很多同學(xué)便把這個(gè)結(jié)論應(yīng)用于所有場(chǎng)景，這是不對(duì)的，今日特撰新文，補(bǔ)充、拓寬下電阻噪聲的問(wèn)題，以及使用采樣電阻的注意事項(xiàng)（ir drop+0 Ωpdn），環(huán)環(huán)相扣，歡迎點(diǎn)贊、收藏、轉(zhuǎn)發(fā)。正所謂陰在陽(yáng)之內(nèi)，不在陽(yáng)之對(duì)。凡事有壞...

電線在攜帶電力四處移動(dòng)方面有很多優(yōu)點(diǎn)，但它也有缺點(diǎn)。畢竟，對(duì)于反復(fù)插拔手機(jī)和其他可充電小型設(shè)備，誰(shuí)沒(méi)有過(guò)心生厭倦呢？這確實(shí)很麻煩。

傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...

為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來(lái)更多的工程洞見(jiàn)。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...

2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制，使其成為...

為增進(jìn)大家對(duì)電池的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)電池的幾個(gè)性能參數(shù)予以介紹。

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)時(shí)間太長(zhǎng)，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開(kāi)關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開(kāi)關(guān)器件，這個(gè)問(wèn)題...

摘 要 : 目前 , 10 kV母線三相電壓不平衡時(shí)有發(fā)生 ,表現(xiàn)為一相或兩相對(duì)地電壓升高 ,其余相降低。不平衡的電壓影響調(diào)度員對(duì)于 線路是否接地的判斷 ,亦有可能造成線路、主變保護(hù)電壓閉鎖功能的失效 ,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?..