21ic電源網訊 東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導通電阻，實現業(yè)界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。

注：

·[1]截至2014年11月4日。東芝調查。

·[2]Qoss：輸出電荷。

主要特性

·業(yè)界頂級的低導通電阻：0.85mΩ(最大值)

·業(yè)界頂級的低RDS(ON)・Qoss：60mΩ・nC

應用

適用于服務器和電信基站的高效開關電源

主要規(guī)格