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Vishay IGBT功率模塊在TIG焊機(jī)中提高效率并降低傳導(dǎo)損耗

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布4款專為TIG焊機(jī)設(shè)計(jì)的新型半橋和單開(kāi)關(guān)管IGBT功率模塊---VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP250SA60S、VS-GP300T

功率器件
2016-01-20

Vishay 傳導(dǎo)損耗電源新品 igbt功率模塊
EMC理論基礎(chǔ)知識(shí)——接地設(shè)計(jì)

接地是抑制電磁干擾、提高電子設(shè)備電磁兼容性的重要手段之一。正確的接地既能抑制干擾的影響，又能抑制設(shè)備向外輻射干擾;反之錯(cuò)誤的接地反而會(huì)引入嚴(yán)重的干擾，甚至使電子設(shè)

功率器件
2016-01-19

電源技術(shù)解析
保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

在使用電子元器件時(shí)，你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行;從輸出

功率器件
2016-01-18

電源技術(shù)解析功率
使用光學(xué)鼠標(biāo)傳感器實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)測(cè)量

本設(shè)計(jì)實(shí)例使用光學(xué)電腦鼠標(biāo)中的傳感器測(cè)量圓盤的旋轉(zhuǎn)，其中的圓盤可以通過(guò)機(jī)械方式連接到任何一種旋轉(zhuǎn)裝置。通過(guò)沿著圓盤半徑改變傳感器位置，該方案可以調(diào)整每次旋轉(zhuǎn)的脈

功率器件
2016-01-18

傳感器測(cè)量電源技術(shù)解析
教你解決令人頭疼的晶振匹配和溫度漂移

很多工程師，在電路中使用晶振時(shí)，經(jīng)常會(huì)碰到這樣的煩惱，一是晶振在電路中匹配不理想，影響使用效果;二是晶振的溫度漂移太大，甚至影響產(chǎn)品的性能。目前在電子產(chǎn)品日新月異

功率器件
2016-01-18

測(cè)試電源技術(shù)解析
詳解前端放大器內(nèi)部的不同ESD二極管架構(gòu)

當(dāng)放大器發(fā)生外部過(guò)壓狀況時(shí)，ESD二極管是放大器與過(guò)電應(yīng)力之間的最后防線。正確理解ESD單元在一個(gè)器件中是如何實(shí)現(xiàn)的，設(shè)計(jì)人員就能通過(guò)適當(dāng)?shù)碾娐吩O(shè)計(jì)大大擴(kuò)展放大器的生

功率器件
2016-01-18

二極管放大器電源技術(shù)解析
步進(jìn)電機(jī)數(shù)控解決方案

傳統(tǒng)的電流式控制方法是檢測(cè)流經(jīng)繞組的電流，并將反饋信號(hào)送到控制芯片，然后由控制芯片決定是增加還是降低繞組電流，以取得所需的電流強(qiáng)度。這種控制方法使電機(jī)在寬轉(zhuǎn)速和

功率器件
2016-01-18

通信微控制器電源技術(shù)解析
保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

在使用電子元器件時(shí)，你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行;從輸出

功率器件
2016-01-15

電源技術(shù)解析功率
高電源抑制的帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)方案

本文通過(guò)結(jié)合LDO與Brokaw基準(zhǔn)核心，設(shè)計(jì)出了高PSR的帶隙基準(zhǔn)，此帶隙基準(zhǔn)輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達(dá)到7.5 ppm，適用于電子鎮(zhèn)流器芯

功率器件
2016-01-15

電源技術(shù)解析
濾波器電路設(shè)計(jì)與方案詳解

有源電力濾波器(Active Power Filter，APF)作為一種用于動(dòng)態(tài)抑制諧波的電力電子裝置，其能夠同時(shí)補(bǔ)償多次諧波電流，能實(shí)時(shí)控制、自動(dòng)跟蹤非線性電流并加以控制，有較快的動(dòng)

功率器件
2016-01-15

電源技術(shù)解析控制
采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的包絡(luò)跟蹤電源支持20MHz LTE帶寬

本篇文章將進(jìn)一步闡述面向使用第四代移動(dòng)通信技術(shù)(4G)LTE頻帶的無(wú)線通信基站基礎(chǔ)設(shè)施并采用EPC8004高頻氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)的包絡(luò)跟蹤電源。包絡(luò)跟蹤電源是以多相位、采用零電壓開(kāi)關(guān)模式(ZVS)的同步降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，它可以支持20 MHz的大信號(hào)帶寬，并且以30 V電壓源提供60 W以上的平均負(fù)載功率。當(dāng)跟蹤峰均比(PAPR)為7 dB的20 MHz LTE包絡(luò)信號(hào)，可實(shí)現(xiàn)的平均總效率可高達(dá)92%。

功率器件
2016-01-15

晶體管電源電源技術(shù)解析
如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

在使用電子元器件時(shí)，你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行;從輸出

功率器件
2016-01-14

電源技術(shù)解析
大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案

LLC拓?fù)湓?00 W-600 W電源應(yīng)用中相當(dāng)普及，尤其在需要高能效開(kāi)關(guān)電源的方案。有別于市場(chǎng)上采用傳統(tǒng)電壓控制工作模式的LLC方案，安森美半導(dǎo)體的NCP1399是業(yè)界首款采用電流控

功率器件
2016-01-14

控制器電源技術(shù)解析 AC-DC
大功率LED驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)重要技術(shù)特點(diǎn)

隨著大功率LED技術(shù)的成熟，大功率LED的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)顯得尤為重要。依據(jù)大功率LED器件的特性，如果驅(qū)動(dòng)電流過(guò)大或者工作溫度過(guò)高，超出LED元件的承受范圍，就極易致使LED器件損壞

功率器件
2016-01-14

電源技術(shù)解析控制
利用HFSS優(yōu)化法快速確定天線的相位中心

1.什么是天線相位中心天線所輻射出的電磁波在離開(kāi)天線一定的距離后，其等相位面會(huì)近似為一個(gè)球面，該球面的球心即為該天線的等效相位中心，如下圖(虛線表示該天線的等相位面

功率器件
2016-01-14

電源技術(shù)解析

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電源

Vishay IGBT功率模塊在TIG焊機(jī)中提高效率并降低傳導(dǎo)損耗

EMC理論基礎(chǔ)知識(shí)——接地設(shè)計(jì)

保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

使用光學(xué)鼠標(biāo)傳感器實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)測(cè)量

教你解決令人頭疼的晶振匹配和溫度漂移

詳解前端放大器內(nèi)部的不同ESD二極管架構(gòu)

步進(jìn)電機(jī)數(shù)控解決方案

保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

高電源抑制的帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)方案

濾波器電路設(shè)計(jì)與方案詳解

采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的包絡(luò)跟蹤電源支持20MHz LTE帶寬

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案

大功率LED驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)重要技術(shù)特點(diǎn)

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