基于L6562的高功率因數(shù)boost電路的設(shè)計(jì)
掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章
0 引言
Boost是一種升壓電路，這種電路的優(yōu)點(diǎn)是可以使輸入電流連續(xù)，并且在整個(gè)輸入電壓的正弦周期都可以調(diào)制，因此可獲得很高的功率因數(shù)；該電路的電感電流即為輸入電流，因而容易調(diào)節(jié)；同時(shí)開關(guān)管門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)地與輸出共地，故驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單；此外，由于輸入電流連續(xù)，開關(guān)管的電流峰值較小，因此，對(duì)輸入電壓變化適應(yīng)性強(qiáng)。
儲(chǔ)能電感在Boost電路起著關(guān)鍵的作用。一般而言，其感量較大，匝數(shù)較多，阻抗較大，容易引起電感飽和，發(fā)熱量增加，嚴(yán)重威脅產(chǎn)品的性能和壽命。因此，對(duì)于儲(chǔ)能電感的設(shè)計(jì)，是Boost電路的重點(diǎn)和難點(diǎn)之一。本文基于ST公司的L6562設(shè)計(jì)了一種Boost電路，并詳細(xì)分析了磁性元器件的設(shè)計(jì)方法。
1 Boost電路的基本原理
Boost電路拓?fù)淙鐖D1所示。圖中，當(dāng)開關(guān)管T導(dǎo)通時(shí)，電流，IL流過(guò)電感線圈L，在電感線圈未飽和前，電流線性增加，電能以磁能的形式儲(chǔ)存在電感線圈中，此時(shí)，電容Cout放電為負(fù)載提供能量；而當(dāng)開關(guān)管T關(guān)斷時(shí)，由于線圈中的磁能將改變線圈L兩端的電壓VL卡及性，以保持其電流IL不突變。這樣，線圈L轉(zhuǎn)化的電壓VL與電源Vin串聯(lián)，并以高于輸出的電壓向電容和負(fù)載供電，如圖2所示是其電壓和電流的關(guān)系圖。圖中，Vcont為功率開關(guān)MOSFET的控制信號(hào)，VI為MOFET兩端的電壓，ID為流過(guò)二極管D的電流。以電流，IL作為區(qū)分，Boost電路的工作模式可分為連續(xù)模式、斷續(xù)模式和臨界模式三種。
分析圖2，可得：
式(2)即為Boost電路工作于連續(xù)模式和臨界模式下的基本公式。
2 臨界狀態(tài)下的Boost-APFC電路設(shè)計(jì)
基于L6562的臨界工作模式下的Boost-APFC電路的典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3所示，圖4所示是其APFC工作原理波形圖。
L6562的引腳功能如下：
INV：該引腳為電壓誤差放大器的反相輸入端和輸出電壓過(guò)壓保護(hù)輸入端；
COMP：該引腳同時(shí)為電壓誤差放大器的輸出端和芯片內(nèi)部乘法器的一個(gè)輸人端。反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)接在該引腳與引腳INV之間；
MULT：該引腳為芯片內(nèi)部乘法器的另一輸入端；
CS：該腳為芯片內(nèi)部PWM比較器的反相輸入端，可通過(guò)電阻R6來(lái)檢測(cè)MOS管電流；
ZCD：該腳為電感電流過(guò)零檢測(cè)端，可通過(guò)一限流電阻接于Boost電感的副邊繞組。R7的選取應(yīng)保證流入ZCD引腳的電流不超過(guò)3 mA；
GND：該引腳為芯片地，芯片所有信號(hào)都以該引腳為參考，該引腳直接與主電路地相連；GD：為MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出引腳。為避免MOS管驅(qū)動(dòng)信號(hào)震蕩，一般在GD引腳與MOS管的柵極之間連接一十幾歐姆到幾十歐姆的電阻，電阻的大小由實(shí)際電路決定；
VCC：芯片電源引腳。該引腳同時(shí)連接于啟動(dòng)電路和電源電路。
另外，在電路設(shè)計(jì)時(shí)，穩(wěn)壓管D2應(yīng)選用15 V穩(wěn)壓管，電容C2應(yīng)選用10μF的電解電容；二極管D5應(yīng)選用快恢復(fù)二極管(如1N4148)；電阻R3應(yīng)選用幾百千歐的電阻。
圖5給出了由L6562構(gòu)成的APFC電源的實(shí)際電路圖。圖中，輸入交流電經(jīng)整流橋整流后變換為脈動(dòng)直流，作為Boost電路的輸入；電容C4用以濾除電感電流中的高頻信號(hào)，降低輸入電流的諧波含量；電阻R1和R2構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò)，用以確定輸入電壓的波形與相位，電容C10用以慮除3號(hào)引腳的高頻干擾信號(hào)；Boost電感L的一個(gè)副邊繞組，一方面通過(guò)電阻R7將電感電流過(guò)零信號(hào)傳遞到芯片的5腳，另一方面作為芯片正常工作時(shí)的電源；芯片驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過(guò)電阻R8和R9連到MOS管的門極；電阻R11作為電感電流檢測(cè)電阻，用以采樣電感電流的上升沿(MOS管電流)，該電阻一端接于系統(tǒng)地，另一端同時(shí)接在MOS管的源極，同時(shí)經(jīng)電阻R10接至芯片的4腳；電阻R5和R6構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)形成輸出電壓的負(fù)反饋回路；電容C9連接于芯片1、2腳之間，以組成電壓環(huán)的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)；電阻R4，電容C6，二極管D5，穩(wěn)壓管D6和Boost電感的副邊則共同構(gòu)成芯片電源。
3 Boost電感的設(shè)計(jì)
本設(shè)計(jì)采用AP法則來(lái)設(shè)計(jì)Boost電感。其原理是首先根據(jù)設(shè)計(jì)要求計(jì)算所需電感：
式中，Virms為輸入電壓有效值；Vo為輸出電壓，fsw(min)為MOS管的最小工作頻率，通常在20kHz以上；Pi為輸入功率。計(jì)算要求的AP值為：
式中，Ku為磁芯窗口利用率，Jc為電流密度，IL(pk)為電感電流峰值。
根據(jù)(4)式的計(jì)算結(jié)果可選擇磁芯的AP值(大于AP_req，AP=AeAw，單位為m4)。
然后根據(jù)所選磁芯來(lái)計(jì)算原邊匝數(shù)及所需氣隙。副邊匝數(shù)一般按10：1選取。
4 實(shí)驗(yàn)波形分析
為了驗(yàn)證以上設(shè)計(jì)的合理性，本文設(shè)定最小輸入電壓為187 V，最大輸入電壓為264 V，輸入頻率為50 Hz，輸出電壓為400 V，PF=0．99，效率為87％，輸出功率26．5 W，最小工作頻率為65 kHz來(lái)進(jìn)行實(shí)物實(shí)驗(yàn)，同時(shí)根據(jù)計(jì)算，并通過(guò)IL(pk)=465．3 mA來(lái)選取導(dǎo)線為mm，Jc=4／mm2，L=2．99 mH(L=2．7 mH時(shí)，驗(yàn)證最小頻率為72 kHz>65 kHz，可滿足設(shè)計(jì)要求)。
設(shè)Ku=0．3，δBmax=0．3T，由(4)式計(jì)算得：
AP_req(min)=6．64×10-10m4
這樣，可選擇磁芯EE16／6／5，其AP=7．5×10-10m4，可滿足設(shè)計(jì)要求；而由(5)式計(jì)算得Np=218．1匝，取215匝，并驗(yàn)證δBmax=0．304T，氣隙lgap=0．41 mm。
根據(jù)以上計(jì)算參數(shù)所搭建的試驗(yàn)?zāi)Ｐ蛠?lái)進(jìn)行的結(jié)果如圖6所示。
由圖6可見(jiàn)，輸入電流能良好的跟隨輸入電壓，且電流電壓相位差接近于零，故可實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)的控制。另外，MOSFET的電流是一種高頻三角波，其包絡(luò)為輸入電壓。由于MOSFET可實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，能有效減小開關(guān)損耗。根據(jù)測(cè)試結(jié)果，該電路的PF可達(dá)0．998以上，THD在5％以下。
5 結(jié)束語(yǔ)
本文基于L6562芯片設(shè)計(jì)了Boost高功率因數(shù)電路，并引用AP法則設(shè)計(jì)其關(guān)鍵元器件——Boost電感。經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證，該電路啟動(dòng)電流小，外圍元器件少，成本低廉，能同時(shí)滿足電源系統(tǒng)重量輕，穩(wěn)定性好，可靠性高等要求。實(shí)驗(yàn)證明，AP法則是一種快速準(zhǔn)確的設(shè)計(jì)方法。
發(fā)布者：博子
下載文檔
