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[導(dǎo)讀]此時,運(yùn)放輸出端電壓基本控制在0.6—0.9V之間,即使TL061也可達(dá)到0.016%,OP07更可達(dá)到0.0001%。如果將運(yùn)放電源VCC與連接負(fù)載的電源VP分開,連接負(fù)載的電源VP為24V,

此時,運(yùn)放輸出端電壓基本控制在0.6—0.9V之間,即使TL061也可達(dá)到0.016%,OP07更可達(dá)到0.0001%。

如果將運(yùn)放電源VCC與連接負(fù)載的電源VP分開,連接負(fù)載的電源VP為24V,電流源的輸出電壓便可達(dá)到20V以上。

可是,三極管的電流增益畢竟是有限的,即使是達(dá)林頓組態(tài)也不過1000,超beta管(通常用在雙極運(yùn)放輸入端)最大也不過10000,IB總會出現(xiàn),而且IB通過Rsample流入地,造成Vsample里出現(xiàn)誤差。誤差即1/電流增益。

NS有個電路避免了這個問題,使用JFET與NPN構(gòu)成一個無需電流驅(qū)動的達(dá)林頓組態(tài)。

 

 

圖13

然而小功率JFET或N MOS并不便宜,而功率N MOSFET并不貴,還可減少一種庫存,因此使用N MOSFET代替NPN即可。

 

 

圖14

MOSFET不需要穩(wěn)定的電流驅(qū)動,因此IG造成的Vsample誤差基本可以忽略,ID=IS,一個近乎完美的鏡像。

10W左右的N-MOSFET反而不太便宜,選用100W的IRF530也是明智的,而且為擴(kuò)充輸出功率提供了潛力。

本次增加成本:

IRF530 1只 單價3.00元,合計(jì)3.00元

合計(jì)成本:6.20元

如何選擇合適的運(yùn)放:

選擇運(yùn)放依據(jù)需求,每一種運(yùn)放都有適合的用途,而非通用。

電流源的需求:

1. Vin+=Vin-=Vsample,Vsample=300mV,任何恒溫正常工作狀態(tài)下,誤差源Vin+-Vin-應(yīng)小于Vsample的0.01%=30uV。

2. 溫度變化引起的VOS=Vin+-Vin-越小越好。精密儀器都會要求使用環(huán)境溫度范圍=25+/-10c==15-35C,因此在+/-10C范圍內(nèi)VOS變化應(yīng)小于Vsample的0.01%=30uV。

3. 穩(wěn)定電流輸出,不考慮脈沖性能,即可適當(dāng)放寬階躍響應(yīng)要求。

4. 低噪聲。

5. 價格越低越好。

這是工程上考慮問題的思路,范圍由寬至窄逐級選擇:

1. 之前的負(fù)載調(diào)整率的計(jì)算表明,Aopen越大,Vin+-Vin-越小,很高的Aopen是精密運(yùn)放的典型特征,通常Aopen》120dB=1000000,可用的運(yùn)放為:

OP07家族,包括OP07/27/37/177/A277/227。

常見的運(yùn)放如LM358/324、TL061/071/081、LF356/357/347等均不屬于精密運(yùn)放,暫不使用。

2. 精密運(yùn)放的VOS通常很小,小于1mV,VOS/dT也很小,小于2uV/C,以O(shè)P07為例,VOS/dTmax=1.6uV/C,+/-10C變化+/-16uV,滿足需求。

一定會問:為什么不用VOS/dT典型值計(jì)算(即使LM324也很小),而用最大值?

 

 

圖15

工程設(shè)計(jì)原則而言是冗余量,做工程必須留足冗余量,不留冗余量的通常是學(xué)校作品和新手作品,做工程不能賭博,要盡量考慮到最壞情況,冗余量恰好就是最大值。

理論上的解釋,VOS/dT的測量電路與實(shí)際應(yīng)用電路不同,因此典型值只能作為參考,而非標(biāo)準(zhǔn)。選擇運(yùn)放時一定要看指標(biāo)的最寬泛范圍。實(shí)際上最大值也只能作為參考,但由于沒有其他電路形式的數(shù)據(jù)支持(事實(shí)上不可操作),只能用最大值做計(jì)算依據(jù)。

OP07家族都沒有什么問題,高Aopen和低VOS、VOS/dT總是一起出現(xiàn),就像電阻的高準(zhǔn)確度和低溫漂總是一起出現(xiàn)。

OP07家族的單運(yùn)放還有一個額外的好處,可以調(diào)零。

3. 不考慮階躍響應(yīng)上升沿質(zhì)量時,無需運(yùn)放在高頻率的增益很大,對于穩(wěn)定源,運(yùn)放GBW大致1MHz上下即可。運(yùn)放后面的IRF530也非高頻率器件,因此選擇GBW很大的運(yùn)放很浪費(fèi),而且將來的頻率補(bǔ)償會相當(dāng)麻煩。當(dāng)然,如果要求電流源工作在脈沖狀態(tài)(很多半導(dǎo)體測量系統(tǒng)為避免發(fā)熱而必須采用的方式),可相應(yīng)更換運(yùn)放和MOSFET。

OP07家族里的OP27/37都是寬帶的,暫不考慮。(指標(biāo)過高,很好很好的運(yùn)放,OP37簡直是曠世杰作)

OP07/177/OPA277都是1MHz左右的運(yùn)放。

4. OP07家族噪聲足夠低。

5. 這個問題總是很棘手,但OP07很合適,物美價廉嘛。177也很好,不太貴,OPA277比較貴,但VOS/dT很低,留作備選。

還有一種精密運(yùn)放例如icl7650,斬波穩(wěn)零,原文是chopper amp。

有一些噪聲,但不大,更好的chopper amp會通過采樣把低頻噪聲量化為高頻,很容易濾除。

Aopen很高》140dB,電源范圍略小,+/-8V,既然電流源架構(gòu)并不要求運(yùn)放輸出動態(tài),也可。

最主要的VOS/dT理論上為0,實(shí)際上是長期漂移,由開關(guān)長期的性能不一致性造成。

但這種運(yùn)放一旦飽和,很難快速恢復(fù),這是個重大缺點(diǎn)。而且很貴。

暫選OP07CP,運(yùn)放總是有過多的選擇,眼花繚亂。所以多數(shù)設(shè)計(jì)者總會用最熟悉的型號,而不求新。

由于電流源里只有1個運(yùn)放,因此零漂都由運(yùn)放而來,正好是OP07調(diào)零電路最合適應(yīng)用的場合。

調(diào)零電路參見OP07 datasheet,需要做適當(dāng)改進(jìn),將20k電位器拆分為9.1k+2k電位器+9.1k,提高調(diào)整精度。

 

 

圖16

本次增加成本

OP07CP 1只 單價1.20元,合計(jì)1.20元

9.1k Ohm電阻 2只 單價0.01元,合計(jì)0.02元

2k Bouns 10圈精密微調(diào)3296電位器 1只 單價2.00元,合計(jì)2.00元。

合計(jì)3.22元

合計(jì)成本:9.42元

如何解決振蕩問題:

相信還沒有人動手,最好已經(jīng)搭好了上面提到的電路。然而卻發(fā)現(xiàn)根本不能用,不是上來就振,就是電流一大就開始振。

一頭霧水,反饋看似是負(fù)反饋,而且用NPN就基本不會振,很奇怪,也很氣憤,因?yàn)闆]有辦法,也沒有思路。

這是負(fù)反饋的固有問題,凡負(fù)反饋都有機(jī)會振蕩,只要相位出問題。

然而,還有一句話,凡負(fù)反饋的振蕩問題都可解決。先吃一顆定心丸。

解決振蕩問題就是剪裁頻率響應(yīng)曲線的過程。因此必須首先得到開環(huán)增益Aopen和反饋系數(shù)F的頻率響應(yīng)。

反饋系數(shù)F就是1,在波特圖上是0dB線。

開環(huán)增益Aopen麻煩一點(diǎn),根據(jù)39樓電路,首先畫出小信號等效電路。

開環(huán)分為三部分:

1. 運(yùn)放

2. MOSFET輸入

3. MOSFET輸出

 

 

圖17

這個電路的傳遞函數(shù)由于Cgs不接地并且與壓控電流源gmVgs耦合而不太好算,在學(xué)校帶畢設(shè)的時候曾經(jīng)讓一個學(xué)生推過一次,就是不知道二極管符號幾個三角的學(xué)生。他很嚴(yán)謹(jǐn)而且敬業(yè),不僅推出來還檢查了三遍,交給學(xué)校培養(yǎng)真是浪費(fèi)了。

傳遞函數(shù)算出來是一個一寸高兩寸寬的拉普拉斯變換,實(shí)在沒有時間再推一遍,不過如果忽略某些不太重要的量,由于Rsample很小,而與Cgs接地時差不太多。

 

 

圖18

運(yùn)放之后的Ro是運(yùn)放的輸出電阻,即運(yùn)放輸出級的限流電阻,大致在200 Ohm左右??梢杂梢韵路椒ù笾峦瞥觯?/p>

非規(guī)到軌運(yùn)放臨界飽和輸出電壓為Vcc-4V,最大輸出電流20mA左右,限流電阻約200 Ohm左右。

Cgs比較復(fù)雜,按datasheet上的說明,Ciss=760pF@Vgs=0/VDS=25V,但VDS減小和Vgs增大會使Ciss增大到約1000pF。

 

 

圖19

同時圖中省略了跨導(dǎo)電容Crss,Crss可通過密勒定理等效在輸入和輸出端的小電容,很小而忽略。[!--empirenews.page--]

gm是個問題,雖然可以查到直流gm,大致為7@Id=8A/VDS=50V,但實(shí)際用在Id=100mA/VDS《20V,根據(jù)datasheet中的輸出特性曲線可以看到在飽和區(qū)gm隨Id減小而減小,與VDS關(guān)系不大,在可變電阻區(qū),gm隨Id和VDS減小而明顯減小。gm在Id很小時大致在1-3左右。暫取2。

 

 

圖20

gm也有轉(zhuǎn)折頻率,最終產(chǎn)生fT,但這個參數(shù)很難得到,因?yàn)榇蠖鄶?shù)功率MOSFET都是用在開關(guān)狀態(tài),而且gmDC隨偏置變化很大,因此datasheet里通常不給出,但由導(dǎo)通時間,Ciss,Coss和Crss可大致推出gm的fT很高,除以gmDC即為轉(zhuǎn)折頻率,很高,大致在10MHz左右。已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出OP07的可操作范圍,因此忽略,認(rèn)為gm是不隨頻率變化的水平直線。

也可看出為什么之前不用OP37的原因,因?yàn)間m的轉(zhuǎn)折頻率恰好在OP37的操作頻率范圍內(nèi),從而造成頻率補(bǔ)償復(fù)雜度增加。

分析Aopen之一:運(yùn)放的主極點(diǎn)

運(yùn)放是多零極點(diǎn)系統(tǒng),但一般都具有2個主極點(diǎn),低頻主極點(diǎn),靠近DC,高頻主極點(diǎn),靠近GBW。圖為OP07的開環(huán)增益頻響曲線。

 

 

圖21

2個主極點(diǎn)中,高頻主極點(diǎn)通常不受重視,因?yàn)榇蠖鄶?shù)運(yùn)放的高頻主極點(diǎn)都在0dB線以下,即單位增益穩(wěn)定。反饋環(huán)路中只有1只運(yùn)放時很少遇到增益小于1的情況。因此很多運(yùn)放datasheet中高頻主極點(diǎn)都不標(biāo)出。

考慮運(yùn)放與10倍理想增益級級聯(lián)(有時是必須的),這個高頻主極點(diǎn)就會浮出水面,如果閉環(huán)增益為1,便會產(chǎn)生振蕩。

 

 

圖22

 

 

圖23

分析Aopen之二:MOSFET和Rsample

如前所述,MOSFET分為輸入和輸出兩部分,通過合理簡化,輸入的Cgs接地。

應(yīng)該感謝輸入輸出功率隔離的設(shè)計(jì)方法,不知是誰先造出了電子管,否則這部分分析會相當(dāng)復(fù)雜。

1. 輸入部分

輸入部分由Ro=200 Ohm和Cgs=1000pF構(gòu)成低通濾波器,并產(chǎn)生一個極點(diǎn)po。低頻增益為0dB,產(chǎn)生轉(zhuǎn)折頻率的極點(diǎn)po位于約800kHz。正好落在OP07 0dB以上的頻帶范圍內(nèi),因此推測與振蕩有關(guān)。

 

 

圖24

2. 輸出部分

MOSFET的電流Id=gmVgs流經(jīng)Rsample產(chǎn)生電壓gmVgsRsample,因此增益為gmRsample。由于gm的轉(zhuǎn)折頻率很高,Rsample在低頻下為理想電阻,因此gmRsample的頻率響應(yīng)為平行于0dB線的直線。

電流源輸出電流很小時,gm接近于0,因此gmRsample位于0dB線以下很低的位置。輸出電流增大造成gm增大,gmRsample不斷上移,直至最大電流時,gm=2s,Rsample=3 Ohm,gmRsample=6,移至0dB線以上。

 

 

圖25

兩部分級聯(lián)后,增益相乘,波特圖上增益相加,如下圖:

 

 

圖26

此時如果gmRsample》1,極點(diǎn)po在0dB線之上,反之則在0dB線之下。

一旦po高于0dB線,而1/F=1(0dB)且運(yùn)放自身Aopen在此頻率附近有-20dB/DEC的斜率,則po之后斜率將達(dá)到-40dB/DEC,可能產(chǎn)生振蕩。

因此推論振蕩的產(chǎn)生應(yīng)與Ro、Cgs、gm和Rsample均相關(guān)。

分析Aopen之三:為何振蕩

將運(yùn)放、MOSFET和Rsample構(gòu)成的傳遞函數(shù)級聯(lián),得到下圖的完整開環(huán)增益Aopen:

 

 

圖27

Aopen具有3個主極點(diǎn),分別為:

1. 運(yùn)放低頻主極點(diǎn)pL

2. MOSFET輸入電容造成的極點(diǎn)po

3. 運(yùn)放高頻主極點(diǎn)pH

gmRsample《1時,po在0dB線之下,系統(tǒng)穩(wěn)定。

gmRsample》1時,po在0dB線之上,系統(tǒng)振蕩。

gmRsample=1時,po=0dB,系統(tǒng)處于臨界狀態(tài)。

此問題的原因說來簡單:

gm與電流Id息息相關(guān),gm隨Id的增大而增大,因此gmRsample

可能由《1變化至》1,使極點(diǎn)po位于0dB線之上,1/F=0dB線與

Aopen的交點(diǎn)處斜率差為40dB/DEC,因此系統(tǒng)振蕩。

當(dāng)然,可通過降低Rsample避免振蕩,然而這不是治本的方法,而且會引起成本、噪聲等一系列問題。

處理振蕩時的一個基本原則,盡量首先剪裁Aopen,而后才是1/F。改變1/F可能造成系統(tǒng)瞬態(tài)性能的變化。

頻率補(bǔ)償是雙刃劍,可能造成系統(tǒng)性能下降,過分的單一補(bǔ)償會造成大量問題。因此應(yīng)盡量使用多種補(bǔ)償方法,而且每種補(bǔ)償適可而止。

本次將采用三種補(bǔ)償方法,分別解決三種問題:

1. 加速補(bǔ)償

2. 噪聲增益補(bǔ)償

3. 高頻積分補(bǔ)償

由于篇幅的原因,第一部分就先說到這里,接下來我會談到加速補(bǔ)償,校正Aopen的問題,敬請留意。

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