近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率，并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。

憑借業(yè)內(nèi)最佳的驅(qū)動速度以及1 ns的最小脈沖寬度，LMG1020 60-MHz低側(cè)GaN驅(qū)動器可在工業(yè)LIDAR應(yīng)用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片(WCSP)封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地減少柵極環(huán)路寄生和損耗，進(jìn)一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半橋驅(qū)動器，專為高達(dá)200 V的GaN場效應(yīng)晶體管而設(shè)計(jì)。該器件的可調(diào)死區(qū)時間控制功能能夠?qū)⒏咚貲C / DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器、D類音頻放大器及其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用效率提高多達(dá)5%。設(shè)計(jì)人員可利用超過300 V / ns的業(yè)內(nèi)最高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)實(shí)現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗噪聲能力。

LMG1020和LMG1210的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢

·高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲(2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210])，使電源解決方案比采用硅驅(qū)動器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程LIDAR應(yīng)用。

·高效率：這兩款器件均可實(shí)現(xiàn)高效率設(shè)計(jì)。 LMG1210提供1 pF的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)電容和用戶可調(diào)的死區(qū)時間控制，可將效率提高多達(dá)5%。

·功率密度：LMG1210中的死區(qū)時間控制集成功能可減少元件數(shù)量并提高效率，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)㈦娫闯叽缃档投噙_(dá)80%。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業(yè)內(nèi)最小封裝和最高分辨率。

TI GaN產(chǎn)品的優(yōu)勢

LMG1020和LMG1210是業(yè)界最大的GaN電源產(chǎn)品組合中的最新成員，從200V驅(qū)動器到80V和600V功率級。憑借超過1,000萬小時的GaN工藝可靠性測試，TI提供可靠的GaN產(chǎn)品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術(shù)帶來數(shù)十年的硅制造專業(yè)技術(shù)和高級器件開發(fā)人才。

在APEC上參觀TI展臺

TI將于當(dāng)?shù)貢r間2018年3月4日至8日參展在得克薩斯州圣安東尼奧市舉行的美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(APEC)，并展示其廣泛的GaN產(chǎn)品組合以及GaN技術(shù)。