Infineon Technologies 和 Amber Solutions 正在合作將 Amber 的技術商業(yè)化,該技術旨在通過硅架構對電力進行數字控制。
隨著硅達到功率器件的理論性能限制,電力電子行業(yè)一直在向寬帶隙材料(WBG) 過渡?;谔蓟?(SiC) 和氮化鎵技術的 WBG 功率半導體器件提供的設計優(yōu)勢可提高應用性能,包括:低漏電流、顯著降低的功率損耗、更高的功率密度、更高的工作頻率以及耐受更高工作溫度的能力. 使用比純硅等效器件更小的器件尺寸,所有這些都是可能的。穩(wěn)健性和更高的可靠性是其他重要屬性,從而提高了設備的總預期壽命和運行穩(wěn)定性。
多倫多——MRAM 用備用電池取代 SRAM 的雄心可能會與 Microchip Technology 最新的 EERAM 產品形式的老舊存儲器競爭。 該公司最近推出了一個新的獨立串行外設接口 (SPI) EERAM 系列。它針對的是涉及重復任務數據記錄的應用程序,并且需要在處理過程中斷電時自動恢復內容的能力。此功能有用的示例包括制造設備和智能電表。
在電動汽車和混合動力電動汽車等應用中,隨著直流電流隨著開關頻率的增加而增加,對直流電源總線的性能要求不僅僅是 IR 壓降(即電壓降)和熱方面的考慮。由于設計需求和以碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 開關為代表的寬帶隙器件 (WBG) 的使用增加,該總線現(xiàn)在必須在數百千赫茲的較高頻率下具有非常低的電感。
Microchip 推出了新的 RT PolarFire FPGA,經過優(yōu)化,可滿足對航天器高速數據控制系統(tǒng)的最苛刻要求,同時盡可能降低功耗和發(fā)熱。 在使用受限的下行鏈路帶寬之前,太空活動越來越需要高性能計算來處理數據。Microchip 表示,與專用集成電路 (ASIC) 相比,RT PolarFire FPGA 以顯著降低的成本和更快的設計周期提供了重要的空間性能特性。與使用靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 的替代方案相比,它還顯著降低了功耗,進一步消除了輻射引起的配置噪聲。
了解集成電路(無論是微控制器、FPGA 還是處理器)的熱性能對于避免可能導致電路故障的過熱一直至關重要。電子系統(tǒng)的小型化和產生大量熱量的元件(如 LED)的擴散,使得熱分析作為保證產品良好功能和可靠性的工具越來越重要。
我一直對小型能量收集項目感興趣。畢竟,這似乎是一種幾乎理想的“物有所值”的安排。獲得合適的傳感器、電源管理 IC (PMIC)、儲能組件(可充電電池或超級電容器),當我們需要為遠程節(jié)點、物聯(lián)網設備或其他低功耗設備供電時,一切就緒。當然,也有風能、太陽能、地熱能等大規(guī)模的收獲,但這些項目的規(guī)模非常不同,而小規(guī)模的收獲似乎更加個人化和非侵入性。
談到電源——電源、穩(wěn)壓器、轉換器——現(xiàn)在最常提到的第一個參數是“效率”。雖然更高的效率當然是一件好事,但設計人員知道還有許多其他重要標準,例如輸入調節(jié)、輸出調節(jié)和輸出紋波(僅舉幾例)。這些只是性能因素——更高的效率還必須與供應規(guī)模、成本、復雜性和其他屬性進行權衡。
LED 技術為各種大功率照明應用打開了大門。圖 1中的電路可以讓我們知道交流電源何時可用。從交流線路驅動功率 LED 需要轉換器或類似裝置。在該電路中,無源IC極大地簡化了整體設計。我們還可以簡化電路以使用直流電源運行,這樣我們就可以使用汽車電池在夜間提供照明。
LED 比白熾燈更高效,使用壽命延長 100 倍,但它們需要專門的電子驅動電路來避免過壓情況。主要操作參數相對簡單:保持通過 LED 的電流恒定并低于指定的最大值。
大功率 LED 要求電子工程師設計準確、高效且簡單的驅動電路。傳統(tǒng)上,以精確電流驅動大功率串需要專用的開關穩(wěn)壓器。選擇分立驅動器電路需要了解 LED 照明才能做出最佳權衡。本設計理念描述了一種使用無處不在的 555 IC 的更簡單且同樣出色的方法。
你是否曾嘗試在投影儀上展示想法,卻發(fā)現(xiàn)客戶的會議室沒有可以執(zhí)行此操作的設備?如果您手頭有一個便攜式的,那不是很方便嗎?最近發(fā)生在我身上,沒有這樣的便攜式設備,我不得不在筆記本電腦上展示我的演示文稿。
有沒有想過充電器的功率水平如何不斷增加(例如利用 USB Type-C 標準),但尺寸仍然很小?在充電器兼作暖手器并變得不可靠之前,我們只能在密封的塑料盒內消散這么多的電量。你必須達到更高的效率。
不,不是電影系列——這篇文章是關于提高人們對 LED 照明解決方案問題的認識。 在全球范圍內,我看到帶有 LED 燈泡的新建筑閃爍或無法正常工作,正如最近在香港一家受歡迎的酒吧看到的情況所示(圖 1)。
氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 的采用正在迅速增加,因為它能夠提高效率并縮小電源尺寸。但在投資該技術之前,我們可能仍會問自己 GaN 是否可靠。令我震驚的是,沒有人問硅是否可靠。畢竟還是有新的硅產品一直在問世,電源設計人員也很關心硅功率器件的可靠性。