我們在做電路設(shè)計中三極管和mos管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì):1.三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制.2、成本問題:三極管便宜,mos管貴。3、功耗問題:三極管損耗大
可提供標準和定制解決方案,確切滿足要求Littelfuse公司是全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),日前宣布為其功率控制半導(dǎo)體系列新添兩款產(chǎn)品。 新的半橋電路IGBT模塊提供符合行業(yè)
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出3.3V并聯(lián)電壓參考ZXRE330,旨在提高產(chǎn)品的可靠性并降低功耗。ZXRE330提供表面貼裝SOT23和穿孔型TO92兩款封裝選擇,其引腳與
21ic訊 英飛凌科技股份公司今日推出全新的CoolMOSTMMOSFET無管腳SMD(表面貼裝)封裝:ThinPAK 5x6。移動設(shè)備充電器、超高清電視和LED燈具都必須滿足許多相互矛盾的要求。消費
本文提供一些簡單的低功率、能量采集方案,可被用來實現(xiàn)免維護的無線傳感器。此外,還會說明如何在提供穩(wěn)定的效能之際,還能壓低整體成本,特別是針對那些具成本效益的無線網(wǎng)絡(luò)區(qū)域。
文介紹了一種掉電后備電源的設(shè)計,采用超級電容作為儲能元件可長期浮充,大電流放電,提高了使用壽命;采用升壓型拓撲,優(yōu)化了超級電容容量配置,可在5V@5A條件下可在5V@5A 條件下,持續(xù)工作10s,并在電容因欠壓停止工作時,可迅速關(guān)斷輸出,輸出電壓單調(diào)下降,不產(chǎn)生振蕩,電性指標滿足絕大。
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點(控制和響應(yīng)),又有雙極
MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件,其驅(qū)動表面上看來是非常簡單,但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 USB 微型模塊 (μModule®) LTM2884,該器件整合了 USB 數(shù)據(jù)通信和 USB 電源,并針對地至地電位差和大共模瞬變提
25 V器件利用設(shè)計、封裝及材料技術(shù)以提供MOSFET能效基準,用于服務(wù)器及電信交換機應(yīng)用安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(
1 引言矩形金屬波導(dǎo)是微波/毫米波頻段的重要傳輸線形式,由于其高功率容量和低損耗的特性,在各種微波/毫米波的天線、接收機、發(fā)射機、測試測量和低損耗部件中有廣泛的應(yīng)用
本文介紹的是通過導(dǎo)入高效能控制演算法,以達到提升MI無線充電傳輸功率的目的。
這是《小波變換和motion信號處理》系列的第二篇,深入小波。第一篇我進行了基礎(chǔ)知識的鋪墊,第三篇主要講解應(yīng)用。在上一篇中講到,每個小波變換都會有一個mother wavelet,
這是《小波變換和motion信號處理》系列的第一篇,基礎(chǔ)普及。第二篇我準備寫深入小波的東西,第三篇講解應(yīng)用。記得我還在大四的時候,在申請出國和保研中猶豫了好一陣,骨子
MATLAB中進行軟件濾波仿真我身邊有些朋友說現(xiàn)在在學(xué)校學(xué)習(xí)什么拉氏變換,Z變換,傅立葉變換沒有用,傳遞函數(shù)沒有用,差分方程沒有用,只是紙上談兵,我這里先就傳遞函數(shù)和拉