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工程師該如何選擇電源？
由于電子產品的風靡，能夠用多種電源供電的設備已經屢見不鮮了。例如，工業(yè)手持式儀表或便攜式醫(yī)療診斷設備大部分時間用電池供電，但一旦插入交流適配器或USB端口，就從交流
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電感、磁珠和零歐電阻的區(qū)別
電感是儲能元件，多用于電源濾波回路、LC振蕩電路、中低頻的濾波電路等，其應用頻率范圍很少超過50MHz。對電感而言，它的感抗是和頻率成正比的。這可 以由公式：XL = 2&pi
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Vishay推出對環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器
器件具有1μF～500μF的容量和小尺寸占位21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布用于DC-link應用的新款環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器
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封裝了硅晶體管裸片的S波段功率放大器(上)
雷達系統(tǒng)需要功率較高但是價格適當的固態(tài)高功率放大器 (HPA)。有效的、低成本HPA 的設計對于昂貴的高頻、封裝式晶體管設備而言特別是一個挑戰(zhàn)。但是，通過去除封裝，可以節(jié)
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寬帶RF阻抗變壓器的設計
阻抗匹配器件常常用于高頻電路中，一般用來匹配元器件的阻抗和電路或系統(tǒng)的特性阻抗。在某些電路中，希望阻抗匹配能夠 實現多個八度音階頻率覆蓋范圍，同時插損很低。為了幫
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利用ADS設計低噪聲放大器
低噪聲放大器性能指標及設計步驟低噪聲放大器的性能指標頻率范圍: 2. 0 ～2. 25 GHz;信號源阻抗: 50Ω;增益> 10 dB;噪聲系數< 2 dB;穩(wěn)定性: Unconditional。設計步驟放
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射頻低噪聲放大器電路的結構設計
1、射頻LNA設計要求低噪聲放大器(LNA)作為射頻信號傳輸鏈路的第一級，它的噪聲系數特性決定了整個射頻電路前端的噪聲性能，因此作為高性能射頻接收電路的第一級LNA的設計必
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安森美半導體推出電機驅動智能功率模塊STK57FU391A-E
STK57FU391A-E是一款PFC轉換器和3相變頻器“二合一”智能功率模塊(IPM)，也稱混合集成電路(HIC)，用于高能效地驅動三相電機。它在單個封裝中集成了功率因數校正(PFC)轉換器、三相變頻器輸出段、預驅動電路以及保護電路。這器件的關鍵特性如下：內置用于變頻器元件及PFC元件過流保護的保護端子；內置預驅動低壓保護等保護電路；能使用帶內置IC的啟動電路實現單電源驅動；直接輸入CMOS電平控制信號，可能無須需絕緣電路(光耦)；變頻器元件內置防止上邊/下邊晶體管同時導通的電路；每個較低相位晶體管的射
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基于功耗限制的CMOS低曝聲放大器最優(yōu)化設計
在無線射頻接收機中，射頻信號要經過諸如濾波器、低噪聲放大器及中頻放大器等單元模塊進行傳輸。由于每個單元都有固有噪聲，從而造成輸出信噪比變差。采用多級級聯的系統(tǒng)
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ADI公司推出超低功耗升壓調節(jié)器
ADI 公司的 ADP5090 提供低光功率轉換和多電源路徑管理功能。Analog Devices, Inc. 日前推出適用于光伏和熱電能量采集系統(tǒng)的業(yè)內最高效的超低功耗升壓調節(jié)器 ADP5090。ADP5
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英飛凌推出具備輸出功率700瓦的L波段晶體管 可降低系統(tǒng)成本并提高可靠性
英飛凌科技股份公司今日宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦)，適用于工作頻率范圍為1200 MHz—1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新
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Vishay新款精密薄膜片式電阻功率等級達2W
器件采用耐潮的鉭氮化物膜，TCR為±25ppm/℃，公差低至±0.1%日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將2512外形尺寸的PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的功
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意法半導體（ST)推出新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT）
最新的高速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)兼具近乎完美的開關能效和650V的寬額定工作電壓，為應用設計提供更高的安全系數意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT，Insulated-G
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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器件，具有
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Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產品獎
采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第
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