在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見(jiàn)，大家都知道如何使用，但是都不會(huì)去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實(shí)里面很重要的是功率器件。過(guò)去幾年功率器件市場(chǎng)波動(dòng)巨大，2009年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額下跌16%，2010年則暴漲44%，創(chuàng)下有史以來(lái)的最高增長(zhǎng)記錄，2011年增長(zhǎng)11%。后面兩年由于市場(chǎng)對(duì)于經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)不確定性的擔(dān)憂而采取去庫(kù)存、壓價(jià)與推遲購(gòu)買等舉措，功率器件市場(chǎng)又經(jīng)歷了30多年來(lái)首次連續(xù)兩年下跌(2012年下跌8%，2013年下跌6%)。2014年功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)14%，終于結(jié)束了連續(xù)兩年的艱難時(shí)光。

某大功率器件

功率器件廠商如何來(lái)應(yīng)對(duì)這種大起大落的市場(chǎng)呢?安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部亞太區(qū)高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)霍立信認(rèn)為，與客戶密切合作，正確判斷市場(chǎng)景氣度，同時(shí)能夠有渠道消化庫(kù)存才能在這樣跌宕起伏的市場(chǎng)中較好地生存。他說(shuō)：“安森美半導(dǎo)體一直保持與終端客戶緊密合作，準(zhǔn)確預(yù)測(cè)客戶的短期需求及長(zhǎng)期計(jì)劃，并利用代理商渠道進(jìn)行緩沖及庫(kù)存管理，以及時(shí)應(yīng)對(duì)客戶需求的變化。”

對(duì)于未來(lái)功率器件市場(chǎng)的走向，霍立信表示市場(chǎng)將持續(xù)波動(dòng)的可能性極大，原因在于當(dāng)前電腦、智能手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代快，產(chǎn)品生命周期遠(yuǎn)遠(yuǎn)短于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)周期，消費(fèi)電子市場(chǎng)需求的變化會(huì)波及功率器件市場(chǎng)態(tài)勢(shì)。霍立信認(rèn)為現(xiàn)在的電子產(chǎn)品越來(lái)越強(qiáng)調(diào)便攜性，尺寸越來(lái)越小，功能卻越來(lái)越豐富，要求功率器件以更緊湊的封裝提供高能效，這將促進(jìn)GaN技術(shù)及新一代MOSFET的進(jìn)一步發(fā)展。隨著汽車、工業(yè)及新能源市場(chǎng)對(duì)高性能電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的需求增強(qiáng)，安森美也將加大在IGBT功率模塊上的投入。

功率器件未來(lái)市場(chǎng)的新增長(zhǎng)點(diǎn)主要集中于汽車、工業(yè)及新能源領(lǐng)域，包括汽車動(dòng)力系統(tǒng)、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、影音娛樂(lè)系統(tǒng)、純電動(dòng)車/混合動(dòng)力車、智能家居、智慧城市、自動(dòng)化控制、智能電網(wǎng)、不間斷電源、太陽(yáng)能等應(yīng)用。隨著政府節(jié)能減排法規(guī)日趨嚴(yán)苛，以及消費(fèi)者對(duì)汽車安全舒適性及燃油經(jīng)濟(jì)性的要求不斷提高，汽車中所用到的半導(dǎo)體器件日益增加，不斷提高能效、降低能耗的發(fā)展趨勢(shì)將推動(dòng)對(duì)功率器件的需求持續(xù)加速成長(zhǎng)。隨著工業(yè)4.0的提出，以智能制造為核心的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)席卷全球，促進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展步伐，進(jìn)而對(duì)高功率密度、高能效、低能耗功率器件的需求隨之增強(qiáng)。

產(chǎn)品線齊全、封裝與先進(jìn)工藝是競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

作為一家主營(yíng)為模擬器件的半導(dǎo)體公司，功率器件是安森美的主營(yíng)業(yè)務(wù)之一，安森美在功率器件方面開(kāi)發(fā)了多種新的工藝和技術(shù)。氮化鎵(GaN)作為一種新興的工藝技術(shù)，提供高能效的同時(shí)降低了導(dǎo)通損耗(導(dǎo)通阻抗)和開(kāi)關(guān)損耗，還可以節(jié)省空間并提升散熱性能，安森美半導(dǎo)體推出的GaN晶體管，為開(kāi)關(guān)電源和其他在能效及功率密度要求非常高的應(yīng)用帶來(lái)了性能的飛躍。安森美半導(dǎo)體還推出了新一代場(chǎng)截止型溝槽IGBT降低開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)保證高可靠性，為工業(yè)應(yīng)用及新能源市場(chǎng)提供高性能方案。此外安森美的T6/8MOSFET技術(shù)，利用最低導(dǎo)通電阻提供高性能電源轉(zhuǎn)換，以幫助客戶達(dá)到更高能效的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

談到安森美在功率器件市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，霍立信總結(jié)了三點(diǎn)。首先安森美半導(dǎo)體具備強(qiáng)大的功率器件產(chǎn)品陣容，提供包括整流器、MOSFET、IGBT、功率集成模塊(PIM)等一系列涵蓋從小功率到大功率、由低頻率至高頻率的功率器件;

其次安森美在封裝技術(shù)上頗為領(lǐng)先，從最小的μSO8FL封裝到最大的PIM封裝技術(shù)，可以根據(jù)不同的產(chǎn)品與應(yīng)用，提供最合適的封裝實(shí)現(xiàn)高性能;最后安森美半導(dǎo)體在氮化鎵(GaN)器件、T8溝槽MOSFET及IGBT方面具有領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，正進(jìn)一步擴(kuò)大功率器件的產(chǎn)品陣容。在全球化的今天，就更需要我們的年輕的建設(shè)者們更加努力，不斷創(chuàng)新，推動(dòng)功率器件的不斷向前，這樣才能讓我們生活中的產(chǎn)品更加讓我們方便。