一種壓控恒流源的研究
1 恒流源的組成和工作原理
恒流源電路如圖1 所示。圖中A 是高精度運(yùn)放,Q1、Q2 是功率MOSFET ,負(fù)載為感性。由NE555P 構(gòu)成脈位調(diào)制器,工作于無穩(wěn)態(tài)方式,其振蕩頻率受⑤腳輸入的信號(hào)調(diào)制??刂贫刷菽_加入調(diào)制信號(hào)VΩ (該端允許外加0~ EC 的電壓) ,使定時(shí)器的閾值電平Vth1和觸發(fā)電平Vth2均隨VΩ 而變,即:
因而定時(shí)器電容C2 的充電時(shí)間和放電時(shí)間均受調(diào)制信號(hào)VΩ 的控制; ③腳輸出正脈沖的位置及脈沖寬度將隨調(diào)制信號(hào)VΩ 的變化而變化,實(shí)現(xiàn)脈沖的位置及寬度的雙重調(diào)制。
圖1 恒流源電路
控制電壓Vi 經(jīng)R1、R2 分壓后加到運(yùn)放A 的輸入端, 運(yùn)放的輸出信號(hào)作為NE555P 的調(diào)制信號(hào)。
NE555P ③腳輸出的PWM信號(hào)控制Q1 ,驅(qū)動(dòng)Q1、Q2 交替工作在開關(guān)狀態(tài);Q1 的工作頻率和占空比等于NE555P ③腳輸出電壓信號(hào)的頻率和占空比。Q2 導(dǎo)通時(shí),D 處于截止?fàn)顟B(tài),直流電壓EC 加在D 的兩端,經(jīng)LC濾波后對(duì)負(fù)載供電;Q2 截止時(shí),輸入電壓為0 ,D 在回路電感的作用下導(dǎo)通,構(gòu)成續(xù)流回路,D 還可以削弱輸出信號(hào)電壓從高電平跳變到低電平時(shí)在感性負(fù)載兩端產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)。RS 為取樣電阻。所以,控制電壓經(jīng)運(yùn)放后,控制脈位調(diào)制器輸出脈沖信號(hào)的占空比,改變Q1、Q2 的開關(guān)時(shí)間,從而控制輸出電流的大小。
由圖1 ,根據(jù)運(yùn)放的特性知:
取RS = 1Ω , R1 = 24k , R2 = 16k 時(shí),得I0 =0. 4Vi .當(dāng)輸入電壓Vi 從0~5V 變化時(shí),輸出電流I0 將在0~2A 變化。由此可見,輸出電流主要由R1 、R2 和RS 決定,與負(fù)載大小無關(guān)。
2 試驗(yàn)結(jié)果
為了測(cè)試恒流源的性能,筆者對(duì)其進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。電源選用直流12V 2A 的高精度穩(wěn)壓電源,在元件選擇上,A 選用高精度運(yùn)放,電阻選用千分之一精度的精密電阻器,取樣電阻選用溫度穩(wěn)定性好的無感線繞電阻,實(shí)驗(yàn)采用的負(fù)載為感性,其電感量為180mH、靜態(tài)電阻為4Ω ,MOSFET的參數(shù)見表1.
表1 MOSFET的參數(shù)
2. 1 輸出電流與輸入電壓的關(guān)系
當(dāng)RS = 1Ω , R1 = 24k , R2 = 16k ,輸入電壓Vi 從0~5V 變化時(shí),理論計(jì)算和實(shí)際測(cè)量的輸出電流I0 隨輸入電壓Vi 的變化關(guān)系如圖2 (吻合) ,輸出電流與輸入電壓成線性關(guān)系。
圖2 輸出電流與輸入電壓的關(guān)系[!--empirenews.page--]
2. 2 取樣電阻與輸出電流的關(guān)系
當(dāng)R1 = 24k , R2 = 16k ,輸入電壓Vi 為5V 時(shí),測(cè)得取樣電阻與輸出電流的關(guān)系如圖3.取樣電阻越小,輸出電流越大,電阻的功耗也相應(yīng)增大;反之亦然。與理論計(jì)算基本相吻合。
圖3 取樣電阻與輸出電流的關(guān)系
2. 3 其他性能的測(cè)量
測(cè)得恒流源輸出電流與PWM 信號(hào)占空比成線性關(guān)系,占空比越大,輸出電流越大(見圖4) ;紋波電流< 3mA ;負(fù)載調(diào)整率< 1 %.
圖4 占空比與輸出電流的關(guān)系
3 結(jié)論
選擇適當(dāng)元件參數(shù),當(dāng)控制電壓從0~5V 變化時(shí),該恒流源電路的輸出電流I0 將在0~ + 2A 范圍內(nèi)連續(xù)變化;電源的效率高,線性度好,具有結(jié)構(gòu)簡單、安全(輸出電壓< 12V) 、穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。此恒流源可作為磁流變阻尼器的驅(qū)動(dòng)電源,也可應(yīng)用于其他領(lǐng)域。