功率MOSFET應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源時(shí)應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題。

(1)柵極電路的阻抗非常高，易翼靜電損壞。

(2)直流輸入阻抗高，但輸入容量大，高頻時(shí)輸入阻抗低，因此，需要降低驅(qū)動(dòng)電路阻抗。

(3)并聯(lián)工作時(shí)容易產(chǎn)生高頻振蕩。

(4)導(dǎo)通時(shí)電流沖擊大，易產(chǎn)生過(guò)電流。

(5)很多情況下，不能原封不動(dòng)地用于雙極型晶體管的自激振蕩電路。

(6)寄生二極管的反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，很多情況下與場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)速度不平衡。

(7)開(kāi)關(guān)速度快而產(chǎn)生噪聲，容易使驅(qū)動(dòng)電路誤動(dòng)作，特別是開(kāi)關(guān)方式為橋接電路、柵極電路的電源為浮置時(shí)，易發(fā)生這種故障。

(8)漏極-柵極間電容極大，漏極電壓變化容易影響輸入。

(9)加有負(fù)反饋，熱穩(wěn)定性也比雙極型晶體管好，但用于電流值較小情況下不能獲得這種效果。

(10)理論上沒(méi)有電流集中而產(chǎn)生二次擊穿，但寄生晶體管因du/dt受到損壞，從而場(chǎng)效應(yīng)晶體管也受到損壞。