21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的穩(wěn)壓器ZXTR2105F,該產(chǎn)品把晶體管、齊納二極管及電阻器單片式集成起來,有效在高達60V的輸入情況下提供5V 15mA的
如今設備是越做越小,這個趨勢要求越來越小的精密電阻能夠支持越來越高的功率密度。這通常意味著只要可能就應該使用表貼片狀電阻。是這么個說法嗎?SMT技術也不是十全十美的
電容的用途非常多,主要有如下幾種:.隔直流:作用是阻止直流通過而讓交流通過。.旁路(去耦):為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。在電子電路中,去耦電容和旁路電
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙路 3V 至 30V 低功率運算放大器 LT6023,該器件具 30µV 最大輸入失調電壓,並可在 60µs 穩(wěn)定至 0.01%。
市場上最高電流POL產(chǎn)品滿足聯(lián)網(wǎng)應用日益增長的功率需求CUI Inc宣布推出最高電流數(shù)字負載點POL系列產(chǎn)品NDM3Z-90,這些器件專為滿足現(xiàn)今最先進的集成電路產(chǎn)品快速增長的功率
RFID與NFC有很多相似之處,除了應用場合以及使用頻段,他們也同時共享了許多行業(yè)標準,今天就為大家介紹其中兩個較常用的標準協(xié)議。RFID:許多人對于RFID的感性認識都來自一
先前的文章介紹了擴展中檔數(shù)字存儲示波器(DSO)基本功能的十個技巧(詳見:擴展示波器用途的十大技巧),本文將介紹另外十個技巧,它們可以幫助你節(jié)省時間,并使你成為公司的D
引言雙極結型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件,但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點,它們可以解決許多問題。我們可以發(fā)現(xiàn)過去由于這些元件太高成本而不可能實現(xiàn)的新應用,
全集成GaN FET功率級原型機幫助電源設計人員迅速了解GaN的極致優(yōu)勢21ic電源網(wǎng)訊 近日,德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布,兩家公司已達成協(xié)議,將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構,與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在
21ic電源網(wǎng)訊 EPC9115 DC/DC總線轉換器展示出配備專有驅動器的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)在一個傳統(tǒng)、已調節(jié)型的隔離式1/8磚式DC/DC轉換器的拓撲可以發(fā)揮的優(yōu)越性能。宜
21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款同步整流器APR3415及APR34330,滿足市場對提高便攜式充電器集成度和效率的要求。新器件把驅動電路與內部MOSFET結
參考設計令評估和實現(xiàn)新的基于GaN的晶體管和需要充分利用GaN器件的技術優(yōu)勢的AC-DC控制器成為事實安森美半導體 (ON Semiconductor),和功率轉換器專家Transphorm,先前宣布
30V至150V漏源擊穿電壓的19款新MOSFET可將功率密度提高達85%可靠性比額定結溫為150° C業(yè)內標準值的MOSFET高三倍21ic電源網(wǎng)訊 Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOS
MOSFET已經(jīng)是是開關電源領域的絕對主力器件。但在一些實例中,與MOSFET相比,雙極性結式晶體管 (BJT) 可能仍然會有一定的優(yōu)勢。特別是在離線電源中,成本和高電壓(大于 1kV