在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。過去幾年功率器件市場波動巨大，2009年全球功率半導(dǎo)體市場銷售額下跌16%，2010年則暴漲44%，創(chuàng)下有史以來的最高增長記錄，2011年增長11%。后面兩年由于市場對于經(jīng)濟增長不確定性的擔憂而采取去庫存、壓價與推遲購買等舉措，功率器件市場又經(jīng)歷了30多年來首次連續(xù)兩年下跌(2012年下跌8%，2013年下跌6%)。2014年功率器件市場增長14%，終于結(jié)束了連續(xù)兩年的艱難時光。

某大功率器件

功率器件廠商如何來應(yīng)對這種大起大落的市場呢?安森美半導(dǎo)體標準產(chǎn)品事業(yè)部亞太區(qū)高級市場總監(jiān)霍立信認為，與客戶密切合作，正確判斷市場景氣度，同時能夠有渠道消化庫存才能在這樣跌宕起伏的市場中較好地生存。他說：“安森美半導(dǎo)體一直保持與終端客戶緊密合作，準確預(yù)測客戶的短期需求及長期計劃，并利用代理商渠道進行緩沖及庫存管理，以及時應(yīng)對客戶需求的變化。”

對于未來功率器件市場的走向，霍立信表示市場將持續(xù)波動的可能性極大，原因在于當前電腦、智能手機等消費電子產(chǎn)品更新?lián)Q代快，產(chǎn)品生命周期遠遠短于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)周期，消費電子市場需求的變化會波及功率器件市場態(tài)勢。霍立信認為現(xiàn)在的電子產(chǎn)品越來越強調(diào)便攜性，尺寸越來越小，功能卻越來越豐富，要求功率器件以更緊湊的封裝提供高能效，這將促進GaN技術(shù)及新一代MOSFET的進一步發(fā)展。隨著汽車、工業(yè)及新能源市場對高性能電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的需求增強，安森美也將加大在IGBT功率模塊上的投入。

功率器件未來市場的新增長點主要集中于汽車、工業(yè)及新能源領(lǐng)域，包括汽車動力系統(tǒng)、先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、影音娛樂系統(tǒng)、純電動車/混合動力車、智能家居、智慧城市、自動化控制、智能電網(wǎng)、不間斷電源、太陽能等應(yīng)用。隨著政府節(jié)能減排法規(guī)日趨嚴苛，以及消費者對汽車安全舒適性及燃油經(jīng)濟性的要求不斷提高，汽車中所用到的半導(dǎo)體器件日益增加，不斷提高能效、降低能耗的發(fā)展趨勢將推動對功率器件的需求持續(xù)加速成長。隨著工業(yè)4.0的提出，以智能制造為核心的產(chǎn)業(yè)趨勢席卷全球，促進物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展步伐，進而對高功率密度、高能效、低能耗功率器件的需求隨之增強。

產(chǎn)品線齊全、封裝與先進工藝是競爭優(yōu)勢

作為一家主營為模擬器件的半導(dǎo)體公司，功率器件是安森美的主營業(yè)務(wù)之一，安森美在功率器件方面開發(fā)了多種新的工藝和技術(shù)。氮化鎵(GaN)作為一種新興的工藝技術(shù)，提供高能效的同時降低了導(dǎo)通損耗(導(dǎo)通阻抗)和開關(guān)損耗，還可以節(jié)省空間并提升散熱性能，安森美半導(dǎo)體推出的GaN晶體管，為開關(guān)電源和其他在能效及功率密度要求非常高的應(yīng)用帶來了性能的飛躍。安森美半導(dǎo)體還推出了新一代場截止型溝槽IGBT降低開關(guān)損耗，同時保證高可靠性，為工業(yè)應(yīng)用及新能源市場提供高性能方案。此外安森美的T6/8MOSFET技術(shù)，利用最低導(dǎo)通電阻提供高性能電源轉(zhuǎn)換，以幫助客戶達到更高能效的設(shè)計目標。

談到安森美在功率器件市場的競爭優(yōu)勢，霍立信總結(jié)了三點。首先安森美半導(dǎo)體具備強大的功率器件產(chǎn)品陣容，提供包括整流器、MOSFET、IGBT、功率集成模塊(PIM)等一系列涵蓋從小功率到大功率、由低頻率至高頻率的功率器件;

其次安森美在封裝技術(shù)上頗為領(lǐng)先，從最小的μSO8FL封裝到最大的PIM封裝技術(shù)，可以根據(jù)不同的產(chǎn)品與應(yīng)用，提供最合適的封裝實現(xiàn)高性能;最后安森美半導(dǎo)體在氮化鎵(GaN)器件、T8溝槽MOSFET及IGBT方面具有領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢，正進一步擴大功率器件的產(chǎn)品陣容。在全球化的今天，就更需要我們的年輕的建設(shè)者們更加努力，不斷創(chuàng)新，推動功率器件的不斷向前，這樣才能讓我們生活中的產(chǎn)品更加讓我們方便。