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工程師該如何選擇電源？
由于電子產(chǎn)品的風(fēng)靡，能夠用多種電源供電的設(shè)備已經(jīng)屢見不鮮了。例如，工業(yè)手持式儀表或便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備大部分時間用電池供電，但一旦插入交流適配器或USB端口，就從交流
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電感、磁珠和零歐電阻的區(qū)別
電感是儲能元件，多用于電源濾波回路、LC振蕩電路、中低頻的濾波電路等，其應(yīng)用頻率范圍很少超過50MHz。對電感而言，它的感抗是和頻率成正比的。這可 以由公式：XL = 2&pi
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Vishay推出對環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器
器件具有1μF～500μF的容量和小尺寸占位21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布用于DC-link應(yīng)用的新款環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器
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封裝了硅晶體管裸片的S波段功率放大器(上)
雷達(dá)系統(tǒng)需要功率較高但是價格適當(dāng)?shù)墓虘B(tài)高功率放大器 (HPA)。有效的、低成本HPA 的設(shè)計對于昂貴的高頻、封裝式晶體管設(shè)備而言特別是一個挑戰(zhàn)。但是，通過去除封裝，可以節(jié)
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寬帶RF阻抗變壓器的設(shè)計
阻抗匹配器件常常用于高頻電路中，一般用來匹配元器件的阻抗和電路或系統(tǒng)的特性阻抗。在某些電路中，希望阻抗匹配能夠 實(shí)現(xiàn)多個八度音階頻率覆蓋范圍，同時插損很低。為了幫
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利用ADS設(shè)計低噪聲放大器
低噪聲放大器性能指標(biāo)及設(shè)計步驟低噪聲放大器的性能指標(biāo)頻率范圍: 2. 0 ～2. 25 GHz;信號源阻抗: 50Ω;增益> 10 dB;噪聲系數(shù)< 2 dB;穩(wěn)定性: Unconditional。設(shè)計步驟放
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射頻低噪聲放大器電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計
1、射頻LNA設(shè)計要求低噪聲放大器(LNA)作為射頻信號傳輸鏈路的第一級，它的噪聲系數(shù)特性決定了整個射頻電路前端的噪聲性能，因此作為高性能射頻接收電路的第一級LNA的設(shè)計必
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安森美半導(dǎo)體推出電機(jī)驅(qū)動智能功率模塊STK57FU391A-E
STK57FU391A-E是一款PFC轉(zhuǎn)換器和3相變頻器“二合一”智能功率模塊(IPM)，也稱混合集成電路(HIC)，用于高能效地驅(qū)動三相電機(jī)。它在單個封裝中集成了功率因數(shù)校正(PFC)轉(zhuǎn)換器、三相變頻器輸出段、預(yù)驅(qū)動電路以及保護(hù)電路。這器件的關(guān)鍵特性如下：內(nèi)置用于變頻器元件及PFC元件過流保護(hù)的保護(hù)端子；內(nèi)置預(yù)驅(qū)動低壓保護(hù)等保護(hù)電路；能使用帶內(nèi)置IC的啟動電路實(shí)現(xiàn)單電源驅(qū)動；直接輸入CMOS電平控制信號，可能無須需絕緣電路(光耦)；變頻器元件內(nèi)置防止上邊/下邊晶體管同時導(dǎo)通的電路；每個較低相位晶體管的射
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基于功耗限制的CMOS低曝聲放大器最優(yōu)化設(shè)計
在無線射頻接收機(jī)中，射頻信號要經(jīng)過諸如濾波器、低噪聲放大器及中頻放大器等單元模塊進(jìn)行傳輸。由于每個單元都有固有噪聲，從而造成輸出信噪比變差。采用多級級聯(lián)的系統(tǒng)
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ADI公司推出超低功耗升壓調(diào)節(jié)器
ADI 公司的 ADP5090 提供低光功率轉(zhuǎn)換和多電源路徑管理功能。Analog Devices, Inc. 日前推出適用于光伏和熱電能量采集系統(tǒng)的業(yè)內(nèi)最高效的超低功耗升壓調(diào)節(jié)器 ADP5090。ADP5
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英飛凌推出具備輸出功率700瓦的L波段晶體管 可降低系統(tǒng)成本并提高可靠性
英飛凌科技股份公司今日宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦)，適用于工作頻率范圍為1200 MHz—1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新
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Vishay新款精密薄膜片式電阻功率等級達(dá)2W
器件采用耐潮的鉭氮化物膜，TCR為±25ppm/℃，公差低至±0.1%日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將2512外形尺寸的PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的功
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意法半導(dǎo)體（ST)推出新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT）
最新的高速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)兼具近乎完美的開關(guān)能效和650V的寬額定工作電壓，為應(yīng)用設(shè)計提供更高的安全系數(shù)意法半導(dǎo)體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT，Insulated-G
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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)充StrongIRFET系列，為高性能運(yùn)算和通信等應(yīng)用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件，具有
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Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎
采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第
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