隨著大功率電源設(shè)備的普及率越來(lái)越高，IGBT在大功率電源設(shè)備中的作用也越來(lái)越重要，因此對(duì)IGBT知識(shí)進(jìn)行全方面的了解是非常有必要的。隨著使用頻率的升高，IGBT在使用過(guò)程中難以避免的會(huì)出現(xiàn)損壞，此時(shí)開(kāi)發(fā)者就需要快速準(zhǔn)確的進(jìn)行辨別，本文就將從幾個(gè)方面來(lái)告訴大家快速判別IGBT是否損壞的方法。

判斷極性

首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。

判斷好壞

將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT的發(fā)射極(E)，此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E)，這時(shí)IGBT被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。

任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT

注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。

逆變器IGBT模塊檢測(cè)

將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔，測(cè)試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。

以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線(xiàn)拆除，使用二極管測(cè)試檔，紅表筆接P(集電極c1)，黑表筆依次測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大;將表筆反過(guò)來(lái)，黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N(發(fā)射極e2)，黑表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右;黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說(shuō)明IGBT模塊性能變差，應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí)，只有擊穿短路情況出現(xiàn)。

紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性，萬(wàn)用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為最大，這時(shí)可判定IGBT模塊門(mén)極正常。如果有數(shù)值顯示，則門(mén)極性能變差，此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測(cè)試結(jié)果為零時(shí)，說(shuō)明所檢測(cè)的一相門(mén)極已被擊穿短路。門(mén)極損壞時(shí)電路板保護(hù)門(mén)極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。

當(dāng)IGBT出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，大家可以按照文中給出的情況自行進(jìn)行判斷，這樣就能夠幫助大家節(jié)省很多的時(shí)間和成本。還未遇到IGBT問(wèn)題的朋友也可先收藏本文，在遇到問(wèn)題的時(shí)候可以很方便的進(jìn)行查閱。