雙向可控硅是近年來表現(xiàn)較為優(yōu)秀的一種交流開關(guān)器件，其在應(yīng)用上又有著較為明顯的多樣性優(yōu)勢(shì)。在之前的文章中，小編曾為大家介紹過關(guān)于雙向可控硅應(yīng)用中關(guān)于導(dǎo)通的相關(guān)規(guī)則技巧。本文將為大家介紹雙向可控硅在導(dǎo)通時(shí)dIT/dt的應(yīng)用規(guī)則與技巧。

在進(jìn)行雙向可控硅應(yīng)用時(shí)，需要選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

具有高初始涌入電流的常見負(fù)載是白熾燈，冷態(tài)下電阻低。對(duì)于這種電阻性負(fù)載，若在電源電壓的峰值開始導(dǎo)通，dIT/dt將具有最大值。假如這值有可能超過雙向可控硅的dIT/dt值，最好在負(fù)載上串聯(lián)一只幾μH的電感加以限制，或串聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。重申，電感在最大電流下不能飽和。一旦飽和，電感將跌落，再也不能限制dIT/dt。無鐵芯的電感符合這個(gè)條件。一個(gè)更巧妙的解決辦法是采用零電壓導(dǎo)通，不必接入任何限制電流的器件。電流可以從正弦波起點(diǎn)開始逐漸上升。注意：應(yīng)該提醒，零電壓導(dǎo)通只能用在電阻性負(fù)載。對(duì)于電感性負(fù)載，由于電壓和電流間存在相位差，使用這方法會(huì)引起“半波”或單極導(dǎo)通，可能使電感性負(fù)載飽和，導(dǎo)致破壞性的高峰電流，以及過熱。這種場(chǎng)合，更先進(jìn)的控制技術(shù)采用零電流切換或變相位角觸發(fā)。

若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。

相信大家在閱讀過本文之后都對(duì)雙向可控硅導(dǎo)通dIT/dt有了全新的認(rèn)識(shí)，只要按照文中給出的相關(guān)規(guī)則進(jìn)行雙向可控硅導(dǎo)通dIT/dt，相信便能順利完成讀者所需的設(shè)計(jì)。在之后的文章中，小編將為大家繼續(xù)介紹雙向可控硅在其他應(yīng)用中的規(guī)范與技巧。