摘要：介紹了一種基于IGBT串聯(lián)技術的頻率可調的高壓陡前沿脈沖發(fā)生裝置。并針對串級型結構的固體開關式脈沖發(fā)生器存在的可靠性受同步驅動、均壓等技術條件影響嚴重的問題,提出了利用光纖連接器提高驅動信號同步性等解決方案。利用OrCAD\PSpice軟件對電路的仿真和與實際測試波形的對比結果證明,該裝置工作可靠，輸出脈沖電壓峰峰值為±5kV，頻率為1kHz～10kHz可調，脈沖前沿到達200納秒以內。 敘詞：納秒級脈沖前沿 IGBT串聯(lián) 光纖連接器 Abstract：This paper describe a frequency-adjustable high voltage steep rise time pulse generator based on the technology of IGBTs series. For the reliability of solid-state and series switch which is deeply affected by synchronous driver and voltage balance, switch driver synchronous circuits are presented, optical fibers are applied to transfer drive signal for IGBTs on floating voltage. Finally, with the simulation software OrCAD\PSpice, a simplified modulator model is established. Simulative waves confirms with modulator's actual performance well. Experiment proves that the modulator could work reliably. The output parameters are as fellow: the voltage output is 5kV,the rise time of the pulse is less than 200nsthe frequency of the pulse is adjustable from 1kHz10kHz. Keyword：Nanosecond rise time pulse, IGBT series connection, Fiber connection
    1、引言

  目前，在大功率、高頻率、窄脈沖的應用領域中利用的基本都是真空管，如：二次電子發(fā)射管、放電間隙開關、觸發(fā)管、氫閘管等。主要研究方向是如何提高電真空器件的開關速度，減小其觸發(fā)晃動，研制與其相配的高速高壓驅動電路。但是真空電子管這類器件存在損耗大、驅動電路龐大、冷卻麻煩等缺點；同時，為了在速調管打火時對其進行快速保護，還經(jīng)常需要在調制器中設置復雜的撬棒管及其觸發(fā)電路，這些問題直接影響調制器的效率和可靠[1]。近年來，由于半導體器件的電壓和功率等級不斷提升，相關技術也在逐步完善，為解決上述問題創(chuàng)造了條件?；谠擁椉夹g發(fā)展趨勢，本文設計了一種新型高壓快脈沖發(fā)生器。

    2、輸出指標和基本結構

    高電壓、快脈沖和高重復率是脈沖功率裝置的發(fā)展方向。高頻化是減小系統(tǒng)體積的一個有效途徑。本設計采用IGBT做為主開關器件，輸出脈沖電壓峰峰值為±5kV，頻率為1kHz～10kHz可調，脈沖前沿200ns。
本高壓快脈沖發(fā)生器的設計主要分為三部分：

    （1）可調高壓直流發(fā)生器：使用工頻交流電為電源，在低壓部分經(jīng)過整流、逆變電路產(chǎn)生低壓脈沖，經(jīng)脈沖變壓器升壓，成為高壓脈沖再經(jīng)不可控整流為高壓直流。再將其作為高壓直流電源提供給最后的高壓脈沖發(fā)生部分。可調高壓直流發(fā)生器結構如圖1所示。

圖1 可調高壓直流發(fā)生器結構圖

    （2）高壓脈沖發(fā)生部分：將高壓直流電源提供的直流高壓送入可控開關器件，產(chǎn)生所需要的高壓脈沖。

    （3）高壓逆變控制和驅動部分：控制高壓逆變過程中的開關器件的開通與關斷。在控制方面采用基于PWM控制方法的芯片SG3525。在驅動電路方面，采用三菱公司的IGBT專用驅動芯片M57962L。

    3、可調直流電壓發(fā)生電路的設計

    首先將工頻交流電整流，拓撲結構選用的是半控橋式整流電路，開關器件選用的是雙向晶閘管BTA20。單相半控橋式整流電路整流電壓平均值如下式所示：
       
    根據(jù)該公式，采用相位控制方式，即通過對低壓整流部分使用的晶閘管的開通角進行控制，得到幅值可調的直流低壓?？刂菩酒x用SIEMENS公司的TCA785相位控制專用芯片。同時，為了準確的識別交流電壓零點，設計了零點識別電路。低壓整流及控制電路原理圖如圖2所示。[!--empirenews.page--]

圖2 低壓整流及控制電路原理圖

    低壓逆變電路拓撲結構采用半橋逆變電路，開關器件選用電力場效應管MOSFET，型號為IRF840。MOSFET的快速關斷過程中，線路中由于配線等原因而產(chǎn)生的電感中積蓄的能量釋放和輔助回路中續(xù)流二極管反向恢復產(chǎn)生很高的浪涌電壓。采取加緩沖電路的形式抑制或減小浪涌電壓的幅值。本設計中緩沖電路為RCD關斷緩沖電路，用于吸收器件的關斷過電壓和換向過電壓，抑制du/dt，減小關斷損耗。

    4、高壓脈沖形成電路的設計

    高壓逆變電路的拓撲結構選擇電壓型半橋式逆變電路。由于經(jīng)過高壓整流后的直流電壓為10kV，所以電路中開關管的每個橋臂耐壓等級都要在10kV以上，因此開關器件要選擇耐壓高，動作快的器件。目前，在高壓應用中，IGBT無疑是最好的選擇。盡管IGBT的耐壓級別比MOSFET要高很多，但是目前商用IGBT的最大耐壓也不超過6500V，仍然也無法滿足需要。同時IGBT隨著單管耐壓的提高，開關損耗增大，開關速度也隨之下降，所以開關橋臂決定采用串聯(lián)IGBT以達到耐壓要求。最后選擇FUJI公司的IGBT作為主電路的開關，型號為1MBH60-170，其最大關斷電壓為1700V，額定工作電流60A，飽和壓降VGE(SAT)為3.2V。在實際電路中，會在每個橋臂上個串聯(lián)10個該型號的IGBT。高壓逆變電路結構圖如圖3所示：

圖3 高壓逆變電路結構圖

    IGBT串聯(lián)使用是一種較為有效的提高耐壓的方法。理論上在IGBT器件參數(shù)、觸發(fā)時間相同的情況下，根據(jù)相應的耐壓值，可以將任意多的器件進行串聯(lián)使用以滿足實際需要。但在IGBT串聯(lián)提高耐壓的同時也帶來了相應的問題，當IGBT處于關斷狀態(tài)時，漏電流較大的IGBT的漏電阻較小，相應承擔比較小的電壓，反之具有較高漏電阻的IGBT將承受較大的電壓。這樣就導致斷態(tài)時IGBT串聯(lián)組單元的電壓分配不均，有可能導致斷態(tài)時漏電阻較低IGBT還未發(fā)揮其耐壓能力，而漏電阻較高的IGBT則由于過電壓而毀壞。

    IGBT靜態(tài)均壓的目的是在阻斷狀態(tài)下，確保IGBT串聯(lián)組單元的電壓均衡，我們采用在每個IGBT單元兩端并聯(lián)電阻的方式實現(xiàn)。即若IGBT兩端并聯(lián)的電阻R遠小于IGBT單元的漏電阻，則串聯(lián)IGBT的電壓分配就主要取決于并聯(lián)電阻R的值。但是R值取得過小的話，流過電阻的電流就比較過大，導致電阻上消耗功率增大，所以R值取得又不能過小。選取合適均壓電阻R后，各IGBT兩端電壓達到均衡，實現(xiàn)串聯(lián)IGBT靜態(tài)均壓的目的[3]。

    在IGBT關斷的瞬間，由于IGBT柵極電荷和輸出電容的不同，導致IGBT的關斷速度有差異。柵極電荷少、輸出電容小的IGBT容易關斷且關斷時間比較短，反之就比較長。因此，最先關斷的IGBT必然承受最高的動態(tài)電壓，這就有可能導致IGBT的過電壓毀壞。開通時刻，因為觸發(fā)裝置的誤差等原因，IGBT串聯(lián)組單元的開通時間也不可能完全一致，最后開通的IGBT必然承受最高的動態(tài)電壓，這也可能導致IGBT的過電壓毀壞。[!--empirenews.page--]

    IGBT動態(tài)均壓的目的是在IGBT開通和關斷狀態(tài)下，確保IGBT串聯(lián)組單元的動態(tài)電壓均衡。本文對于IGBT動態(tài)電壓不均衡的問題是通過瞬態(tài)電壓抑制器，即TVS（Transient Voltage Suppressor），型號為1.5KE200CA解決的。實際應用中，將5個該型號的TVS串聯(lián)起來，并聯(lián)在IGBT串聯(lián)組單元兩端來保證動態(tài)電壓的均衡。加載均壓措施后的IGBT串聯(lián)單元結構如圖4所示[3]。

圖4 加載均壓措施后的IGBT串聯(lián)單元結構圖

    5、IGBT的同步驅動和高壓隔離

    高壓脈沖發(fā)生電路中IGBT是串聯(lián)應用，所以對IGBT串聯(lián)組各單元觸發(fā)信號的同步性，準確性有著較高的要求。同時高壓逆變電路與控制電路的電壓級別相差很大，各個IGBT單元都處于高電位，所以主電路與控制電路之間以及各個IGBT驅動電路之間必須采取相應的隔離措施。

    為了實現(xiàn)控制電路和主電路之間的電隔離，使用光纖連接器來實現(xiàn)驅動控制信號的傳遞。整個光纖連接系統(tǒng)主要由光發(fā)射端、光接收端、光驅動器和光纖4部分組成。其工作原理與光耦基本一致。即光發(fā)送器中的發(fā)光二極管發(fā)出的PWM光信號進入光纖，沿著光纖到光接受端，然后由檢測器將光信號轉換為數(shù)字輸出信號，從而完成信號的傳輸過程?，F(xiàn)在市場上的光纖收發(fā)器產(chǎn)品以安捷倫(Agilent)公司的較多。通過比較，決定選用型號為HFBR-2524、HFBR-1524的光纖收發(fā)器，其1MBd的信號傳輸率足以滿足傳遞PWM信號的需要[6]?？刂婆c光纖連接電路原理圖如圖5所示：

圖5 控制電路與光纖連接電路原理圖

    針對IGBT的驅動，國外許多公司都設計制造了專用的IC芯片。通過以上對于IGBT驅動的分析，最終選擇三菱公司的專用芯片M57962L作為IGBT驅動芯片。M57962L驅動器能夠通過檢測IGBT的飽和管壓降來確定IGBT是否處于過壓狀態(tài)來保護IGBT。該器件共有14根引腳，其中2、3、7、9、10、11、12腳為空腳。驅動電路如圖6所示[3]。

圖6 IGBT驅動電路原理圖

                    (a)

                     (b)
圖7  (a) 輸出脈沖電壓波形圖,
(b)輸出脈沖電壓前沿波形圖

    輸出脈沖前沿波形圖如圖7(b)所示，從圖中可以看出，脈沖電壓在50.10μs時從0V開始上升，到50.25μs前上升到5kv。上升時間為150ns左右。

    6、結論

    輸出脈沖電壓波形如圖7（a）所示，脈沖電壓幅值為±5kV，頻率為10kHz，占空比約為40%。本文設計的高壓陡前沿脈沖發(fā)生器經(jīng)實驗證明，輸出脈沖幅度為±5kV，頻率為1kHz至10kHz可調，脈沖前沿為150ns，達到設計要求。同時IGBT串聯(lián)均壓問題得到基本解決，驅動信號同步性得到改善。本脈沖發(fā)生器結構簡單，造價較低廉，使用簡單。但在運行的可靠性，以及IGBT的驅動信號同步性上應在未來的研究和實驗中進一步探索。