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[導(dǎo)讀]變壓器繞組繞在磁芯骨架上,特別是饒組的層數(shù)較多時,不可避免的會產(chǎn)生分布電容,由于變壓器工作在高頻狀態(tài)下,那么這些分布電容對變壓器的工作狀態(tài)將產(chǎn)生非常大的影響,如引起波形產(chǎn)生振蕩,EMC變差,變壓器發(fā)熱等。

變壓器繞組繞在磁芯骨架上,特別是饒組的層數(shù)較多時,不可避免的會產(chǎn)生分布電容,由于變壓器工作在高頻狀態(tài)下,那么這些分布電容對變壓器的工作狀態(tài)將產(chǎn)生非常大的影響,如引起波形產(chǎn)生振蕩,EMC變差,變壓器發(fā)熱等。

  所以,我們很有必要對變壓器的分布電容狠狠的研究一把,下面我們就對這個分布電容來展開討論。

  分布電容既然有危害,那么我們就要設(shè)法減小這個分布電容的影響,首先我們來分析下分布電容的組成。

  變壓器的分布電容主要分為4個部分:繞組匝間電容,層間電容,繞組電容,雜散電容,下面我們來分別介紹。

  首先講講繞組匝間電容

  我們知道電容的基本構(gòu)成就是兩塊極板,當(dāng)兩塊極板加上適當(dāng)?shù)碾妷簳r,極板之間就會產(chǎn)生電場,并儲存電荷。

  那么,我們是否可以把變壓器相鄰兩個繞組看成連個極板呢?答案是可以的,這個電容就是繞組匝間電容。

  以變壓器初級繞組為例,當(dāng)直流母線電壓加在繞組兩端時,各繞組將平均分配電壓,每匝電壓為 Vbus/N,也就是說每匝之間的電壓差也是Vbus/N。當(dāng)初級MOS管開關(guān)時,此電壓差將對這個匝間電容反復(fù)的充放電,特別是大功率電源,由于初級匝數(shù)少,每匝分配的電壓高,那么這個影響就更嚴重。

  但總的來說,匝間電容的影響相對于其他的分布電容來說,幾乎可以忽略。

  要減小這個電容的影響,我們可以從電容的定義式中找到答案:

  C=εS/4πkd

  其中 C:繞組匝間電容量

  ε:介電常數(shù),由兩極板之間介質(zhì)決定

  S:極板正對面積

  k:靜電力常量

  d:極板間的距離

  從上式我們可以看出,可以選用介電常數(shù)較低的漆包線來減小匝間電容,也可以增大繞組的距離來減小匝間電容,如采用三重絕緣線。

  接下來我們來看看看繞組的層間電容,這里的層間電容指的是每個單獨繞組各層之間的電容。

  我們知道,在計算變壓器時,一般會出現(xiàn)單個繞組需要繞2層或2層以上,那么此時的每2層之間都會形成一個電場,即會產(chǎn)生一個等效電容效應(yīng),我們把這個電容稱為層間電容。

  如下圖:

  

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  電容C就是層間電容

  層間電容是變壓器的分布電容中對電路影響最重要的因素,因為這個電容會跟漏感在MOSFET開通于關(guān)閉的時候,產(chǎn)生振蕩,從而加大MOSFET與次級Diode的電壓應(yīng)力,使EMC變差。

  既然有害處,那么我們就需要想辦法來克服它,把它的影響降低到可以接受的范圍。

  方法一:參照6樓的公式,在d上作文章,增大繞組的距離來減小層間電容,最有代表性的就是采用三重絕緣線。

  但這個方法有缺點,因為線的外徑粗了之后,帶來的后果就是繞線層數(shù)的增加,而這不是我們想看到的。

  方法二:可以通過選擇繞線窗口比較寬的磁芯骨架,因為繞線窗口寬,那么單層繞線可以繞更多的匝數(shù),也意味著可以有效降低繞線的層數(shù),那么層間電容就有效降低了。

  這個是最直接的,也是最有效的。

  但同樣有缺點,選擇磁芯骨架要受到電源結(jié)構(gòu)尺寸的限制。

  方法三:可以在變壓器繞線工藝上來作文章

  可以采用交叉堆疊繞法來降低層間電容,如下圖

  

 

  此種繞法有個顯著缺點,會增加初次級之間的耦合面積,也就是說會加大初次級繞組之間的電容,使EMC變差,有點得不償失的感覺。

  方法四:還是在繞制工藝上作文章

  先來看普通的繞法

  

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  如上圖,這個是我們常用的繞法(也叫U形繞法),我們可以清楚的看到,第1匝與第2N匝之間的壓差將非常大,在初中我們學(xué)過的物理上有講,Q=C*U,壓差越大,那么在這個電容上儲存的電荷就越多,那么這個地方的干擾電壓斜率將非常大,也就是說在這個地方形成的干擾就越大。

  我們可以采用Z形繞法來降低這個影響

  Z形繞法(也叫折疊繞法)如下

  

 

  從上圖我們可以看到,此種繞法可以顯著降低電壓斜率,對EMC時非常有利的。

  缺點就是繞制工藝相對復(fù)雜點。

  接下來說說繞組電容

  顧名思義,繞組電容就是指繞組之間產(chǎn)生的電容,比如說初級繞組Np與次級繞組Ns之間的電容

  此電容由于存在于初次級繞組之間,對電路的EMI是相當(dāng)不利的,因為初級產(chǎn)生的共模電流信號可以通過這個電容耦合到次級中去,這就造成了非常大的共模干擾;而共模干擾可能會引起電路噪音或者輸出的不穩(wěn)定。

  解決的方法一般就是在初次級之間加一個屏蔽層,并且將這個屏蔽層接到電路中的某點,來降低此電容的影響

  一般把這種屏蔽層稱為法拉第屏蔽層,一般由銅箔或繞組構(gòu)成

  在用銅箔時,我們一般用0.9T,或者1.1T,不選擇1T,因為1T的話,容易短路。

  那為何不能短路呢,短路會帶來什么樣的后果?

  將磁力線短路了,那么電感就接近零,再反射到初級,那么初級的電感也為零,這個時候初級是通電的,結(jié)果……“砰”就炸機了。

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