電壓kV為什么k要小寫?國際標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)量單位一般用小寫。僅在涉及以名字命名的單位,比如伏特V、安培A、開爾文K、瓦特W等,為了表示對科學(xué)家前輩的尊重,就用大寫,其余的非以人名命名的單位一般用小寫。這里解釋了為何V是大寫。其次,對于量詞,一般初始量級用小寫。如果相同字母,大小寫往往區(qū)...
當(dāng)我們對整個(gè)電路原理分析好以后,就可以開始對整個(gè)電路進(jìn)行布局布線,這一期,給大家介紹一下布局的思路和原則。1、首先,我們會(huì)對結(jié)構(gòu)有要求的器件進(jìn)行擺放,擺放的時(shí)候根據(jù)導(dǎo)入的結(jié)構(gòu),連接器得注意1腳的擺放位置。2、布局時(shí)要注意結(jié)構(gòu)中的限高要求。3、如果要布局美觀,一般按元件外框或者中線...
dB應(yīng)該是無線通信中最基本、最習(xí)以為常的一個(gè)概念了。我們常說“傳播損耗是xxdB”、“發(fā)射功率是xxdBm”、“天線增益是xxdBi”……有時(shí),這些長得很像的dBx們可能被弄混,甚至造成計(jì)算失誤。它們究竟有什么區(qū)別呢??這事不得不先從dB說起。?而說到dB,最常見的就是3dB啦!...
氮化鎵晶體管和碳化硅?MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性:氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù),極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng),高可...
第一部分第一部分互阻抗放大器是一款通用運(yùn)算放大器,其輸出電壓取決于輸入電流和反饋電阻器: 我經(jīng)常見到圖1所示的這款用來放大光電二極管輸出電流的電路。幾乎所有互阻抗放大器電路都需要一個(gè)與反饋電阻器并聯(lián)的反饋電容器(CF),用以補(bǔ)償放大器反相節(jié)點(diǎn)的寄生電容,進(jìn)而保持穩(wěn)定性。 ...
啥是PID?PID,就是“比例(proportional)、積分(integral)、微分(derivative)”,是一種很常見的控制算法。PID已經(jīng)有107年的歷史了。它并不是什么很神圣的東西,大家一定都見過PID的實(shí)際應(yīng)用。比如四軸飛行器,再比如平衡小車......還有汽車...
?1、?模擬器件:連接現(xiàn)實(shí)與虛擬的關(guān)鍵紐帶1.1、什么是數(shù)字IC,什么是模擬IC?模擬信號是一切信息的源頭。我們生活的物理環(huán)境以模擬量為特征,即以連續(xù)方式變化而非離散的量,如溫度,位置,光強(qiáng)度,聲波,顏色,紋理等。這些物理量的測量是不受限(例如“開與關(guān)”,“小與大”,“黑色”)的...
實(shí)際的應(yīng)用中,DFN3*3、DFN5*6、SO8等封裝類型的貼片元件,都會(huì)在PCB板器件位置的底部鋪上一大片銅皮,然后器件底部框架的銅皮焊接在PCB的這一大片的銅皮上,加強(qiáng)散熱。理論上,PCB板銅皮鋪的面積越大,總熱阻就越低,器件的溫升就越低。由于PCB板上其他元件及PCB本身尺...
實(shí)際的應(yīng)用中,很多降壓型BUCK變換器,通常要利用連接到相應(yīng)管腳的大片PCB銅皮來散熱:單芯片的BUCK電源IC,主要利用IC的GND管腳,焊接到PCB的GND銅皮來散熱;部分內(nèi)部封裝分立MOSFET的BUCK電源IC,以及采用分立方案的BUCK變換器,如使用控制器驅(qū)動(dòng)分立MOS...
低壓差線性電壓調(diào)節(jié)器LDO以及其他線性電壓調(diào)節(jié)器的電源芯片,內(nèi)部的反饋環(huán)采用電壓誤差放大器調(diào)節(jié)系統(tǒng)外部輸入電壓和輸出電流的變化,從而保證輸出電壓的穩(wěn)定。電壓誤差放大器都有一定的工作頻段和直流增益的限制,如果頻率升高,電壓誤差放大器的工作特性就會(huì)惡化,從而影響系統(tǒng)輸出的噪聲和紋波。...
同步BUCK降壓變化器開關(guān)節(jié)點(diǎn)SW的電壓波形VSW如圖1所示,Vin=19V,Vo=1V,fsw=900k,L=250nH,在保證測量方法正確的前提下,可以發(fā)現(xiàn),開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓VSW的下降沿,會(huì)出現(xiàn)負(fù)壓尖峰,圖1中的負(fù)壓尖峰為-6.9V。?圖1:同步BUCK變化器工作波形?功率M...
蘋果在去年在正式發(fā)布了首款自研的桌面級M1芯片,該芯片已不俗的性能和碾壓競品的續(xù)航能力飽受好評,在搭配上能運(yùn)行iOS應(yīng)用的操作系統(tǒng),一戰(zhàn)封神。據(jù)此前消息,蘋果將會(huì)在今年下半年推出升級版的M1芯片,但并不是換代產(chǎn)品,因此將被命名為“M1x”,有爆料稱全新的14英寸、16英寸版Mac...
“缺芯”潮下,28nm成熟制程再度成為“香餑餑”!全球缺芯的情況從去年下半年持續(xù)至現(xiàn)在,芯片產(chǎn)能吃緊的情況愈演愈烈。以汽車、消費(fèi)電子為首的下游行業(yè)的芯片需求不斷提升,這使得各大代工廠紛紛加入擴(kuò)產(chǎn)大軍。值得注意的是,以28nm為代表的的成熟制程成為這次擴(kuò)產(chǎn)的重點(diǎn)。7月12日,臺灣經(jīng)...
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。晶體三極管,是半導(dǎo)體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié),兩個(gè)...
國內(nèi)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)面臨多個(gè)考驗(yàn),其中人才培養(yǎng)是核心環(huán)節(jié),現(xiàn)在集成電路成為國家一級學(xué)科,近年來多所大學(xué)也紛紛成立專業(yè)的集成電路學(xué)院。繼4月份清華集成電路學(xué)院之后,北大、華中科技大學(xué)也成立集成電路學(xué)院了。7月14日,華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院揭牌成立!華中科技大學(xué)教授繆向水擔(dān)任集成電...