Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

時(shí)間：2014-04-08 09:22:52

關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 電子封裝

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[導(dǎo)讀]采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第

采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的-20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻僅為4.8mΩ，是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的首款器件。

《今日電子》雜志的編輯從2013年在中國(guó)市場(chǎng)上推出的數(shù)百款產(chǎn)品中，根據(jù)設(shè)計(jì)創(chuàng)新、在技術(shù)和應(yīng)用上的顯著改進(jìn)，以及價(jià)格和性能上的重大成績(jī)進(jìn)行評(píng)估。Vishay的Si7655DN MOSFET因其在MOSFET領(lǐng)域取得的成功而獲獎(jiǎng)。

Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix領(lǐng)先的P溝道第III代技術(shù)，3.6mΩ (-10V)、4.8mΩ (-4.5V)和8.5mΩ (-2.5V)的最大導(dǎo)通電阻是業(yè)內(nèi)最低的。這些指標(biāo)比最接近的-20V器件提高17%以上。

Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能在電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降，提高電能使用效率，延長(zhǎng)電池壽命。器件的PowerPAK 1212-8S封裝高度為0.75mm，比PowerPAK 1212薄28%，可節(jié)省寶貴的電路板空間，同時(shí)保持相同的PCB布局設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)表鏈接：

http://www.vishay.com/doc?63617

《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)名單發(fā)布在2014年第2期上。中文介紹的完整獲獎(jiǎng)名單見(jiàn)http://www.dunminwenhua.com/wz/CRXDQWHFA/20140202/20140202.htm。