振動焊接即在焊接的過程中施加振動,以保證在焊縫方向上能夠穩(wěn)幅和穩(wěn)頻振動。一般的振動焊接儀器上都自帶有加速度測量儀,但是傳統(tǒng)的振動焊接的加速度測量儀器只能固定在一點上進行測量,很難保證穩(wěn)幅和穩(wěn)頻的效果。
引言 當今時代是個信息飛速膨脹的時代,為了滿足用戶不斷增長的信息量需求,各種數(shù)據(jù)網(wǎng)絡、信息平臺都在進行不斷的擴容建設。然而。頻帶資源終歸是有限的,無論是有線通信還是無線通信,頻帶資源正變得越來越寶
引言 溫度、濕度是工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的主要環(huán)境參數(shù).對其進行適時準確的測量具有重要意義。利用單片機對溫、濕度控制。具有控溫、濕精度高、功能強、體積小、價格低,簡單靈活等優(yōu)點,很好的滿足了工藝要求。本文介紹
0 引言 數(shù)字濾波器是一種用來過濾時間離散信號的數(shù)字系統(tǒng),通過對抽樣數(shù)據(jù)進行數(shù)學處理來達到頻域。濾波的目的。根據(jù)其單位沖激響應函數(shù)的時域特性可分為兩類:無限沖激響應(IIR)濾波器和有限沖激響應(FIR)濾波
0 引言 數(shù)字濾波器是一種用來過濾時間離散信號的數(shù)字系統(tǒng),通過對抽樣數(shù)據(jù)進行數(shù)學處理來達到頻域。濾波的目的。根據(jù)其單位沖激響應函數(shù)的時域特性可分為兩類:無限沖激響應(IIR)濾波器和有限沖激響應(FIR)濾波
介紹了飽和電感的分類及其基本物理特性,總結了可飽和電感在尖峰抑制器、磁放大器、移相全橋ZVS-PWM變換器、諧振變換器和逆變電源中的應用。
數(shù)學模型一直都有助于判定特定設計的最佳補償組件,然而,補償 WLED 電流調節(jié)升壓轉換器的情況,則與補償被設定為調節(jié)電壓的相同轉換器略微不同。以傳統(tǒng)的方法測量控制回路相當不便,因為回饋 (FB) 引腳的阻抗不高
數(shù)學模型一直都有助于判定特定設計的最佳補償組件,然而,補償 WLED 電流調節(jié)升壓轉換器的情況,則與補償被設定為調節(jié)電壓的相同轉換器略微不同。以傳統(tǒng)的方法測量控制回路相當不便,因為回饋 (FB) 引腳的阻抗不高
本文介紹了軟開關變換相對于傳統(tǒng)電路中的硬開關變換的優(yōu)點,對幾種典型的軟開關進行了敘述和比較,并給出了其中兩個有代表性變換電路的Pspice仿真結果,最后提出了軟開關技術可能的發(fā)展趨勢。
本文介紹了軟開關變換相對于傳統(tǒng)電路中的硬開關變換的優(yōu)點,對幾種典型的軟開關進行了敘述和比較,并給出了其中兩個有代表性變換電路的Pspice仿真結果,最后提出了軟開關技術可能的發(fā)展趨勢。
通信用DC/DC模塊電源功率級一般從幾瓦至幾十瓦,輸出電壓從幾伏至上百伏,對于幾十瓦的電源,一般以低壓大電流為主,有5V/10A、 5V/6A、3.3V/8A等規(guī)格,效率一般在80%左右(具體視輸出電壓大?。R驗槟K電源要求MTBF(平均無故障時間)1000000小時以上,所以要盡量避免使用電解電容,最好使用陶瓷電容。陶瓷電容容量不大,具有非常好的高頻特性。此外,DC/DC模塊電源的厚度要求小于12.7mm,所以對變壓器的要求高,磁芯必須具有扁平的形狀和在高頻情況下具有較小的損耗因子。
通信用DC/DC模塊電源功率級一般從幾瓦至幾十瓦,輸出電壓從幾伏至上百伏,對于幾十瓦的電源,一般以低壓大電流為主,有5V/10A、 5V/6A、3.3V/8A等規(guī)格,效率一般在80%左右(具體視輸出電壓大?。R驗槟K電源要求MTBF(平均無故障時間)1000000小時以上,所以要盡量避免使用電解電容,最好使用陶瓷電容。陶瓷電容容量不大,具有非常好的高頻特性。此外,DC/DC模塊電源的厚度要求小于12.7mm,所以對變壓器的要求高,磁芯必須具有扁平的形狀和在高頻情況下具有較小的損耗因子。
1 引言 現(xiàn)在,人們生活中的每個角落都有嵌入式設備的存在,比如數(shù)碼相機、移動電話、TV機頂盒及掌上電腦等等。這些嵌入式設備多采用32位RISC嵌入式處理器作為核心部件。 其中基于ARM核的嵌入式處理器獨占
DisplayPort是視頻電子標準協(xié)會(Video Electronic Standards Association-VESA)新的接口標準,簡化了顯示設計及其相關的連接。它還以強大的電氣特性支持更高的分辨率。雖然從目前的應用來看,DisplayPort接口主要應
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V,同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的