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[導(dǎo)讀]全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson)、最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結(jié)合,為設(shè)計師提高靈活性Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II M

全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson)、

最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結(jié)合,為設(shè)計師提高靈活性

Fairchild  今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列,該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設(shè)計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性,同時通過減少元件的使用從而減少這些設(shè)計的電路板空間。

800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和熱特性,使其成為各種應(yīng)用的理想之選。同時,多種可選封裝為設(shè)計師帶來巨大的靈活性,在尺寸受限的設(shè)計中尤為如此。該系列的關(guān)鍵應(yīng)用包括 LED 照明、LED 電視和家庭影院音響設(shè)備的電源、電源適配器、服務(wù)器、工業(yè)電源和輔助電源及微型太陽能逆變器。

“借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列,制造商可提高產(chǎn)品的效率和可靠性。由于優(yōu)越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,此系列的效率明顯優(yōu)于最接近的競爭產(chǎn)品,”Fairchild 的首席技術(shù)市場工程師 Wonhwa Lee 說。“新系列采用最新的超級結(jié)技術(shù),實現(xiàn)小形狀因數(shù)及更勝以往的高效率,其耐用的內(nèi)置二極管在高 dv/dt 條件下可提高工業(yè)橋式電路的可靠性。”

Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范圍為 4.3 歐姆至業(yè)內(nèi)最低 60 毫歐的26個器件(均以各種標(biāo)準(zhǔn)封裝提供)組成,為設(shè)計師在針對特定應(yīng)用采用最佳器件中提供更多選擇和靈活性。例如,F(xiàn)CD850N80Z 是該系列的主要成員,將 DPAK 中異常低的850 毫歐 Rdson(最大值)與比主要競爭產(chǎn)品低 6~11% 的Rdson (最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相結(jié)合,使其成為需要低導(dǎo)通電阻和尺寸受限的 LED 照明應(yīng)用的理想之選。

Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成員包括:

Rdson
(最大值)

[mΩ]

TO-247

D2-pak

TO-220

TO-220F

D-pak

(TO-252)

I-pak

(TO-251)

4,300

 

 

 

FCPF4300N80Z

 

FCU4300N80Z

3,400

 

 

 

 

FCD3400N80Z*

FCU3400N80Z*

2,250

 

 

 

FCPF2250N80Z

FCD2250N80Z

FCU2250N80Z

1,300

 

 

 

FCPF1300N80Z

FCPF1300N80ZYD*

FCD1300N80Z

 

850

 

 

FCP850N80Z*

FCPF850N80Z

FCD850N80Z

FCU850N80Z

650

 

 

FCP650N80Z*

FCPF650N80Z

 

 

400

 

 

FCP400N80Z*

FCPF400N80Z

FCPF400N80ZL1**

 

 

290

 

FCB290N80*

FCP290N80*

FCPF290N80*

 

 

220

 

 

FCP220N80*

FCPF220N80*

 

 

85

FCH085N80_F155*

 

 

 

 

 

60

FCH060N80_F155*

 

 

 

 

 

(*: 開發(fā)中)

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