安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一系列新的高性能器件進(jìn)一步加強(qiáng)了低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品陣容，以支持雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存。NCP51200、 NCP51400、 NCP51510和NCP51199采用內(nèi)置功率MOSFET，針對在電腦、數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和手持消費(fèi)市場等廣泛應(yīng)用中的特定應(yīng)用如SDRAM DIMM內(nèi)存、伺服器、路由器、智能手機(jī)、平板電腦平臺、機(jī)頂盒、智能電視、打印機(jī)和個人電腦/筆記本電腦主機(jī)板。還提供經(jīng)AEC-Q100認(rèn)證的版本用于汽車應(yīng)用如嵌入式GPS定位系統(tǒng)、信息娛樂和無線網(wǎng)絡(luò)及藍(lán)牙通信。

這些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 標(biāo)準(zhǔn)，終端電壓(VTT)低至500毫伏(mV)。當(dāng)與DDR4和LPDDR4使用時，每一種的主動源電流和汲電流能力達(dá)2安培(A)。此外，當(dāng)使用DDR4 和LPDDR4時，NCP51145可支持高達(dá)1.2 A。NCP/NCV51199可為DDR2和DDR3分別提供2 A和1.5 A源汲電流，而NCP51200和NCP51510指定運(yùn)行于3 A峰值電流并支持遠(yuǎn)程感測。這些高度集成的DDR終端LDO的優(yōu)勢還包括軟啟動、片上熱關(guān)斷和(對一些器件) 欠壓鎖定機(jī)制。每一款器件都有高速差分放大器，對線性電壓和負(fù)載電流瞬變提供超快響應(yīng)。所有這些器件還都兼容DDR1 和DDR2 ，易于升級到更新的DDR內(nèi)存。工作溫度范圍指定為-40 °C 至 +125 °C，可擴(kuò)展至+150 °C用于汽車版本。

安森美半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品副總裁Simon Keeton說：“DDR內(nèi)存廣泛擴(kuò)展至許多非傳統(tǒng)產(chǎn)品如連接和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)促使增強(qiáng)的數(shù)據(jù)通信。我們現(xiàn)為整個DDR市場提供全面的變革器件，適用于新設(shè)計項(xiàng)目，以及直接替代現(xiàn)有器件;但具更高性能以支持將來內(nèi)存升級。NCP51400和NCP51510是很先進(jìn)的集成電路(IC)，能支持下一代DDR技術(shù)，而NCP51145結(jié)合卓越的性能及有吸引力的價格。此外，我們提供通過汽車認(rèn)證(AEC-Q100)的版本，使最新的信息娛樂和安全系統(tǒng)能跟上新車客戶期望的數(shù)據(jù)要求。

封裝和定價

擴(kuò)展了的15個NCP51xxx LDO 方案提供3 種不同的封裝，包括8只引腳的SOIC-EP、8只引腳2x2 mm的DFN和10只引腳3x3 mm的DFN封裝。每3,000片批量的單價范圍從0.07美元至0.195美元。