iW1679數(shù)字AC/DC PWM控制器首度以低成本BJT取代5V/2A適配器和充電器中的FET

21ic訊 Dialog Semiconductor plc 日前推出業(yè)內首個可輕松、高效驅動低成本、10W功率雙極晶體管 (BJT) 的數(shù)字脈寬調制 (PWM) 控制器，從而降低5V/2A智能手機適配器和充電器的BOM 成本。新型iW1679可供設計師以低成本BJT取代場效應晶體管 (FET)，滿足智能手機、多媒體平板電腦和消費電子產品降低待機功耗、提高輕載和平均工作效率的市場需求。iW1679由Dialog電源轉換業(yè)務部 (前iWatt公司) 開發(fā)，旨在推進Dialog實現(xiàn)其拓展市場的目標。

iW1679在降低材料清單成本的同時，采用Dialog自適應多模式PWM/PFM控制技術，動態(tài)改變BJT開關頻率，從而提高效率。這樣可以優(yōu)化系統(tǒng)、提高輕載效率、降低功耗和電磁干擾 (EMI)。iW1679平均工作效率高達83%，在10%輕載條件下保持高效率，空載待機功耗小于30mW，且待機恢復速度快。這使設計師可實現(xiàn)甚至超過最新全球能效標準，包括嚴格的European CoC version 5(1)標準(該標準要求平均工作效率達到76%，10%負載條件下保持高輕載效率)以及要求平均工作效率達到79%的U.S. DoE(2)標準和要求平均工作效率達到73%的Energy Star EPS 2.0(3)標準。

“5W和5W以下的電源普遍采用BJT，Dialog是這一領域的領導者，提供各種專門用于驅動BJT的數(shù)字PWM控制器，”Dialog電源轉換業(yè)務部副總裁兼總經(jīng)理Ron Edgerton說，“通過推出iW1679，我們將這種豐富的專業(yè)技術應用于高功率電源，使其同樣具備低成本、高效率和高性能的優(yōu)點。”

盡管BJT成本低于FET，但BJT驅動要求更加復雜。為解決這一問題，iW1679采用Dialog數(shù)字控制專利技術，主動調節(jié)BJT基極驅動電流。這樣可優(yōu)化性能，提高效率，避免BJT飽和。由于BJT比FET切換速度慢，它所產生的噪聲較低，因此降低了EMI。iW1679采用Dialog的EZ-EMI®技術，這種采用波谷導通開關模式的內部EMI技術，進一步降低了EMI，簡化生產并減少所需外部EMI濾波元件。這種技術還包括專利的開關模式，不會產生控制器可聞噪聲。

與采用FET的設計相比，iW1679可降低高達10%(4)的BOM成本。Dialog的PrimAccurate™原邊控制專利技術去除了所需的次級調節(jié)器和光耦器件，從而可以進一步節(jié)省BOM成本。

iW1679提供可由用戶可配置的四級線壓降補償選項，消除了為滿足各種輸出電壓要求而訂購儲備多種版本產品的問題。本器件采用標準低成本8引腳SOIC封裝，具有各種故障條件的全面保護功能，包括輸出短路、輸出過壓、輸出過流和過溫保護。

控制器 降低智能手機電源BOM成本和待機功耗" />

iW1679 主要特性

· 輸出功率：5W至10W

· 驅動低成本、10W BJT功率開關以降低BOM成本

· PrimAccurate™ 原邊控制專利技術提高可靠性、減小解決方案尺寸、降低BOM成本

· 自適應多模式PWM/PFM專利技術優(yōu)化輕載效率、EMI和功耗

· 已申報專利的準諧振控制優(yōu)化各種負載條件下的效率

· 高達83%的平均工作效率

· <30mW 超低待機功耗

· 符合嚴格的全球能效標準，包括：U.S. DoE、European CoC version 5、Energy Star EPS 2.0

封裝、定價、供貨

iW1679 現(xiàn)已實現(xiàn)量產，1000支起訂量單價為0.29美元。