MC33035的3個上側(cè)驅(qū)動輸出(1、2、24腳)是集電極開路的NPN型晶體管，其吸入電流能力為50mA，耐壓為40V，可用來驅(qū)動外接逆變橋上橋臂的NPN型功率晶體管和P溝道MOSFET功率管。3個下側(cè)驅(qū)動輸出(19、20、21腳)是推挽輸出，電流能力為100mA，可直接驅(qū)動外接逆變橋的PNP型功率晶體管和N溝道功率MOSFET。下側(cè)驅(qū)動輸出的電源VC由18腳單獨引人，與供給電機的電源Vcc分開。為配合標淮MOSFET柵漏電壓不大于20V的限制，18腳上宜接一個18V穩(wěn)壓二極管進行鉗位。

如圖所示為三相全波換相波形圖，它給出了輸入的位置傳感器信號、6個驅(qū)動輸出、電機相電流對應(yīng)時序圖。圖中第1個周期表示了無PWM的情況，而第2個周期是有50%PWM的情況。

這里的位置傳感器BLDCM驅(qū)動電路的逆變橋采用MOTOROLA公司生產(chǎn)的MPM3003三相逆變橋功率模塊，它是12腳功率封裝型的三相電橋。上側(cè)3個晶體管是導(dǎo)通電阻為0.28Ω的p溝道功率MOSFET管，下側(cè)3個晶體管是導(dǎo)通電阻為0.15Ω的N溝道功率MOSFET管，6個管子的漏源額定電壓為60V，電流為10A。各功率管均有反向續(xù)流二極管，供電電源壓降為10～30V。

這種新型的MOS功率管具有比第1代MOS功率管更穩(wěn)定來用的特點。首先，新型MOS功率管內(nèi)部接有漏一源二極管，因此能承受更大的電流或電壓變化，而第1代MOS功率管常因反向恢復(fù)二極管的過載而損壞;其次，短暫的漏一源過電壓不易使其損壞;而且，MPM3003內(nèi)部的MOS管柵一源間最小額定擊穿電壓為40V，而工業(yè)標準為20V。擊穿電壓高，不僅可提高管子對靜電放電和意外的柵一源電壓脈沖的承受力，而且對所有工作電壓來說，柵極氧化層的工作壽命都可延長。

MPM3003還具有體積小，隔離封裝等優(yōu)點。與安裝6個分立TO-220型MOS管子相比，MPM3003的安裝簡便，且所需引腳面積約小一半。MPM3003的引腳框架為鍍鎳銅，可減小熱阻，起散熱器的作用。鋁襯外涂環(huán)氧樹脂薄膜作絕緣層。為便于框架與鋁襯連附，環(huán)氧樹脂薄膜上的銅箔經(jīng)過蝕刻，使其在芯片周圍形成小島，鑄模前將鋁襯熔到銅箔中。這種結(jié)構(gòu)能降低熱阻，防止陶瓷隔離材料的脆性，并降低其耗用量。