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[導(dǎo)讀]ADM2795E 是一款 5 kV rms 信號(hào)隔離 RS-485 收發(fā)器,其集成 ADI 公司的 iCoupler® 技術(shù),將 RS-485 收發(fā)器和國際電工委員會(huì) (IEC) 電磁兼容性 (EMC) 保護(hù)集成于單封裝中。ADM2795E 適用于惡劣工業(yè)環(huán)境中面臨著多種威脅的 RS-485 通信接口,這些威脅可能干擾通信或?qū)е掠谰眯該p壞。工業(yè)自動(dòng)化可編程邏輯控制器 (PLC) 通信端口通常使用 RS-485 接口,這些端口可能經(jīng)受較大的共模噪聲、接地電位差、接線錯(cuò)誤和高壓瞬變,如靜電放電 (E

簡(jiǎn)介

ADM2795E是一款5 kV rms信號(hào)隔離RS-485收發(fā)器,其集成ADI公司的iCoupler®技術(shù),將RS-485收發(fā)器和國際電工委員會(huì)(IEC)電磁兼容性(EMC)保護(hù)集成于單封裝中。ADM2795E適用于惡劣工業(yè)環(huán)境中面臨著多種威脅的RS-485通信接口,這些威脅可能干擾通信或?qū)е掠谰眯該p壞。工業(yè)自動(dòng)化可編程邏輯控制器(PLC)通信端口通常使用RS-485接口,這些端口可能經(jīng)受較大的共模噪聲、接地電位差、接線錯(cuò)誤和高壓瞬變,如靜電放電(ESD)、電快速瞬變(EFT)和雷電浪涌。工業(yè)自動(dòng)化的系統(tǒng)級(jí)IEC標(biāo)準(zhǔn)(如IEC 61131-2)規(guī)定了多種IEC ESD、EFT和浪涌保護(hù)級(jí)別以及對(duì)輻射、傳導(dǎo)和磁場(chǎng)干擾的抗擾度。

經(jīng)認(rèn)證的IEC EMC性能概述

ADM2795E可提供完整的系統(tǒng)級(jí)解決方案,該方案符合IEC 61000浪涌、EFT和ESD標(biāo)準(zhǔn)以及對(duì)傳導(dǎo)、輻射和磁場(chǎng)干擾的抗擾度,這些干擾在工業(yè)環(huán)境中很常見。隔離魯棒性和EMC保護(hù)的集成大幅節(jié)省了印刷電路板(PCB)空間,以供通信端口接口使用。ADM2795E還集成了全面的±42 V高壓故障保護(hù)。

本應(yīng)用筆記給出了參考評(píng)估板和示例測(cè)試設(shè)置,演示了ADM2795E的IEC EMC認(rèn)證性能:

•RS-485 A和B總線引腳提供4級(jí)EMC認(rèn)證保護(hù)

•IEC 61000-4-5浪涌保護(hù)(±4 kV)

•IEC 61000-4-4 EFT保護(hù)(±2 kV)

•IEC 61000-4-2 ESD保護(hù)

•接觸放電:±8 kV

•氣隙放電:±15 kV

•IEC 61000-4-6傳導(dǎo)射頻抗擾度(10 V/m rms)

•經(jīng)認(rèn)證的IEC 61000隔離柵抗擾度

•IEC 61000-4-2 ESD、IEC 61000-4-4 EFT、IEC 61000-4-5浪涌、IEC 61000-4-6傳導(dǎo)射頻抗擾度、IEC 61000-4-3輻射抗擾度、IEC 61000-4-8磁場(chǎng)抗擾度

圖1.ADM2795E的集成IEC 61000-4-5認(rèn)證浪涌解決方案,為設(shè)計(jì)師顯著節(jié)省了PCB面積

IEC ESD、EFT和浪涌保護(hù)

電氣和電子設(shè)備的設(shè)計(jì)必須滿足系統(tǒng)級(jí)IEC標(biāo)準(zhǔn)。以下是系統(tǒng)級(jí)IEC標(biāo)準(zhǔn)示例:

•過程控制和自動(dòng)化:IEC 61131-2

•電機(jī)控制:IEC 61800-3

•樓宇自動(dòng)化:IEC 60730-1

對(duì)于數(shù)據(jù)通信線路,這些系統(tǒng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)將規(guī)定以下三種類型的高壓瞬變的多個(gè)保護(hù)級(jí)別:

•IEC 61000-4-2 ESD

•IEC 61000-4-4 EFT

•IEC 61000-4-5浪涌

所有這些規(guī)范都定義了測(cè)試方法,用以評(píng)估電子和電氣設(shè)備對(duì)指定現(xiàn)象的耐受性。下面概要說明各種測(cè)試。已根據(jù)這些IEC EMC規(guī)范全面測(cè)試了ADM2795E,并認(rèn)證其符合IEC EMC。

靜電放電

ESD是指靜電荷在不同電位的實(shí)體之間的突然傳輸,由靠近接觸或電場(chǎng)感應(yīng)引起。其特征是在短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生高電流。IEC 61000-4-2測(cè)試的主要目的是確定系統(tǒng)在工作過程中對(duì)系統(tǒng)外部ESD事件的抗擾度。IEC 61000-4-2介紹了使用兩種耦合方法的測(cè)試,即接觸放電和氣隙放電。接觸放電要求放電槍與受測(cè)單元直接接觸。在氣隙放電測(cè)試期間,放電槍的充電電極朝向受測(cè)單元移動(dòng),直到氣隙上發(fā)生電弧放電。放電槍不與受測(cè)單元直接接觸。氣隙測(cè)試的結(jié)果和可重復(fù)性會(huì)受到多種因素的影響,包括濕度、溫度、氣壓、距離和放電槍逼近受測(cè)單元的速率。氣隙放電測(cè)試方法能夠更好地反映實(shí)際ESD事件,但可重復(fù)性不及接觸放電測(cè)試。因此,接觸放電是首選測(cè)試方法。

測(cè)試期間,數(shù)據(jù)端口須經(jīng)受至少10次正極放電和10次負(fù)極放電,脈沖之間間隔最短為1秒。測(cè)試電壓的選擇取決于系統(tǒng)端環(huán)境。

圖2所示為IEC 61000-4-2規(guī)范所述的8 kV接觸放電電流波形。一些關(guān)鍵波形參數(shù)包括小于1 ns的上升時(shí)間和大約60 ns的脈沖寬度。

圖2.IEC61000-4-2 ESD波形(8 kV)

圖3所示為針對(duì)接觸放電和氣隙放電測(cè)試ADM2795E評(píng)估板是否符合IEC 61000-4-2 ESD標(biāo)準(zhǔn)的示例測(cè)試設(shè)置。

圖3.針對(duì)GND1或GND2的IEC 61000-4-2 ESD測(cè)試

執(zhí)行測(cè)試時(shí),IEC ESD槍連接至本地總線GND2。針對(duì)GND2測(cè)試時(shí),ADM2795E對(duì)IEC 61000-4-2事件具有魯棒性,通過了標(biāo)準(zhǔn)中認(rèn)可的最高級(jí)別(4級(jí)),其定義的接觸放電電壓和氣隙放電電壓分別為±8 kV和±15 kV。

同樣,執(zhí)行測(cè)試時(shí),IEC ESD槍連接至邏輯側(cè)GND1。針對(duì)GND1的測(cè)試驗(yàn)證了ADM2795E隔離柵的魯棒性。隔離柵可承受的IEC 61000-4-2 ESD為±9 kV的接觸放電電壓和±8 kV的氣隙放電電壓。測(cè)試在收發(fā)器正常工作時(shí)執(zhí)行,ADM2795E時(shí)鐘數(shù)據(jù)為2.5 Mbps。表1和表4總結(jié)了經(jīng)認(rèn)證的測(cè)試結(jié)果。

表1.IEC 61000-4-2認(rèn)證測(cè)試結(jié)果

圖4所示為IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)中的8 kV接觸放電電流波形與人體模型(HBM) ESD 8 kV波形的對(duì)比。從圖4中可以看出,兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的波形形狀和峰值電流差異很大。與IEC 61000-4-2 8 kV脈沖關(guān)聯(lián)的峰值電流為30 A,相應(yīng)的HBM ESD峰值電流要小5倍多,為5.33A。另一差異為初始電壓尖峰的上升時(shí)間,對(duì)于IEC 61000-4-2 ESD,上升時(shí)間為1 ns,相較于與HBM ESD波形關(guān)聯(lián)的10 ns時(shí)間要快得多。與IEC ESD波形關(guān)聯(lián)的功率值顯著大于HBM ESD波形的相應(yīng)值。與規(guī)定了多個(gè)HBM ESD保護(hù)級(jí)別的其他RS-485收發(fā)器相比,具有IEC 61000-4-2 ESD額定值的ADM2795E更適用于在惡劣環(huán)境中工作。

圖4.IEC 61000-4-2 ESD波形(8 kV)與HBM ESD波形(8 kV)的對(duì)比

電快速瞬變

EFT測(cè)試要求將數(shù)個(gè)極端快速的瞬變脈沖耦合到信號(hào)線上,以代表容性耦合到通信端口的外部開關(guān)電路的瞬態(tài)干擾,這種干擾可能包括繼電器和開關(guān)觸點(diǎn)抖動(dòng),以及切換感性或容性負(fù)載引起的瞬變,所有這些在工業(yè)環(huán)境中非常常見。EC 61000-4-4中定義的EFT測(cè)試嘗試模擬因?yàn)檫@些類型的事件產(chǎn)生的干擾。

圖5顯示EFT 50 Ω負(fù)載波形。EFT波形用具有50 Ω輸出阻抗的發(fā)生器在50 Ω阻抗上產(chǎn)生的電壓來描述。輸出波形包括一個(gè)持續(xù)時(shí)間為15 ms的5 kHz高電壓瞬變脈沖群,其重復(fù)間隔為300 ms。另外也可以產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間為750 µs 的100 kHz高頻脈沖群執(zhí)行EFT測(cè)試。每個(gè)脈沖具有5 ns的上升時(shí)間和50 ns的持續(xù)時(shí)間,在波形的上升和下降沿的50%點(diǎn)之間測(cè)量。單個(gè)EFT脈沖的總能量與ESD脈沖相似。

圖5.IEC 61000-4-4 EFT 50 Ω負(fù)載波形

測(cè)試期間,這些EFT快速突發(fā)瞬變通過容性箝位器耦合到通信線路,如圖6所示。EFT通過箝位器容性耦合到通信線路,而不是直接接觸。該箝位器同樣降低了EFT發(fā)生器的低輸出阻抗所引起的負(fù)載。箝位器和電纜之間的耦合電容取決于電纜直徑、屏蔽和絕緣。EFT箝位器邊緣放置在距受測(cè)設(shè)備(EUT) EVAL-ADM2795EEBZ評(píng)估板50 cm的位置。EFT發(fā)生器設(shè)置為輸出5 kHz或100 kHz重復(fù)EFT突波。在5 kHz和100 kHz測(cè)試設(shè)置下測(cè)試EVAL-ADM2795EEBZ。

EFT箝位器連接至GND2時(shí),EVAL-ADM2795EEBZ對(duì)IEC 61000-4-4 EFT瞬變具有魯棒性,保護(hù)級(jí)別達(dá)到了標(biāo)準(zhǔn)中認(rèn)可的最高級(jí)別(4級(jí)),其定義的電壓級(jí)別為±2 kV。IEC 61000-4-4箝位器連接至GND1時(shí),EVAL-ADM2795EEBZ對(duì)IEC 61000-4-4 EFT瞬變具有魯棒性,承受的電壓可達(dá)±2 kV。測(cè)試在收發(fā)器正常工作時(shí)執(zhí)行,EVAL-ADM2795EEBZ時(shí)鐘數(shù)據(jù)為2.5 Mbps。無論是否將RS-485電纜屏蔽設(shè)置為連接至GND2,表2中所示的結(jié)果均有效。EVAL-ADM2795EEBZ可承受高達(dá)±2 kV的IEC 61000-4-4 EFT而不損壞。表2和表4總結(jié)了經(jīng)認(rèn)證的測(cè)試結(jié)果。

表2.IEC 61000-4-4認(rèn)證測(cè)試結(jié)果

圖6.針對(duì)GND1或GND2的IEC 61000-4-4 EFT測(cè)試

浪涌

浪涌瞬變由開關(guān)或雷電瞬變產(chǎn)生的過壓引起。開關(guān)瞬變的原因可以是電源系統(tǒng)切換、電源分配系統(tǒng)的負(fù)載變化或短路等各種系統(tǒng)故障。雷電瞬變的原因可以是附近的雷擊將高電流和電壓注入電路中。IEC 61000-4-5定義了用于評(píng)估對(duì)這些破壞性浪涌的抗擾度的波形、測(cè)試方法和測(cè)試級(jí)別。

波形規(guī)定為開路電壓和短路電流形式的波形發(fā)生器輸出。RS-485端口主要使用1.2/50 µs波形,本部分將予以介紹。波形發(fā)生器的有效輸出阻抗為2 Ω,因此浪涌瞬變相關(guān)的電流非常高。

圖7.IEC 61000-4-5浪涌1.2 µs/50 μs波形

圖7所示為1.2 µs和50 μs浪涌瞬變波形。ESD和EFT擁有類似的上升時(shí)間、脈沖寬度和能量級(jí)別,但浪涌脈沖的上升時(shí)間為1.25 µs,脈沖寬度為50 µs。

此外,浪涌脈沖能量比ESD或EFT脈沖的能量高出三到四個(gè)數(shù)量級(jí)。因此,浪涌瞬變被認(rèn)為是最嚴(yán)重的EMC瞬變。

IEC 61000-4-5浪涌測(cè)試涉及使用耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)(CDN),以便將浪涌瞬變耦合至RS-485 A和B總線引腳。半雙工RS-485器件的耦合網(wǎng)絡(luò)包含A和B線路上的80 Ω電阻以及耦合器件。電阻并聯(lián)總和為40 Ω。耦合器件可以是電容、氣體放電器、箝位器件或可使EUT在應(yīng)用測(cè)試期間正確工作的任何方法。浪涌測(cè)試期間,將5個(gè)正脈沖和5個(gè)負(fù)脈沖施加于數(shù)據(jù)端口,各脈沖間隔最長(zhǎng)時(shí)間為1分鐘。標(biāo)準(zhǔn)要求器件在測(cè)試期間必須設(shè)置為正常工作狀態(tài)。圖8顯示浪涌測(cè)試的測(cè)試設(shè)置。測(cè)試在收發(fā)器正常工作時(shí)執(zhí)行,ADM2795E時(shí)鐘數(shù)據(jù)為2.5 Mbps。

IEC浪涌發(fā)生器連接至GND2時(shí),ADM2795E對(duì)IEC 61000-4-5事件具有魯棒性,保護(hù)級(jí)別達(dá)到了標(biāo)準(zhǔn)中認(rèn)可的最高級(jí)別(4級(jí)),其定義的峰值電壓為±4 kV。

IEC浪涌發(fā)生器連接至GND1時(shí),ADM2795E對(duì)IEC 61000-4-5事件具有魯棒性,承受的浪涌電壓可達(dá)4.0 kV。ADM2795E可承受高達(dá)4.0 kV的IEC 61000-4-5浪涌電壓而不損壞,且數(shù)據(jù)傳輸中無位錯(cuò)誤。針對(duì)GND1的測(cè)試驗(yàn)證了ADM2795E隔離柵的魯棒性。表3和表4總結(jié)了經(jīng)認(rèn)證的測(cè)試結(jié)果。

表3.IEC 61000-4-5認(rèn)證測(cè)試結(jié)果

圖8.針對(duì)GND1或GND2的IEC 61000-4-5浪涌測(cè)試

表4所示為達(dá)到了所述IEC系統(tǒng)級(jí)EMC標(biāo)準(zhǔn)的ADM2795E性能和分類。

性能與各個(gè)分類的對(duì)應(yīng)如下所示:

•A類:正常工作

•B類:性能暫時(shí)喪失(位錯(cuò)誤)

•C類:系統(tǒng)需要復(fù)位

•D類:功能永久喪失

表4.ADM2795E的EMC認(rèn)證系統(tǒng)級(jí)分類匯總

IEC 61000-4-6傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試適用于在存在射頻場(chǎng)的環(huán)境中工作或連接至主電源或其他網(wǎng)絡(luò)(信號(hào)或控制線路)的產(chǎn)品。傳導(dǎo)干擾源為來自射頻發(fā)射器的電磁場(chǎng),可作用于連接至已安裝設(shè)備的整個(gè)電纜。

在IEC 61000-4-6測(cè)試中,射頻電壓從150 kHz階躍至80 MHz或100 MHz。射頻電壓由1 kHz正弦波進(jìn)行80%的幅度調(diào)制(AM)。針對(duì)3級(jí)(10 V的最高測(cè)試級(jí)別)測(cè)試第一個(gè)EVAL-ADM2795EEBZ評(píng)估板。對(duì)于IEC 61000-4-6測(cè)試,使用表5中詳述的箝位器施加應(yīng)力信號(hào)。箝位器放置在兩個(gè)ADM2795E收發(fā)器之間的通信電纜上。對(duì)于所有測(cè)試,設(shè)備和EUT設(shè)置均為表5和圖9中所述的設(shè)置。

表6所示為EUT通過了IEC 61000-4-6 3級(jí)的測(cè)試結(jié)果。對(duì)于所有測(cè)試,IEC 61000-4-6箝位器均放置在EUT(EVAL-ADM2795EEBZ)上,電纜屏蔽浮空或接地。第二個(gè)EVAL-ADM2795EEBZ(輔助設(shè)備)放置在網(wǎng)絡(luò)上以端接通信總線。IEC 61000-4-6發(fā)生器箝位器連接至EVAL-ADM2795EEBZ EUT的GND1或GND2以為IEC 61000-4-6瞬變電流提供返回電流路徑。

已測(cè)試且認(rèn)證ADM2795E評(píng)估板通過了IEC 61000-4-6傳導(dǎo)輻射抗擾度測(cè)試3級(jí)(10 V/m rms,采用表6中所述的多種配置)。

表5.IEC 61000-4-6 EUT和設(shè)備

表6.IEC 61000-4-6認(rèn)證測(cè)試結(jié)果

圖9.針對(duì)GND1或GND2的IEC 61000-4-6傳導(dǎo)輻射抗擾度示例測(cè)試設(shè)置測(cè)試

IEC 61000-4-3輻射射頻抗擾度

針對(duì)IEC 61000-4-3的測(cè)試可確保電子設(shè)備對(duì)常發(fā)生的輻射射頻場(chǎng)具有抗擾性。在工業(yè)應(yīng)用中,發(fā)出常發(fā)生的意外射頻的一些設(shè)備包括電動(dòng)機(jī)和電焊機(jī)。

在IEC 61000-4-3測(cè)試中,由屏蔽消聲室中的天線使用預(yù)校準(zhǔn)場(chǎng)(掃頻從80 MHz至2.7 GHz)生成輻射射頻場(chǎng)。射頻電壓在1 kHz下進(jìn)行80%的幅度調(diào)制。EUT的各個(gè)面均經(jīng)受垂直和水平極化。

圖10所示為EVAL-ADM2795EEBZ的測(cè)試設(shè)置,EUT放置在電波暗室中,通過兩塊9 V電池供電。EVAL-ADM2795EEBZ板上調(diào)節(jié)器用于為VDD1和VDD2提供5.0 V電壓。測(cè)試期間,EVAL-ADM2795EEBZ載有120 Ω的端接電阻。模式發(fā)生器為ADM2795E TxD引腳提供2.5 Mbps的數(shù)據(jù)輸入。ADM2795E接收器輸出(RxD)通過示波器進(jìn)行監(jiān)控。

選擇的通過標(biāo)準(zhǔn)為在存在IEC 61000-4-3輻射射頻場(chǎng)時(shí),RxD信號(hào)的位寬變化小于10%。

已測(cè)試且認(rèn)證EVAL-ADM2795EEBZ評(píng)估板通過了IEC 61000-4-3輻射射頻抗擾度測(cè)試4級(jí)(30 V/m)。4級(jí)為IEC 61000-4-3標(biāo)準(zhǔn)中的最高級(jí)別。

圖10.IEC 61000-4-3輻射抗擾度測(cè)試

IEC 61000-4-8磁場(chǎng)抗擾度

針對(duì)IEC 61000-4-8的測(cè)試可確保電子設(shè)備對(duì)常發(fā)生的磁場(chǎng)具有抗擾性。典型工業(yè)通信應(yīng)用中的磁場(chǎng)源為接近設(shè)備的電源線電流或50 Hz或60 Hz變壓器。

在IEC 61000-4-8測(cè)試中,通過測(cè)試電流發(fā)生器驅(qū)動(dòng)大型線圈(感應(yīng)線圈)產(chǎn)生定義磁場(chǎng)強(qiáng)度的受控磁場(chǎng)。EUT放置在感應(yīng)線圈中心,使其經(jīng)受磁場(chǎng)。

圖11所示為EVAL-ADM2795EEBZ的測(cè)試設(shè)置,EUT放置在電波暗室中,通過兩塊9 V電池供電。EVAL-ADM2795EEBZ板上調(diào)節(jié)器用于為VDD1和VDD2提供5.0 V電壓。測(cè)試期間,EVAL-ADM2795EEBZ載有120 Ω的端接電阻。模式發(fā)生器為ADM2795E TxD引腳提供2.5 Mbps的數(shù)據(jù)輸入。ADM2795E接收器輸出(RxD)通過示波器進(jìn)行監(jiān)控。選擇的通過標(biāo)準(zhǔn)為在存在IEC 61000-4-8磁場(chǎng)時(shí),RxD信號(hào)的位寬變化小于10%。

已測(cè)試且認(rèn)證EVAL-ADM2795EEBZ評(píng)估板通過了IEC 61000-4-8磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試5級(jí)(100 A/m)。5級(jí)為IEC 61000-4-8標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高級(jí)別。

圖11.IEC 61000-4-8磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試

過壓故障保護(hù)

ADM2795E是首款在3 V至5.5 V的VCC工作范圍內(nèi)提供故障保護(hù)的RS-485收發(fā)器,且無需仔細(xì)檢查RS-485收發(fā)器的邏輯引腳狀態(tài)(TxD輸入、DE和)。收發(fā)器在±25 V的整個(gè)擴(kuò)展共模工作范圍內(nèi)也受故障保護(hù)。

ADM2795E RS-485驅(qū)動(dòng)器輸出和接收器輸入受–42 V至+42 V AC/DC峰值范圍內(nèi)的任何電壓的短路保護(hù)。故障狀態(tài)中的最大電流為±250 mA。RS-485驅(qū)動(dòng)器包括折返限流電路,該電路可減小電壓超出收發(fā)器的±25 V共模范圍限制時(shí)的驅(qū)動(dòng)器電流。折返特性引起的這一電流減少可實(shí)現(xiàn)更好的功耗和熱效應(yīng)管理。

±42 V接線錯(cuò)誤保護(hù)

ADM2795E在未安裝RS-485端接或總線偏置電阻的總線上運(yùn)行時(shí)將受到高壓接線錯(cuò)誤事件保護(hù)。典型的接線錯(cuò)誤事件為高壓24 V AC/DC電源直接連接至RS-485總線引腳連接器。ADM2795E可在RS-485總線引腳上承受相對(duì)于GND2峰值高達(dá)±42 V的接線錯(cuò)誤故障而不損壞。在ADM2795E RS-485 A和B總線引腳上確保接線錯(cuò)誤保護(hù),且在連接器和總線引腳進(jìn)行熱插拔時(shí)確保該保護(hù)。表7和表8總結(jié)了ADM2795E提供的高壓接線錯(cuò)誤保護(hù)。通過±42 V DC和±24 V ± 20% rms(50 Hz或60 Hz),采用熱插拔和DC斜坡測(cè)試波形測(cè)試ADM2795E。在電源供電和不供電的情況下執(zhí)行測(cè)試,RS-485 TxD輸入、DE和使能引腳采用多種不同的狀態(tài)。RS-485總線引腳可承受引腳A到地、引腳B到地以及引腳A和引腳B之間的高壓接線錯(cuò)誤。

表7.接線錯(cuò)誤保護(hù)表縮略語

表8.高壓接線錯(cuò)誤保護(hù)

1 這是引腳A和GND2、引腳B和GND2或引腳A和引腳B之間的AC/DC接線錯(cuò)誤峰值電壓。

2 VA指引腳A上的電壓,VB指引腳B上的電壓。

RS-485網(wǎng)絡(luò)偏置和端接

對(duì)于安裝了偏置和端接電阻的RS-485 A和B總線引腳上的高壓接線錯(cuò)誤,偏置網(wǎng)絡(luò)到ADM2795E電源VDD2引腳之間具有電流路徑。為了在這種情況下保護(hù)ADM2795E,器件配有集成VDD2保護(hù)電路。

ADM2795E為一款具有故障保護(hù)的RS-485器件,同時(shí)也為其電源引腳提供保護(hù)。該故障保護(hù)意味著通過R1上拉電阻的電流路徑不會(huì)對(duì)VDD2引腳造成損壞,但如果不采用適當(dāng)?shù)念~定功率,上拉電阻本身可能損壞(見圖12)。R1上拉電阻功率額定值取決于接線錯(cuò)誤電壓和電阻值。

如果圖12的總線設(shè)置中A和B引腳之間存在接線錯(cuò)誤,則ADM2795E會(huì)受保護(hù),但如果不采用適當(dāng)?shù)念~定功率,則RT總線端接電阻可能損壞。RT端接電阻功率額定值取決于接線錯(cuò)誤電壓和電阻值。

圖12.具有總線端接和偏置電阻的ADM2795E的高壓接線錯(cuò)誤保護(hù)

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