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Litelfuste公司的兩種新型的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品性能優(yōu)于傳統(tǒng)的開關(guān)二極管
非常適合用于高頻開關(guān)式電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器之類的應(yīng)用
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壓敏電阻器的選用
本文主要講述壓敏電阻器的選用方法，主要是壓敏電阻器參數(shù)選定方法和壓敏電阻器使用中應(yīng)注意的事項。1、 壓敏電阻器參數(shù)選定方法(1)壓敏電壓V1ma的選定對于過壓保護方面的應(yīng)
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三極管原理最通俗的表達理解
本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解，希望對您的學(xué)習(xí)有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不會產(chǎn)生能量。但三極管
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功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析
功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計類型進行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器
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驅(qū)動電路頻率不足導(dǎo)致的IGBT失效分析
在IGBT的使用過程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當(dāng)驅(qū)動電路工作頻率相對IGBT開關(guān)頻率不足時，導(dǎo)致的IGBT失效問題。只有對IGBT失效原因進
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GaN功率放大發(fā)展?fàn)顟B(tài)評測
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)為提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大貢獻。 通過降低器件的寄生參數(shù)，以及采用更短的柵極長度和更高的工作電壓，GaN晶體管已實現(xiàn)更高的輸
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電源電路中的電容的選型和應(yīng)用：鉭電容/鋁電解電容
大家都知道，電解電容是很多電子設(shè)備壽命的短板，電源電路里離不開使用各種電容進行濾波、儲能、旁路等，了解電解電容的失效模式，根據(jù)應(yīng)用場合選擇參數(shù)合適的電解電容，是
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Vishay的新款鉭式電容器進一步提高容積效率以幫助便攜消費電子產(chǎn)品縮小體積
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新系列vPolyTan™表面貼裝聚合物鉭式電容器---T58系列，該電容器具有更高的容積效率，可用于手持式
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MCU晶體旁邊電容的作用及振蕩電路的分析
絕大多數(shù)的MCU愛好者對MCU晶體兩邊要接一個22pF附近的電容不理解，因為這個電容有些時候是可以不要的。參考很多書籍，講解的很少，往往提到最多的是起穩(wěn)定作用，負(fù)載電容之
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如何實現(xiàn)有效的MCU設(shè)計
微控制器被用作幾乎每個應(yīng)用可以想象在主控制元件。他們的權(quán)力和靈活性，讓他們?nèi)サ浇M件的大多數(shù)設(shè)計的心臟。關(guān)鍵要建立高效的設(shè)計中使用的MCU往往依賴于使功耗和性能之間的
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ESD引起集成電路損壞原理模式及實例
一.ESD引起集成電路損傷的三種途徑(1)人體活動引起的摩擦起電是重要的靜電來源，帶靜電的操作者與器件接觸并通過器件放電。(2)器件與用絕緣材料制作的包裝袋、傳遞盒和傳送
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從浪涌抗擾度的角度設(shè)計EMC前級電路
大家都知道，EMC描述的是產(chǎn)品兩個方面的性能，即電磁發(fā)射/干擾EME和電磁抗擾EMS。EME中又包含傳導(dǎo)干擾和輻射干擾;而EMS中又包含靜電抗擾、脈沖群抗擾、浪涌抗擾等。下面將從
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教你設(shè)計不規(guī)則形狀的PCB
在設(shè)計PCB的時候，我們市場會需要處理很多不規(guī)則形狀的PCB，我們預(yù)想中的完整 PCB 通常都是規(guī)整的矩形形狀。雖然大多數(shù)設(shè)計確實是矩形的，但是很多設(shè)計都需要不規(guī)則形狀的電
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使用能量收集到電源接入控制
電源是用于安裝門禁系統(tǒng)，如電子鎖的主要挑戰(zhàn)。能夠從環(huán)境中可提供成本更低，更容易整合和嵌合的和潛在供電這樣的裝置，使整個系統(tǒng)更加安全通過消除切斷電源的脆弱性。本文
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方案解析：高效率、高靈活性的USB－PD充電參考設(shè)計
隨著USB Type-C商用進程的加速，與之同步推進的USB-PD功率傳輸協(xié)議的發(fā)展也步入了快車道。在智能設(shè)備的電池容量越來越大的今天，這一基于新的USB接口標(biāo)準(zhǔn)，能夠承載更高電流
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