~不僅實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻，還非常有助于智能手機(jī)和可穿戴式設(shè)備的小型化與高性能化~

21ic訊 日本知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)近日面向智能手機(jī)和可穿戴式設(shè)備等各種要求小型和薄型的電子設(shè)備，開發(fā)出世界最小※尺寸的晶體管“VML0604”(0.6mm×0.4mm，高度0.36mm)。

本產(chǎn)品已于2013年10月份開始出售樣品(樣品價(jià)格80日元/個(gè))，計(jì)劃于2014年6月份開始以月產(chǎn)1000萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本京都總部)和ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國(guó))。

※　截至2014年3月10日ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)

<背景>

近年來(lái)，在以智能手機(jī)和可穿戴式設(shè)備為首的電子設(shè)備市場(chǎng)，配套設(shè)備的小型化與高性能化日益發(fā)展，對(duì)于所搭載的電子元器件的小型化、薄型化要求也日益強(qiáng)烈。

而另一方面，晶體管不僅具有接合的穩(wěn)定性、封裝的加工精度等技術(shù)性課題，而且因所搭載元件尺寸受限導(dǎo)致導(dǎo)通電阻上升，因此，產(chǎn)品陣容一直局限于20V耐壓的產(chǎn)品。

<特點(diǎn)>

1.　實(shí)現(xiàn)世界最小尺寸，安裝面積大幅縮減

此次，通過(guò)新型封裝和元件的新工藝，ROHM成功開發(fā)出世界最小尺寸的晶體管“VML0604”(0.6mm×0.4mm，高度0.36mm)。

在封裝技術(shù)方面，通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，并導(dǎo)入高精度的封裝加工技術(shù)，與以往最小晶體管封裝VML0806(0.8mm×0.6mm，高度0.36mm)相比，安裝面積縮減了50%。作為晶體管封裝，已達(dá)到世界最小尺寸。

該新型封裝預(yù)計(jì)將會(huì)擴(kuò)大應(yīng)用到小信號(hào)MOSFET產(chǎn)品，將為各種配套產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)省空間、實(shí)現(xiàn)高密度化做出貢獻(xiàn)。

2.　確保引腳間隔，安裝性良好

隨著小型化的日益發(fā)展，產(chǎn)品在PCB板上的安裝越來(lái)越難。

此次通過(guò)確保引腳間隔0.2mm，保持了良好的安裝性。

3. 在小型化基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)世界最高級(jí)別的低導(dǎo)通電阻

由于封裝的小型化，導(dǎo)致可搭載的元件尺寸受到限制。元件的尺寸很小時(shí)，導(dǎo)通電阻就非常高，往往很難保持以往的小信號(hào)晶體管的性能。

但是，本產(chǎn)品的元件采用了新工藝，從而作為30V耐壓產(chǎn)品的超小型晶體管實(shí)現(xiàn)了世界最高性能※的低導(dǎo)通電阻0.25Ω(VGS=4.5V時(shí))。

4. 新增 40～60V耐壓產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)豐富的產(chǎn)品陣容

由于比以往產(chǎn)品耐壓更高也可保持低導(dǎo)通電阻，因此，新增耐壓達(dá)40～60V的產(chǎn)品，完善了產(chǎn)品陣容。

ROHM開發(fā)出比以往產(chǎn)品小50％的世界最小晶體管“VML0604”" />

<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

・MOSFET

以高速開關(guān)為特點(diǎn)的晶體管的一種。

・導(dǎo)通電阻

給柵極-源極間施加任意電壓時(shí)的漏極-源極之間的電阻值。該值越小，電流越容易流通，損耗越小。