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飛兆半導體的陽極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產品獎
高壓IGBT可減少高功率感應加熱應用中的總功率損耗和電路板面積21ic 飛兆半導體——全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦
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DIALOG SEMICONDUCTOR PWM 控制器 降低智能手機電源BOM成本和待機功耗
iW1679數字AC/DC PWM控制器首度以低成本BJT取代5V/2A適配器和充電器中的FET21ic訊 Dialog Semiconductor plc 日前推出業(yè)內首個可輕松、高效驅動低成本、10W功率雙極晶體管
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發(fā)揮DIY全橋修正弦波逆變器誕生記
家里本來有臺24V的純正弦UPS，但它空載電流1.16A，太大了，發(fā)揮DIY精神自做了一臺修正弦一頻逆變。本來用高頻方式，技術已經很成熟了，但有一個最大的不足，就是啟動CRT彩電
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小功率低成本直線電動機專用變頻器設計
根據直線電動機基本原理，以M30620單片機為核心，SKIIP09NAC25T10模塊為驅動，結合相關外圍電路，設計出直線電動機專用變頻器，該變頻器結構緊湊性能穩(wěn)定，價格低廉，可廣泛
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電子電路設計的基礎知識
一、 電子電路的設計基本步驟：1、 明確設計任務要求：充分了解設計任務的具體要求如性能指標、內容及要求，明確設計任務。2、 方案選擇：根據掌握的知識和資料，針對設計提
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可提供13W到70W功率的PoE+電路設計指南
以太網供電(PoE+)應用目前遵循IEEE標準802.3af，它即將在今年的第二季度被802.3at(PoE+)所替代，新的PoE+標準將可為用電設備(PD)提供大約2倍的功率。本文提出一個簡單的工作
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晶體管開關電路的加速電容器
飽和開關的問題點：OFF延時時間如圖1所示，使場效應晶體管開關動作時，加給晶體管的基極電流IB：是IB=IC/hFE，決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓V
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射極跟隨器時的功率MOSFET的驅動
功率MOSFET的驅動當然色可使明射極跟隨器。最近，制作了很多使用功率MOSFET的高速開關電源。觀察開關電源用控制IC的數據表，就會發(fā)現作為功率MOS的常見驅動的設備。代表性的
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MC33035的驅動輸出電路
MC33035的3個上側驅動輸出(1、2、24腳)是集電極開路的NPN型晶體管，其吸入電流能力為50mA，耐壓為40V，可用來驅動外接逆變橋上橋臂的NPN型功率晶體管和P溝道MOSFET功率管。
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控制電路與功率驅動電路的隔離
為了減小干擾，增加控制電路的可靠性，在系統(tǒng)設計時，將控制電路與功率驅動電路完全分開，功率部分與控制部分不共地而控制信號采用光電隔離，其中主要的控制信號為PWM信號。
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一款-48V轉5VSTBY電源電路的設計
引言現代電子技術的應用迅速地發(fā)展，對電子儀器和設備要求性能上更加安全可靠，功能上，不斷地增加。在使用上自動化程度越來越高。在體積上，要日趨小型化。這使采用具有眾
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標準CMOS工藝集成肖特基二極管設計與實現
隨著射頻無線通訊事業(yè)的發(fā)展，高性能低成本的射頻設計方案越來越受到人們的親睞。肖特基勢壘二極管在射頻電路中是重要的元件組成，屬于一種多數載流子器件，高頻性能非常優(yōu)越。本文主要介紹一種在標準CMOS工藝的基礎上，提出的集成肖特基二極管設計方法，并且該方法在charted 0.35μm工藝中以MPW的方式得以實現。
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美高森美新型新型較大功率和較高電壓MOSFET器件 瞄準RF和寬帶通信應用
VRF2944在50V供電電壓下提供業(yè)界最高輸出功率21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) MOSFET產品系列，兩款更大功率
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從印制板到反激電源/開關電源設計
談多年開關電源的設計心得，從開關電源印制板的設計、印制板布線、印制板銅皮走線、鋁基板和多層印制板在開關電源中的應用，到反激電源的占空比，絕對的實踐精華!開關電源印
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介紹倍壓整流電路結構的優(yōu)缺點
倍壓整流電路的實質是電荷泵。在一些需用高電壓、小電流的地方，常常使用倍壓整流電路。倍壓整流，可以把較低的交流電壓，用耐壓較低的整流二極管和電容器，“整&rdqu
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