1、射頻LNA設(shè)計要求

低噪聲放大器(LNA)作為射頻信號傳輸鏈路的第一級，它的噪聲系數(shù)特性決定了整個射頻電路前端的噪聲性能，因此作為高性能射頻接收電路的第一級LNA的設(shè)計必須滿足：

(1)較高的線性度以抑制干擾和防止靈敏度下降;

(2)足夠高的增益，使其可以抑制后續(xù)級模塊的噪聲;

(3)與輸入輸出阻抗的匹配，通常為50Ω;

(4)盡可能低的功耗，這是無線通信設(shè)備的發(fā)展趨勢所要求的。

2、Inductive degenerate cascode結(jié)構(gòu)LNA

Inductive-degenerate cascode結(jié)構(gòu)是射頻LNA設(shè)計中使用比較多的結(jié)構(gòu)之一，因為這種結(jié)構(gòu)能夠增加LNA的增益，降低噪聲系數(shù)，同時增加輸入級和輸出級之間的隔離度，提高穩(wěn)定性。Inductive-degenerate cascode結(jié)構(gòu)在輸入級MOS管的柵極和源極分別引入兩個電感Lg和Ls，通過選擇適當?shù)碾姼兄?，使得輸入回路在電路的工作頻率附近產(chǎn)生諧振，從而抵消掉輸入阻抗的虛部。在圖1中LNA的輸入阻抗為：

(1)

當處于諧振狀態(tài)時：

(2)

那么：

(3)

輸入阻抗呈現(xiàn)純電阻特性，其值由Ls和

確定。由分析可知應(yīng)用Inductive-degenerate cascode結(jié)構(gòu)輸入阻抗得到一個50Ω的實部，但是這個實部并不是真正的電阻，因而不會產(chǎn)生噪聲，所以很適合作為射頻LNA的輸入極。

3、高穩(wěn)定度的LNA

cascode結(jié)構(gòu)在射頻LNA設(shè)計中得到廣泛應(yīng)用，但是當工作頻率較高時由于不能忽略MOS管的寄生電容Cgd，因而使得整個電路的穩(wěn)定特性變差。對于單個晶體管可通過在其輸入端串聯(lián)一個小的電阻或在輸出端并聯(lián)一個大的電阻來提高穩(wěn)定度，但是由于新增加的電阻將使噪聲值變壞，因此這一技術(shù)不能用于低噪聲放大器。

文獻對cascode結(jié)構(gòu)提出了改進，在圖1的基礎(chǔ)上通過在M2管的柵極接上一個小值的電感Lg2就可以實現(xiàn)在增益不變的情況下，提高電路的穩(wěn)定性，同時在M2管的漏極上接一個小值的電阻以調(diào)節(jié)電壓增益如圖2(a)所示。(b)所示的是小信號等效電路，其中Z1代表省略部分的等效阻抗，可以看到由于M2管的寄生電容Cgd2的值比較小，所以對于輸出端阻抗而言，Lg2幾乎可以忽略。因為放大器的增益等于輸出阻抗和輸入阻抗值之比，所以增加Lg2后并沒有影響LNA的增益，電壓增益為：

(4)

其中ZLoad=jwLout//(jwCout)-1//Rout，Zs是源端電感LS的阻抗。[!--empirenews.page--]

放大器的穩(wěn)定系數(shù)為[3]

(5)

其中Δ= S11S22-S12S21 (6)

穩(wěn)定系數(shù)K能快速給出穩(wěn)定性判別依據(jù)，當K>1，|Δ|<1時，LNA將會無條件穩(wěn)定。那么由公式(5)和(6)可知，若反向增益S12減小，那么K值將會增大，LNA將會增加穩(wěn)定性。從圖2(b)可以看到，由電感Lg2和MOS管的電容Cgd2組成一個低電阻通路使得從輸出端反饋回來的信號流向接地端，從而降低了反向增益S12，提高了LNA的穩(wěn)定度。

4、偏置電流復(fù)用結(jié)構(gòu)

現(xiàn)代無線通信設(shè)備要求具有更小尺寸，更輕重量，更長的待機時間。這就要求降低射頻前端的電源電壓，因此低電壓、低功耗技術(shù)成為迫切需要。由公式(3)可知當輸入端處于諧振時Ls=RsCgs/gml，其中Cgs是圖1中M1管柵極和源極之間的電容，gml是M1管的跨導(dǎo)，則LNA的噪聲系數(shù)為[4]：

(7)

由 (7)可知增大gml可以減小噪聲系數(shù)。圖1所示的cascode結(jié)構(gòu)可以獲得較小的噪聲系數(shù)，但是往往需要比較大的漏極電流Id，增大了直流功耗。文獻 [4]中提出了偏置電流復(fù)用技術(shù)，其基本思想是：為了節(jié)省直流功耗，可以將PMOS管和NMOS管串聯(lián)在直流偏置通路里，對其結(jié)構(gòu)的說明如圖3所示。

圖3(a)所示的單個NMOS器件的寬長比和漏極電流Id都是(b)所示的單個NMOS的兩倍，但由于兩個NMOS并聯(lián)，因此(a)和(b)具有相同的跨導(dǎo)值gm。(c)中的M2是PMOS管，且和(b)中的NMOS管具有相同的寬長比，由于PMOS器件的電子遷移率比NMOS稍低[2]，所以gmc=(gml+gm2)m，即其跨導(dǎo)值略低，而它的輸入電容和Cgs近似。由(7)式可知(c)電路結(jié)構(gòu)的噪聲系數(shù)將略增一點，但是由于電流減小了一半，因此在電源電壓一定的情況下能夠有效降低電路的功耗，有利于低功耗LNA設(shè)計。