飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64
飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64
概述 AD7262是一款逐步逼近式(SAR)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D轉(zhuǎn)換器)。其內(nèi)部有2個跟蹤保持放大器,2個12位的同步采樣A/D轉(zhuǎn)換器,2個可編程的放大器以及2組比較器和2個獨立的數(shù)據(jù)輸出引腳。適用于汽車控制領(lǐng)域及要求高同
為滿足這些需求,在上世紀90年代晚期開關(guān)電源設(shè)計師開始采用同步整流(SR)技術(shù)——使用MOSFET來替代常用二極管實現(xiàn)的整流功能。SR提高了效率、熱性能、功率密度、可制造性和可靠性,并可降低整個系統(tǒng)的電源系統(tǒng)成本。本文將介紹SR的優(yōu)點,并討論在其實現(xiàn)中遇到的挑戰(zhàn)。
隨著EDA(電子設(shè)計自動化)技術(shù)的發(fā)展和可編程邏輯器件性能的不斷提高,基于FPGA的可編程片上系統(tǒng)技術(shù)為系統(tǒng)設(shè)計提供了一種簡單、靈活、高效的途徑?;贜iosII的可編程片上系統(tǒng)(SoPC)設(shè)計中,幾乎所有的應(yīng)用設(shè)計都需要使用Flash存儲器,而Flash的編程必需相應(yīng)的目標板Flash編程設(shè)計支持。結(jié)合實際應(yīng)用詳細論述了目標板Flash編程設(shè)計的創(chuàng)建及應(yīng)用。
新能源將逐步取代傳統(tǒng)能源成為推動社會經(jīng)濟進步的驅(qū)動器,而新能源往往又是伴隨著新技術(shù)的誕生和進步應(yīng)運而生的,LED產(chǎn)業(yè)就是新能源的一個典型的孵化器。業(yè)內(nèi)人士認為,目前我國LED產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢和風險并存,銀行應(yīng)扶持我
• 第2季度收入19.93億美元,環(huán)比增幅20% • 第2季度庫存減少2.07億美元,上半年庫存減少3.91億美元 • 不含公司兼并交易支出的凈營業(yè)現(xiàn)金流*由負變正,達到4500萬美元意法半導體(ST)公布截至200
前言 慣性導航系統(tǒng)、各種導引頭及空間飛行器等測試和記錄應(yīng)用系統(tǒng),都需要自主、實時、可靠存儲大量的關(guān)鍵信息,并保證即使整個系統(tǒng)掉電,所采集到的數(shù)據(jù)仍能長時間保持不丟失,實現(xiàn)歷史數(shù)據(jù)查詢,便于數(shù)據(jù)分析
在今天的車身控制模塊(BCM)設(shè)計中,有見識的工程師機都盡可能不再使用機電式繼電器。他們的下一個發(fā)展方向是停用熔斷器。但是,停用熔斷器是一個非常必要的解決方案嗎?是一個用更加復雜的解決方案取代一個簡單而
LED照明燈具在近期得到飛躍的發(fā)展,LED作為綠色環(huán)保的清潔光源得到廣泛的認可。LED光源使用壽命長、節(jié)能省電、應(yīng)用簡單方便、使用成本低,因而在家庭照明都將得到海量的應(yīng)用,歐司朗光學半導體公司2008年調(diào)查統(tǒng)計,全
引言 完成某一特定任務(wù)的圖像處理系統(tǒng),其硬件方案大體上有三種:使用通用計算機[1]、使用ASIC(Application Specific Integrated Circuit)[2]和使用DSP(Digital Signal Processor)[3]。使用通用計算機的方案可
引言 關(guān)于虛擬儀器,有許多種提法和分類[1~8],如卡式儀器、總線式儀器、計算機化儀器等等,多數(shù)均強調(diào)其軟件面板,強調(diào)其虛擬界面及控制環(huán)境,強調(diào)其軟件方法,一句典型且具有代表性的口號則稱:“軟件就是儀器”
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點 IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復合電子器
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點 IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復合電子器
引言 為徹底消滅超載現(xiàn)象,禁止超載車輛上路,實現(xiàn)司機在駕駛室內(nèi)就可知道車輛的載荷情況,而地面稽查人員通過無線通信裝置可隨時隨地檢測車輛的載荷量,從而有利于制止車輛的超載行為。因此,這里提出一種基于