關鍵字:鋰電池 保護電路 電池管理隨著技術的進步和對環(huán)保要求的提高,鋰電池正在逐漸成為充電電池的主流,尤其在移動電子產品領域,鋰電池依靠較高的能量密度,已經幾乎占領了所有的市場。但是在一些對動力要求比較
BUCK電路拓撲T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT),當時,T導通。 D:續(xù)流二極管。 L和C組成LPF。二、工作原理四、假設及參數(shù)計算 1.T,D均為理想器件 2.L較大,使得在一個周期內電流連續(xù)且無內阻 3.直流輸出電壓
電壓型單相半橋式整流電路一、主電路的結構 1、倍壓電路:如果假定T1/T2始終處于關斷狀態(tài),則輸入電壓正半周期間D1/on,電容Cd1上直流電壓uc1近似等于輸入電源的峰值uNm;同理可知,電容Cd2上直流電壓uc2 近似等于
可編程邏輯器件(PLD,Programmable Logic Device)的靈活性一直受到電子工程師的喜愛,但在各種移動式消費類電子產品市場仍然是ASIC芯片的天地。有幾個原因阻礙著CPLD器件進入移動設備市場,尤其是各種基于電池供電的
近年來,隨著電力電子技術、微電子技術及大規(guī)模集成電路的發(fā)展,生產工藝的改進及功率半導體器件價格的降低,變頻器越來越為工業(yè)領域所普遍采用。變頻器的使用可以提高生產效率,提高設備自動化程度水平,而且在降低
21ic訊 中國,2011年12月27日 —— 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功
功率MOS場效應晶體管是新一代電力電子開關器件,在微電子工藝基礎上實現(xiàn)電力設備高功率大電流的要求。自從垂直導電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結構誕生以來,電力MOSFET得到
在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。UCD9110
1.引言開關電源因體積小、重量輕、效率高、性能穩(wěn)定等優(yōu)點在電子、電器設備、家電等領域得到了廣泛的應用,進入了快速發(fā)展期。開關電源的基本工作原理為:在不同的負載情況下,反饋控制電路通過改變功率開關管的占空
基于電感的開關電源(SM-PS)包含一個功率開關,用于控制輸入電源流經電感的電流。大多數(shù)開關電源設計選擇MOSFET作開關(圖1a中Q1),其主要優(yōu)點是MOSFET在導通狀態(tài)具有相對較低的功耗。 MOSFET完全打開時的導
1 引言 直流27V變?yōu)榻涣?15V、400Hz的逆變電源在部隊和船舶上應用廣泛, 有較大需求。針對這一情況,我們研制了800VA的單相靜態(tài)逆變電源,該電源采用直流27V輸入,可以輸出115V、400Hz的正弦波電壓。并且用3臺同
傳統(tǒng)的交通燈有以下幾個缺點:反光碗的存在導致了假顯示效果的出現(xiàn),假顯示效果會引起嚴重的交通事故;壽命短、維護費用高;耗能高。針對傳統(tǒng)交通燈的缺點,采用LED發(fā)光源設計的交通燈,具有可視性強、功耗低、節(jié)能、
模擬工程師以前在設計需要具有多路輸出、動態(tài)負載共享、熱插拔或廣泛故障處理能力的電源時,往往需要與復雜性抗爭。利用模擬電路來實現(xiàn)系統(tǒng)控制功能并非總是經濟有效或靈活的。采用模擬技術設計電源需要使用“過
設想是采用兩路逆變,通過LC振蕩生成兩路正弦波,然后將兩路正弦波串聯(lián)送入高壓包的原邊。開關器件選擇最為普通的富士IGBT:1MBH10D-060,其驅動也選擇較為常見的HL402來完成,對驅動的控制打算用430單片機來做,這是
電纜與連接器故障在LAN(局域網)中相對較常見。圖1的電路可以測試直通或交叉式10BaseT、100BaseT或千兆位UTP(非屏蔽雙絞線)和STP(屏蔽雙絞線)電纜。電路會對每個鏈接線對作一次連續(xù)測試。當電纜兩端RJ-45連接器