件通態(tài)電阻的同時(shí)還降低了內(nèi)部電容和柵電荷，進(jìn)一步提高開關(guān)速度和效率。新產(chǎn)品的抗雪崩能力優(yōu)異，使產(chǎn)品在可能損壞器件的惡劣條件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽車電子應(yīng)用的最佳選擇。

現(xiàn)在可訂購的STripFET VII DeepGATE樣片或產(chǎn)品超過15種，包括STP270N8F7 80V器件和若干100V器件，客戶可選擇TO-220、DPAK、PowerFLAT™ 5x6和2針腳或6針腳H2PAK封裝。如需大量訂購，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)意法半導(dǎo)體銷售辦事處。

關(guān)于意法半導(dǎo)體MOSFET和電壓額定值：

STripFET VII DeepGATE是意法半導(dǎo)體強(qiáng)大的MOSFET技術(shù)家族的新成員，在各種應(yīng)用使用的主要電壓額定值下，提供業(yè)界領(lǐng)先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技術(shù)特別適用于直流電壓驅(qū)動(dòng)的電氣系統(tǒng)，如電信設(shè)備廣泛使用的48V直流電壓。80V或100V器件具有充足的安全裕量，可承受在48V系統(tǒng)中常見的過壓電涌。優(yōu)異的可靠性讓STripFET VII DeepGATE還可用于12V或24V汽車電子應(yīng)用。

工業(yè)電源還需要像MDmesh™ 超結(jié)技術(shù)一樣的功率技術(shù)，因?yàn)榇隧?xiàng)技術(shù)在較高電壓額定值時(shí)能效十分優(yōu)異。600V或650V MDmesh器件為交流-直流電源、照明鎮(zhèn)流器和顯示器提供適合的安全裕量。意法半導(dǎo)體近期發(fā)布的全新高能效MDmesh產(chǎn)品系列以低柵電荷為特色，適用于諧振型功率轉(zhuǎn)換器，如液晶電視電源(MDmesh II Low Qg)。