東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容
[導(dǎo)讀]低導(dǎo)通電阻可減少移動(dòng)設(shè)備的傳導(dǎo)損失21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通過“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和功率管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用
低導(dǎo)通電阻可減少移動(dòng)設(shè)備的傳導(dǎo)損失
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通過“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和功率管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。
主要特性
1. 采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。
2. 采用TSON Advance封裝，具有很好的導(dǎo)熱性。
3. 高雪崩電阻。
主要規(guī)格
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