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  • 英特爾以最先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)獲得美國(guó)國(guó)防部訂單

    英特爾憑借其最新的異構(gòu)集成原型(SHIP)技術(shù)，獲得了美國(guó)國(guó)防部的第二階段東單。 SHIP計(jì)劃使美國(guó)政府能夠利用英特爾在亞利桑那州和俄勒岡州的最先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，并利用英特爾每年花費(fèi)數(shù)百億美元的研發(fā)和制造投資所帶來(lái)的積累。 SHIP是由國(guó)防部副部長(zhǎng)辦公室負(fù)責(zé)研究和推進(jìn)的工程，并由“受信任和有保證的微電子”計(jì)劃資助。該計(jì)劃的第二階段將開(kāi)發(fā)多芯片封裝的原型，并加快接口標(biāo)準(zhǔn)，協(xié)議和異構(gòu)系統(tǒng)安全性的發(fā)展。 SHIP原型將把專(zhuān)用的政府芯片與Intel的高級(jí)商用芯片產(chǎn)品集成在一起，包括現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列，專(zhuān)用集成電路和CPU。這種技術(shù)組合為美國(guó)政府的行業(yè)合作伙伴提供了新的途徑，可以在利用英特爾在美國(guó)的制造能力的同時(shí)開(kāi)發(fā)適用于現(xiàn)代化政府的關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)。 為了確保美國(guó)國(guó)防工業(yè)基地能夠繼續(xù)為國(guó)家安全提供最先進(jìn)的電子產(chǎn)品，國(guó)防部(DoD)必須與美國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司合作，”國(guó)防研究與工程部副部長(zhǎng)辦公室席的微電子學(xué)首席主管 Nicole Petta說(shuō)。“國(guó)防部微電子路線(xiàn)圖認(rèn)識(shí)到與行業(yè)建立戰(zhàn)略伙伴關(guān)系的重要性。該路線(xiàn)圖還優(yōu)先考慮并認(rèn)識(shí)到，隨著過(guò)程擴(kuò)展速度的降低，異構(gòu)組裝技術(shù)對(duì)于國(guó)防部和我們國(guó)家都是至關(guān)重要的投資。SHIP直接為推進(jìn)國(guó)防部路線(xiàn)圖中概述的目標(biāo)做出了貢獻(xiàn)，國(guó)防部期待與這項(xiàng)技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者英特爾合作。”Nicole Petta補(bǔ)充。 所謂異構(gòu)封裝，則允許將多個(gè)單獨(dú)制造的集成電路die(芯片)組裝到單個(gè)封裝上，從而在降低功耗，尺寸和重量的同時(shí)提高性能。SHIP使美國(guó)政府可以使用英特爾包括嵌入式多芯片互連橋 (EMIB)，3D Foveros 和 Co-EMIB (將EMIB和Foveros結(jié)合使用)在內(nèi)的的先進(jìn)異構(gòu)封裝技術(shù)。 除此之外，Intel還與桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Sandia National Laboratories)建立了合作伙伴關(guān)系，以測(cè)試神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的放大潛力。 英特爾于2017年推出的名為L(zhǎng)oihi的神經(jīng)形態(tài)芯片旨在直接模仿人腦的行為，它已經(jīng)學(xué)會(huì)了聞，觸摸甚至幫助使用輪椅的兒童。英特爾目前處于神經(jīng)形態(tài)研究的第五代產(chǎn)品。今年早些時(shí)候，英特爾將Loihi擴(kuò)展到一個(gè)名為Pohoiki Springs的系統(tǒng)中，該龐然大物包含768個(gè)Loihi芯片，每個(gè)芯片有128個(gè)內(nèi)核，約有131,000個(gè)內(nèi)核模擬計(jì)算的“神經(jīng)元”(全系統(tǒng)總計(jì)約1億個(gè)數(shù)字神經(jīng)元)。Pohoiki Springs是一個(gè)“試驗(yàn)氣球”，即使是很大的氣球，最初只是通過(guò)云提供給Intel Neuromorphic研究社區(qū)(INRC)的成員使用。 但是，英特爾最新的大規(guī)模神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)部署將完全是另一回事。通過(guò)與桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Sandia National Laboratories)達(dá)成的三年協(xié)議，英特爾將提供基于Loihi的系統(tǒng)，為合作的后期階段奠定基礎(chǔ)。從我們對(duì)英特爾即將面世的神經(jīng)形態(tài)體系結(jié)構(gòu)和英特爾最大的神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)的交付進(jìn)行大規(guī)模研究的了解。雖然他們的第一個(gè)系統(tǒng)將達(dá)到大約5000萬(wàn)個(gè)計(jì)算神經(jīng)元(大概包含384個(gè)Loihi芯片)，但后一個(gè)系統(tǒng)“在計(jì)算能力上可能會(huì)超過(guò)十億個(gè)神經(jīng)元”，約相當(dāng)于7600多個(gè)Loihi芯片。” 英特爾在過(guò)去幾年中迅速擴(kuò)大了神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的規(guī)模，這標(biāo)志著人們對(duì)這項(xiàng)新技術(shù)的信心–鑒于早期的結(jié)果表明該技術(shù)在Pohoiki Springs上的能源效率比美國(guó)最先進(jìn)的CPU高出四個(gè)數(shù)量級(jí)，因此英特爾相信這種信心已經(jīng)得到了充分的肯定。桑迪亞(Sandia)的目標(biāo)是確定最適合應(yīng)用神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的領(lǐng)域，以幫助解決美國(guó)一些最緊迫的問(wèn)題，例如能源和國(guó)家安全。 “通過(guò)使用神經(jīng)形態(tài)計(jì)算架構(gòu)的高速，高效和自適應(yīng)功能，桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室將探索對(duì)我們國(guó)家安全越來(lái)越重要的高需求且不斷發(fā)展的工作負(fù)載的加速，”英特爾神經(jīng)形態(tài)計(jì)算實(shí)驗(yàn)室 的主任Mike Davies說(shuō)?！拔覀兤诖M(jìn)行富有成效的合作，從而開(kāi)發(fā)出下一代神經(jīng)形態(tài)工具，算法和系統(tǒng)，這些神經(jīng)形態(tài)工具，算法和系統(tǒng)可以擴(kuò)展到十億個(gè)神經(jīng)元水平甚至更高。” 為了使英特爾的神經(jīng)形態(tài)計(jì)算步入正軌，桑迪亞將評(píng)估各種尖峰神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)工作負(fù)載的擴(kuò)展范圍，從物理建模到大規(guī)模深層網(wǎng)絡(luò)，這些工作負(fù)載可很好地表明芯片適用于粒子相互作用仿真。 桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Sandia National Laboratories)是為國(guó)家核安全局(NNSA)服務(wù)的三個(gè)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室之一，作為國(guó)家核武器儲(chǔ)備的管理者，該實(shí)驗(yàn)室對(duì)粒子和流體模擬特別感興趣，并且剛剛宣布了HPE的另一臺(tái)大型超級(jí)計(jì)算機(jī)(由即將推出的Sapphire Rapids Xeons提供動(dòng)力)。 Sandia國(guó)家實(shí)驗(yàn)室長(zhǎng)期以來(lái)一直處于大規(guī)模計(jì)算的領(lǐng)先地位，它使用該國(guó)一些最先進(jìn)的高性能計(jì)算機(jī)來(lái)提高國(guó)家安全性。隨著對(duì)實(shí)時(shí)，動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)處理的需求變得越來(lái)越迫切，我們正在探索全新的計(jì)算范式，例如神經(jīng)形態(tài)架構(gòu)。 桑迪亞技術(shù)人員主要成員Craig Vineyard：“我們的工作幫助桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室保持了在計(jì)算領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，而英特爾神經(jīng)形態(tài)研究小組的這項(xiàng)新努力將把這一遺產(chǎn)延續(xù)到未來(lái)?！?

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  • 蘋(píng)果放棄x86改用自研處理器的背后原因

    蘋(píng)果在WWDC大會(huì)上正式宣布：Mac電腦將將從x86處理器換到自研的處理器。ARM陣營(yíng)正式成為桌面電腦的選擇之一，辦公、游戲全都OK。發(fā)布會(huì)上庫(kù)克宣布在年底會(huì)推出第一款搭載自研 ARM 芯片的 Mac，但仍舊會(huì)推出搭載 Intel CPU 的 Mac 新品。 蘋(píng)果計(jì)劃在兩年內(nèi)完成 App 生態(tài)的轉(zhuǎn)換，但肯定不會(huì)在 2 年后就放棄 Intel CPU Mac 的軟件支持，這個(gè)變化一定是漸進(jìn)的，平緩的。 首普遍認(rèn)為以下三點(diǎn)是棄用Intel CPU的主要原因： 14nm、10nm節(jié)點(diǎn)接連延期，直接影響水果的產(chǎn)品迭代 ; 層出不窮的安全性漏洞，讓包括水果在內(nèi)的業(yè)界疲于應(yīng)付 ; TSMC 5nm已可以打造滿(mǎn)足水果要求的ARM-based CPU。 2005年6月，Steve Jobs在WWDC上正式宣布，Mac系列即將采用Intel Core系列CPU，并結(jié)束與Motorola、IBM的合作。他談到了他對(duì)PowerPC的失望，那時(shí)他認(rèn)為PowerPC性能是不足的，開(kāi)發(fā)路線(xiàn)是模糊的，功耗也是巨大的，所以更換了更有潛力的Intel。 但是從蘋(píng)果宣布采用Intel的處理器的Mac之后，macOS就開(kāi)始被不少PC使用者垂涎，從而出現(xiàn)了一大批未購(gòu)買(mǎi)蘋(píng)果機(jī)而使用蘋(píng)果操作系統(tǒng)的機(jī)器，這種就被稱(chēng)為黑蘋(píng)果(Hackintosh)。而黑蘋(píng)果的初期探路者多是程序員、開(kāi)發(fā)者、電腦黑客等，對(duì)蘋(píng)果造成一定損失。 對(duì)芯片來(lái)說(shuō)性能及功耗是永恒的話(huà)題，而蘋(píng)果自研芯片的Mac電腦定位有所不同，與傳統(tǒng)的CPU廠商不同，蘋(píng)果在自研芯片上積累了很多技術(shù)，推出的自研芯片實(shí)際上整合了大量子單元，除了CPU、GPU之外還有NPU、音頻、視頻等等，更重要是將自家的軟件整合在一起。 首先有利掌握硬件發(fā)布的節(jié)奏，第二估計(jì)是希望自己的生態(tài)進(jìn)一步閉環(huán)。促進(jìn)自家對(duì)Mac生態(tài)的掌控能力。畢竟蘋(píng)果對(duì)Mac的把控沒(méi)有iOS那么強(qiáng)，Macbook可以裝win，其他電腦借助intel芯片黑蘋(píng)果。軟件分發(fā)主要途徑并不是app store，削弱了蘋(píng)果從硬件上持續(xù)盈利的能力。 Mac年出貨只有1700萬(wàn)臺(tái)。而且未來(lái)銷(xiāo)量完全是不可預(yù)計(jì)的。比如今年一季度直接暴跌20%，掉到宏碁后面成為第5。換用ARM芯片對(duì)銷(xiāo)量影響是正是負(fù)，完全取決于生態(tài)遷移速度，以及未來(lái)intel和 AMD的芯片性能增長(zhǎng)速度。硬件成本是否降低完全是銷(xiāo)量決定的。 其實(shí)Mac生態(tài)全部遷移到Arm架構(gòu)的意義并不僅僅在于Mac本身。 Mac遷移到ARM架構(gòu)也有助于推動(dòng)Mac和iPad Pro的生態(tài)融合，很可能未來(lái)有一天，iPad能夠支持轉(zhuǎn)譯過(guò)后的Mac應(yīng)用，那么這個(gè)時(shí)候的iPad Pro也會(huì)成為毫無(wú)疑問(wèn)的生產(chǎn)力工具。 蘋(píng)果有了之前自身從Power PC向英特爾x86過(guò)度的經(jīng)驗(yàn)，這次從微軟X86轉(zhuǎn)移到ARM的好處顯而易見(jiàn)。 ARM芯片未來(lái)究竟是只存在于Mac的生態(tài)圈中，還是普遍應(yīng)用于超極本上，和X86架構(gòu)實(shí)現(xiàn)共存，亦或擊敗X86取而代之，目前無(wú)人能知。

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  • 第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正向中國(guó)轉(zhuǎn)移，國(guó)際合作與國(guó)產(chǎn)化缺一不可

    1956年，IBM發(fā)明了第一塊硬盤(pán)，其容量?jī)H5M，重量卻高達(dá)1噸。上世紀(jì)五十年代德州儀器(TI)發(fā)明了半導(dǎo)體。隨后，第一個(gè)晶體管、第一個(gè)集成電路、第一個(gè)微處理器都來(lái)自美國(guó)。 美國(guó)作為半導(dǎo)體的發(fā)明國(guó)，至今為止，其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，依然有超過(guò)一半的話(huà)語(yǔ)權(quán)。 至今半導(dǎo)體已經(jīng)發(fā)生了兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，但依然不能從根本上影響美國(guó)。正在發(fā)生的第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，美國(guó)正努力地捍衛(wèi)自己的主導(dǎo)地位。 上世紀(jì)70年代日本獲得美國(guó)半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)讓技術(shù)，開(kāi)始進(jìn)軍半導(dǎo)體領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生了第一次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。70年代，日本日立、三菱、東芝、富士通、日本電器聯(lián)合成立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，奠定了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。 當(dāng)時(shí)日本半導(dǎo)體最高峰時(shí)，占美國(guó)80%的市場(chǎng)。日本當(dāng)時(shí)能迅速發(fā)展，原因在于，一方面得到了美國(guó)的轉(zhuǎn)讓技術(shù)，一方面美國(guó)只把技術(shù)用于美軍事領(lǐng)域。是日本把半導(dǎo)體帶入百姓家，典型當(dāng)屬日本的收音機(jī)。 日本曾一度想收購(gòu)美國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)袖公司——仙瞳半導(dǎo)體。這引起了美國(guó)的注意，在80年開(kāi)始對(duì)日本下絆腳石。最終美日鑒定了“廣場(chǎng)協(xié)議”，日元被迫升值。并一邊對(duì)其征收100%的進(jìn)口關(guān)稅，一邊要求日本開(kāi)放市場(chǎng)。且保證美國(guó)企業(yè)的市場(chǎng)份額不低于20%。 由于美國(guó)的干預(yù)，韓國(guó)、新加坡以及中國(guó)臺(tái)灣填補(bǔ)了市場(chǎng)空缺，得以迅速發(fā)展。第二次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)生在80年代。臺(tái)積電于1987年成立，如今成為了技術(shù)含量最高的代工廠。 第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)生在90年代末，半導(dǎo)體的封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，開(kāi)始向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移(當(dāng)時(shí)主要是外資建廠)。 隨著國(guó)家2014年“大基金”一期1387億的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以初見(jiàn)成效。中芯國(guó)際、上海微電子、紫光集團(tuán)等企業(yè)已經(jīng)成為中國(guó)半導(dǎo)體的砥柱中流。 2019年國(guó)家“大基金”二期2000億，繼續(xù)為半導(dǎo)體輸液。值得注意的是，國(guó)家把集成電路納入“十四五”計(jì)劃，將投資1.4萬(wàn)億美元用于研發(fā)芯片和支持無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)、人工智能等高科技技術(shù)領(lǐng)域的全面發(fā)展。 ASML正把握第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的機(jī)會(huì)，加快布局中國(guó)市場(chǎng)。今年9月ASML全球副總裁沈波表示，ASML作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的合作伙伴，將加快在中國(guó)市場(chǎng)的布局。 對(duì)于，這次ASML公司的舉動(dòng)，網(wǎng)友們卻有另外一番說(shuō)法。 一、看到中科院要把光刻機(jī)納入科研清單加速?lài)?guó)產(chǎn)化后，才作出的決定; 二、ASML是人為“擠牙膏”，高端不賣(mài)，低端看好時(shí)機(jī)出貨。 ASML的EUV光刻機(jī)，一枝獨(dú)秀。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移正在中國(guó)發(fā)生，必須要國(guó)際合作與國(guó)產(chǎn)化同時(shí)兼顧。

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  • 從處理器的主體結(jié)構(gòu)角度，了解華為麒麟芯片

    華為麒麟芯片集處理器和基帶、射頻、AI于一身，統(tǒng)稱(chēng)為Soc(系統(tǒng)級(jí)處理器)。三星、高通、蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科等手機(jī)芯片也同樣類(lèi)型。Soc簡(jiǎn)稱(chēng)處理器，是基于ARM架構(gòu)構(gòu)建出芯片。 從處理器的主體結(jié)構(gòu)了解，就會(huì)明白其中的內(nèi)涵。 處理器主要包含：內(nèi)核、指令集架構(gòu)、微架構(gòu)。 內(nèi)核：內(nèi)核就是CPU最核心的部分，簡(jiǎn)單理解就是管理和計(jì)算。比如資源分配、執(zhí)行命令、多核資源協(xié)調(diào)。 指令集架構(gòu)：ARM的指令集就是RISC。簡(jiǎn)單理解就是手機(jī)操作系統(tǒng)與CPU內(nèi)核進(jìn)行溝通的橋梁。內(nèi)核完全不懂外界做什么，只能根據(jù)指令集執(zhí)行操作。 微架構(gòu)：微架構(gòu)簡(jiǎn)單理解就是具體功能的實(shí)現(xiàn)形式。譬如處理器與基帶、內(nèi)存、存儲(chǔ)怎樣協(xié)同工作，包含內(nèi)部電路、晶體管等復(fù)雜的設(shè)計(jì)。并在某指令集內(nèi)，構(gòu)建出架構(gòu)。也就是說(shuō)同指令集可能有不同設(shè)計(jì)方案的微架構(gòu)。 這個(gè)設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)ARM芯片時(shí)，就有兩種方案。一是買(mǎi)處理器授權(quán)模式;二是買(mǎi)指令集授權(quán)模式。 第一種設(shè)計(jì)模式也不是拿來(lái)就可以用。要把每個(gè)模塊都協(xié)調(diào)好，發(fā)揮特定功能是一件了不起的事情。反過(guò)來(lái)講，ARM公司即使設(shè)計(jì)出了芯片架構(gòu)，要其設(shè)計(jì)一顆基帶芯片，也是很難做到的。 簡(jiǎn)單地講，開(kāi)發(fā)出CAD軟件的公司，不一定能設(shè)計(jì)出飛機(jī)。 第二種設(shè)計(jì)模式，只購(gòu)買(mǎi)指令集。自己設(shè)計(jì)微架構(gòu)，也就是設(shè)計(jì)出一款符合指令集的處理器。 兩種方案，第一種相對(duì)簡(jiǎn)單，第二種增加了微架構(gòu)設(shè)計(jì)，難度較大。但是指令集的版本相同，微架構(gòu)實(shí)現(xiàn)的功能相差也不大。性能上可能有些差異。 華為麒麟芯片選著的是第一種設(shè)計(jì)方案，后續(xù)發(fā)展應(yīng)該會(huì)設(shè)計(jì)自主的微架構(gòu)處理器。蘋(píng)果A系列芯片，有自己獨(dú)立的微架構(gòu)處理器，高通兩種設(shè)計(jì)方案都兼顧。 至于麒麟芯片是否自研，要看核心比例。如果ARM的技術(shù)方案占比20%，那么就是自研。 另外，這些芯片的制造都是臺(tái)積電或三星代工。

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  • 基于GaN和SiC的功率半導(dǎo)體，未來(lái)將推動(dòng)電子封裝集成和應(yīng)用

    在新世紀(jì)伊始，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)已經(jīng)達(dá)到了足夠的成熟度，并獲得了足夠的吸引力，將其他潛在的替代品拋在腦后，引起全球工業(yè)制造商的足夠重視。 在接下來(lái)的幾年里，重點(diǎn)是研究與材料相關(guān)的缺陷，為新材料開(kāi)發(fā)一個(gè)定制的設(shè)計(jì)、工藝和測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施，并建立一個(gè)某種程度上可重復(fù)的無(wú)源(二極管)器件和幾個(gè)有源器件(MOSFET、HEMT、MESFET、JFET或BJT)，這些器件開(kāi)始進(jìn)入演示階段并能夠證明寬帶隙材料帶來(lái)的無(wú)可爭(zhēng)辯的優(yōu)勢(shì)。寬帶隙材料可以使半導(dǎo)體的工作頻率降低10倍，從而使電路的工作頻率降低10倍。 對(duì)于這兩種材料，仍有一些挑戰(zhàn)有待解決： GaN非常適合低功率和中等功率，主要是消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用，似乎允許高度的單片集成一個(gè)或多個(gè)功率開(kāi)關(guān)并與驅(qū)動(dòng)電路共同封裝。有可能在在最先進(jìn)的8-12“混合信號(hào)晶圓制造廠制造功率轉(zhuǎn)換IC。 然而，由于鎵被認(rèn)為是一種稀有、無(wú)毒的金屬，在硅生產(chǎn)設(shè)施中作為受主可能會(huì)產(chǎn)生副作用，因此對(duì)許多制造工藝步驟(如干法蝕刻、清洗或高溫工藝)的嚴(yán)格分離仍然是一項(xiàng)關(guān)鍵要求。 此外，GaN是以MO-CVD外延工藝在SiC等晶格不匹配的載流子上或更大的晶圓直徑(通常甚至在硅上)上沉積，這會(huì)引起薄膜應(yīng)力和晶體缺陷，這主要導(dǎo)致器件不穩(wěn)定，偶爾會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難性的故障。 GaN功率器件是典型的橫向HEMT器件，它利用源極和漏極之間固有的二維電子氣通道進(jìn)行導(dǎo)通供電。 另一方面，地殼中含有豐富的硅元素，其中30%是由硅組成的。工業(yè)規(guī)模的單晶碳化硅錠的生長(zhǎng)是一種成熟的、可利用的資源。最近，先驅(qū)者已經(jīng)開(kāi)始評(píng)估8英寸晶圓，有希望在未來(lái)五(5)年內(nèi)，碳化硅制造將擴(kuò)展到8英寸晶圓制造線(xiàn)。 SiC肖特基二極管和SiC MOSFET在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用為降低高質(zhì)量襯底、SiC外延和制造工藝的制造成本提供了所需的縮放效應(yīng)。通過(guò)視覺(jué)和/或電應(yīng)力測(cè)試消除晶體缺陷，這對(duì)較大尺寸芯片的產(chǎn)量有較大的影響。此外，還有一些挑戰(zhàn)，歸因于低溝道遷移率，這使得SiC fet在100-600V范圍內(nèi)無(wú)法與硅FET競(jìng)爭(zhēng)。 市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者已經(jīng)意識(shí)到垂直供應(yīng)鏈對(duì)于制造GaN和SiC產(chǎn)品的重要性。需要有專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)的制造能力，包括晶體生長(zhǎng)、晶圓和拋光、外延、器件制造和封裝專(zhuān)業(yè)知識(shí)，包括優(yōu)化的模塊和封裝，考慮到快速瞬態(tài)和熱性能或?qū)拵镀骷?WBG)的局限性，考慮最低的成本，最高的產(chǎn)量和可靠性。 隨著廣泛和有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品組合和全球供應(yīng)鏈的建立，新的焦點(diǎn)正在轉(zhuǎn)向產(chǎn)品定制，以實(shí)現(xiàn)改變游戲規(guī)則的應(yīng)用程序。硅二極管、igbt和超結(jié)mosfet的替代品為WBG技術(shù)的市場(chǎng)做好了準(zhǔn)備。 在根據(jù)選擇性拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)調(diào)整電氣性能以繼續(xù)提高功率效率、擴(kuò)大驅(qū)動(dòng)范圍、減少重量、尺寸和組件數(shù)量，并在工業(yè)、汽車(chē)和消費(fèi)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新穎、突破性的最終應(yīng)用，還有很多潛力。 實(shí)現(xiàn)循環(huán)快速設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素是精確的spice模型，包括熱性能和校準(zhǔn)封裝寄生體，可用于幾乎所有流行的模擬器平臺(tái)，以及快速采樣支持、應(yīng)用說(shuō)明、定制的SiC和GaN驅(qū)動(dòng)IC以及全球支持基礎(chǔ)設(shè)施。 接下來(lái)的十(10)年將見(jiàn)證另一次歷史性的變革，基于GaN和SiC的功率半導(dǎo)體將推動(dòng)電力電子封裝集成和應(yīng)用的根本性發(fā)明。 在這一過(guò)程中，硅器件將幾乎從功率開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)上消失。盡管如此，他們?nèi)詫⒗^續(xù)在高度集成的功率集成電路和低電壓環(huán)境中尋求生存。

    半導(dǎo)體 功率半導(dǎo)體 電子封裝 硅替代品

  • 預(yù)計(jì)到2021年底，臺(tái)積電將有55臺(tái)光刻機(jī)

    預(yù)計(jì)到明年年底，臺(tái)積電正EUV光刻機(jī)的累計(jì)采購(gòu)量將達(dá)到約55臺(tái)。在今年8月舉辦的全球技術(shù)論壇期間，臺(tái)積電曾透露，在目前全球在運(yùn)行的極紫外光刻機(jī)中，臺(tái)積電擁有約一半，芯片產(chǎn)能預(yù)計(jì)占全球的60%。 而根據(jù)光刻機(jī)制造商ASML年報(bào)，從2012年開(kāi)始交付EUV光刻機(jī)開(kāi)始，公司已經(jīng)累計(jì)向客戶(hù)交付了超過(guò)76臺(tái)這種光刻機(jī)。據(jù)此推算，臺(tái)積電目前擁有的EUV光刻機(jī)數(shù)量在35~38臺(tái)左右。 ASML是目前全球唯一能制造EUV光刻機(jī)的廠商，對(duì)于制造7nm以下制程的芯片至關(guān)重要。臺(tái)積電所需要的光刻機(jī)，也就全部來(lái)自于該公司。 消息人士透露，臺(tái)積電現(xiàn)正加大光刻工藝的研發(fā)力度，預(yù)計(jì)到2021年年底，EUV光刻機(jī)的累計(jì)采購(gòu)量將達(dá)到約55臺(tái)。因此ASML到20221年累計(jì)交付的EUV光刻機(jī)數(shù)量可能會(huì)達(dá)到近百臺(tái)。 相較之下，有消息稱(chēng)三星電子截至2021年采購(gòu)EUV的數(shù)量累計(jì)不到25臺(tái)。三星電子是臺(tái)積電在全球范圍內(nèi)最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，目前正加速在5nm芯片量產(chǎn)上追趕臺(tái)積電的腳步，3nm芯片工藝也預(yù)定于2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 外界人為臺(tái)積電大量采購(gòu)EUV光刻機(jī)，主要目的在于快速增加的滿(mǎn)足客戶(hù)訂單。 外媒的報(bào)道顯示，臺(tái)積電3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能，其中首波產(chǎn)能中的大部分，將留給他們的大客戶(hù)蘋(píng)果。蘋(píng)果是臺(tái)積電的大客戶(hù)。從2016年iPhone 7系列所搭載的A10芯片開(kāi)始，蘋(píng)果的A系列芯片就全部交由臺(tái)積電獨(dú)家代工。 今年6~8月期間還不斷有消息稱(chēng)，受美國(guó)對(duì)華為“禁令”影響，聯(lián)發(fā)科芯片需求暴增，緊急找臺(tái)積電代工。預(yù)計(jì)2020Q1季度聯(lián)發(fā)科訂單量會(huì)達(dá)到1.2萬(wàn)片晶圓。不過(guò)消息未得到有關(guān)方面證實(shí)。 高通也據(jù)傳向臺(tái)積電追加了訂單。 不過(guò)利好消息沒(méi)有為臺(tái)積電股價(jià)帶來(lái)太大漲幅，9月29日臺(tái)積電收漲1.13%報(bào)79.77美元。 而另一邊，中國(guó)最大、全球營(yíng)收排名第五的芯片制造商中芯國(guó)際(SMIC)料將迎來(lái)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)的困難時(shí)期。 9月27日，《金融時(shí)報(bào)》《華爾街日?qǐng)?bào)》《紐約時(shí)報(bào)》以及路透社等多家外媒援引美國(guó)商務(wù)部9月25日的一封，稱(chēng)美國(guó)政府已對(duì)中芯國(guó)際實(shí)施出口限制，中芯國(guó)際的某些設(shè)備供應(yīng)商現(xiàn)在必須申請(qǐng)出口許可證。 這一消息被視為美國(guó)加大“制裁”中芯國(guó)際的信號(hào)。如果“制裁”落地，勢(shì)必對(duì)中芯國(guó)際的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)造成極大沖擊。 根據(jù)美國(guó)商務(wù)部的進(jìn)出口管理?xiàng)l例，使用美國(guó)技術(shù)和裝備生產(chǎn)的的產(chǎn)品將受到管控。中芯國(guó)際作為芯片制造商將很難以獲得生產(chǎn)所需的原材料和設(shè)備，同時(shí)，公司的芯片出口亦將需要獲得美商務(wù)部的許可。 中芯國(guó)際早在兩年前就已經(jīng)向荷蘭ASML公司購(gòu)買(mǎi)了用于生產(chǎn)7nm芯片的光刻機(jī)，但由于美國(guó)的多次干預(yù)無(wú)法到貨。中芯國(guó)際在這批光刻機(jī)上，前后共花費(fèi)了1.2億美元和2年時(shí)間。 “信函副本”的消息一出，隨即帶來(lái)了股市的震蕩。周一上午中芯國(guó)際H股以17.16元低開(kāi)，較上一交易日暴跌7.6%，成交額7200萬(wàn)元。但隨后股價(jià)逐漸震蕩拉升，跌幅以已收窄至4%;A股則以4%的跌幅低開(kāi)，并在早盤(pán)末尾擴(kuò)大至6%。 芯片行業(yè)乃至整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)如今尤為敏感，市場(chǎng)擔(dān)心中芯國(guó)際將會(huì)成為下一個(gè)華為。 但其他中國(guó)大陸芯片制造商，也在努力突破光刻機(jī)瓶頸。

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  • MEMS封裝中會(huì)遇到的問(wèn)題有哪些？

    為了適應(yīng)MEMS技術(shù)的發(fā)展，人們開(kāi)發(fā)了許多新的MEMS封裝技術(shù)和工藝，如陽(yáng)極鍵合，硅熔融鍵合、共晶鍵合等，已基本建立起自己的封裝體系。 現(xiàn)在人們通常將MEMS封裝分為四個(gè)層次：即裸片級(jí)封裝(Die Level)、器件級(jí)封裝(Device Level)、硅圓片級(jí)封裝(Wafer Lever Packaging)、單芯片封裝(Single Chip Packaging)和系統(tǒng)級(jí)封裝(System on Packaging)。 但隨著MEMS技術(shù)研究的深入和迅猛發(fā)展，以及MEMS器件本身所具有的多樣性和復(fù)雜性，使得MEMS封裝仍然面臨著許多新的問(wèn)題需要解決，如在硅圓片切割時(shí)，如何對(duì)微結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)，防止硅粉塵破壞芯片;在微結(jié)構(gòu)的釋放過(guò)程中，如何防止運(yùn)動(dòng)部件與襯底發(fā)生粘連等;在器件封裝中應(yīng)力的釋放，以及封裝及接口的標(biāo)準(zhǔn)化等問(wèn)題，此外還有封裝性能的可靠性及可靠性評(píng)價(jià)問(wèn)題等。 下面從MEMS封裝的層次以及封裝標(biāo)準(zhǔn)和封裝的可靠性方面來(lái)闡述MEMS封裝中所面臨的一些問(wèn)題。 1、裸片級(jí)封裝(Die level) 裸片級(jí)封裝通常是指鈍化、隔離、鍵合和劃片等工藝，其目的是為裸片的后續(xù)加工和使用提供保護(hù)。從硅圓片上分離裸片的常用方法是采用高速旋轉(zhuǎn)的晶剛石刀片進(jìn)行切割，在切割的同時(shí)，必須用高凈化水對(duì)硅圓片表面進(jìn)行沖洗。這種為集成電路開(kāi)發(fā)的裸片切割方法對(duì)保護(hù)裸片上的關(guān)鍵電路不受硅粉塵的污染是非常有效的。硅片表面的水膜對(duì)集成芯片有很好的保護(hù)作用。 然而，由于MEMS比IC有更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，如有腔體、運(yùn)動(dòng)部件以及更復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)等，用這種裸片切割方法分離這些MEMS芯片，卻因?yàn)樗?、硅粉塵的原因而很容易損壞或阻塞芯片的靈巧結(jié)構(gòu)。為了防止MEMS芯片受損，必須在設(shè)計(jì)芯片階段就開(kāi)始考慮對(duì)芯片結(jié)構(gòu)的保護(hù)。 裸芯片腔體封裝是一種常用的方法。封裝時(shí)有一個(gè)硅片基板裸片和一個(gè)硅“蓋帽”裸片，先將MEMS芯片貼到基板裸片上，再將“蓋帽”裸片鍵合到基板裸片上，從而形成一個(gè)密封腔體來(lái)保護(hù)MEMS器件。 鈍化保護(hù)器件的方法也常用，這層保護(hù)層的厚度約為2-3μm。用有機(jī)保護(hù)層對(duì)芯片進(jìn)行保護(hù)是很有效的，但存在的問(wèn)題是有機(jī)物隨著時(shí)間容易老化，典型的涂層是硅膠，硅膠 容易變干和變硬，這在許多應(yīng)用中限制了它的有效壽命。 此外，將裸片與環(huán)境隔離的方法還有粘接工藝和鍵合工藝。粘接工藝主要使用環(huán)氧樹(shù)脂、RTV、硅橡膠等粘接劑，環(huán)氧樹(shù)脂用作粘接具有使用更簡(jiǎn)單，在固化時(shí)不要求升溫，對(duì)沖擊、振動(dòng)能提供了很好的保護(hù)，具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)等特點(diǎn)。 粘接方式的缺點(diǎn)是沒(méi)有抗拉強(qiáng)度，易老化，而且不能做到密封，這在要求有可靠的機(jī)械強(qiáng)度和密封性能或者要求器件不受過(guò)強(qiáng)運(yùn)動(dòng)沖擊的應(yīng)用中是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足實(shí)際要求的。解決這一問(wèn)題的方法是用鍵合工藝對(duì)裸片進(jìn)行封裝，鍵合工藝包括陽(yáng)極鍵合、焊料焊接、硅熔融鍵合、玻璃粉鍵合及共晶鍵合等。 2、器件級(jí)封裝(Device level) 器件級(jí)封裝通常由MEMS器件、電源、信號(hào)調(diào)理和補(bǔ)償、以及與系統(tǒng)的機(jī)械和電的接口等幾部分組成。器件級(jí)封裝旨在提高和確保器件的性能、減小尺寸和降低價(jià)格。與電子器件相比，MEMS接口更復(fù)雜、涉及的面更廣。缺乏標(biāo)準(zhǔn)和標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品一直阻礙著MEMS的商業(yè)化。 器件封裝連接的方法很多，包括環(huán)氧樹(shù)脂或其它粘接方法、熱熔方法(如電阻焊、回流焊)、芯片的互連包括引線(xiàn)鍵合、載帶自動(dòng)焊、倒裝芯片技術(shù)等。盡管對(duì)特定的工作環(huán)境沒(méi)有確切的定義，但要求在整個(gè)工作環(huán)境中，封裝結(jié)構(gòu)在機(jī)械強(qiáng)度、抵抗水壓或空氣壓力的能力以及引線(xiàn)連接強(qiáng)度等方面必須是可靠的。 3、圓片級(jí)封裝(Wafer Level) 在應(yīng)用MEMS技術(shù)制造傳感器過(guò)程中，人們一直努力想通過(guò)器件設(shè)計(jì)和制造工藝本身來(lái)減小MEMS封裝所面臨的挑戰(zhàn)。

    半導(dǎo)體 芯片 封裝 mems技術(shù)

  • MEMS封裝的功能

    封裝必須提供元器件與外部系統(tǒng)的接口。其根本目的在于以最小的尺寸和重量、最低的價(jià)格和盡可能簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)服務(wù)于具有特定功能的一組元器件。 MEMS封裝的功能包括了微電子封裝的功能部分，即原有的電源分配、信號(hào)分配、散熱通道、機(jī)械支撐和環(huán)境保護(hù)等外，還應(yīng)增加一些特殊的功能和要求。 1)機(jī)械支撐：MEMS器件是一種易損器件，因此需要機(jī)械支撐來(lái)保護(hù)器件在運(yùn)輸、存儲(chǔ)和工作時(shí)，避免熱和機(jī)械沖擊、振動(dòng)、高的加速度、灰塵和其它物理?yè)p壞。另外對(duì)于某些特殊功能的器件需要有定位用的機(jī)械支撐點(diǎn)，如加速度傳感器等。 2)環(huán)境隔離：環(huán)境隔離有兩種功能，一種是僅僅用作機(jī)械隔離，即封裝外殼僅僅起到保護(hù)MEMS器件不受到像跌落或者操作不當(dāng)時(shí)受到機(jī)械損壞。另一種是氣密和非氣密保護(hù)，對(duì)可靠性要求十分嚴(yán)格的應(yīng)用領(lǐng)域必須采用氣密性保護(hù)封裝，防止MEMS器件在環(huán)境中受到化學(xué)腐蝕和物理?yè)p壞。同時(shí)在制造和密封時(shí)要防止?jié)駳饪赡鼙灰M(jìn)到封裝腔內(nèi)。對(duì)工作環(huán)境較好的應(yīng)用領(lǐng)域可采用非氣密封裝。 3)提供與外界系統(tǒng)和媒質(zhì)的接口：由于封裝外殼是MEMS器件及系統(tǒng)與外界的主要接口，外殼必須能完成電源、電信號(hào)或射頻信號(hào)與外界的電連接，同時(shí)大部分的MEMS芯片還要求提供與外界媒質(zhì)的接口。 4)提供熱的傳輸通道：對(duì)帶有功率放大器、其它大信號(hào)電路和高集成度封裝的MEMS器件，在封裝設(shè)計(jì)時(shí)熱的釋放是一個(gè)應(yīng)該認(rèn)真對(duì)待的問(wèn)題。封裝外殼必須提供熱量傳遞的通道。 由于MEMS的特殊性和復(fù)雜性，還由于MEMS種類(lèi)繁多，封裝的功能還要增加如下幾點(diǎn)： 5)低應(yīng)力。在MEMS器件中，用三維加工技術(shù)制造微米或納米尺度的零件或部件，如懸臂梁、微鏡、深槽、扇片等，精度高，但十分脆弱，因此MEMS封裝應(yīng)產(chǎn)生對(duì)器件最小的應(yīng)力。 6)高真空度。這是MEMS器件的要求，以使可動(dòng)部件具有活動(dòng)性，并運(yùn)動(dòng)自如。因?yàn)樵凇罢婵铡敝?，就可以大大減小甚至消除摩擦，既能減小能源消耗，又能達(dá)到長(zhǎng)期、可靠地工作目標(biāo)。 7)高氣密性。一些MEMS器件，如陀螺儀，必須在穩(wěn)定地氣密性條件下方能可靠、長(zhǎng)期地工作。嚴(yán)格地說(shuō)，封裝都是不氣密的，所以只有用高氣密性的封裝來(lái)解決穩(wěn)定的氣密性問(wèn)題。有的MEMS封裝氣密性要求達(dá)到1×10E-12Pa·m3/s。 8)高隔離度。MEMS的目標(biāo)是把集成電路、微細(xì)加工元件和MEMS器件集成在一起形成微系統(tǒng)，完成信息的獲取、傳輸、處理和執(zhí)行等功能。MEMS常需要有高的隔離度，對(duì)MEMS射頻開(kāi)關(guān)更為重要。 9)特殊的封裝環(huán)境與引出。某些MEMS器件的工作環(huán)境是液體、氣體或透光的環(huán)境，MEMS封裝必須構(gòu)成穩(wěn)定的環(huán)境，并能使液體、氣體穩(wěn)定流動(dòng)，使光纖輸入具有低損耗、高精度對(duì)位的特性等。

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  • 常用的MEMS封裝形式

    MEMS封裝形式與技術(shù)主要源于IC封裝技術(shù)。 IC封裝技術(shù)的發(fā)展歷程和水平代表了整個(gè)封裝技術(shù)(包括MEMS封裝和光電子器件封裝)的發(fā)展歷程及水平。 目前在MEMS封裝中比較常用的封裝形式有無(wú)引線(xiàn)陶瓷芯片載體封裝(LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier)、金屬封裝、金屬陶瓷封裝等，在IC封裝中倍受青睞的球柵陣列封裝(BGA-Ball Grid Array)、倒裝芯片技術(shù)(FCT-Flip Chip Technology)、芯片尺寸封裝(CSP-Chip Size Package)和多芯片模塊封裝(MCM-Multi-Chip Module)已經(jīng)逐漸成為MEMS封裝中的主流。 BGA封裝的主要優(yōu)點(diǎn)是它采用了面陣列端子封裝、使它與QFP(四邊扁平封裝)相比，在相同端子情況下，增加了端子間距(1.00mm，1.27mm，1.50mm)，大大改善了組裝性能，才使它得以發(fā)展和推廣應(yīng)用。 21世紀(jì)BGA將成為電路組件的主流基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。 從某種意義上講，F(xiàn)CT是一種芯片級(jí)互連技術(shù)(其它互連技術(shù)還有引線(xiàn)鍵合、載帶自動(dòng)鍵合)，但是它由于具有高性能、高I/O數(shù)和低成本的特點(diǎn)，特別是其作為“裸芯片”的優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種MEMS封裝中。 CSP的英文含義是封裝尺寸與裸芯片相同或封裝尺寸比裸芯片稍大。日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)CSP規(guī)定是芯片面積與封裝尺寸面積之比大于80%。 CSP與BGA結(jié)構(gòu)基本一樣，只是錫球直徑和球中心距縮小了、更薄了，這樣在相同封裝尺寸時(shí)可有更多的I/O數(shù)，使組裝密度進(jìn)一步提高，可以說(shuō)CSP是縮小了的BGA。 在MCM封裝中最常用的兩種方法是高密度互連(High Density Interconnect簡(jiǎn)稱(chēng)HDI)和微芯片模塊D型(Micro Chip Module D簡(jiǎn)稱(chēng)MCM-D)封裝技術(shù)。 高密度互連(HDI)MEMS封裝的特點(diǎn)是把芯片埋進(jìn)襯底的空腔內(nèi)，在芯片上部做出薄膜互連結(jié)構(gòu)。 而微模塊系統(tǒng)MCM-D封裝是比較傳統(tǒng)的封裝形式，它的芯片位于襯底的頂部，芯片和襯底間的互連是通過(guò)引線(xiàn)鍵合實(shí)現(xiàn)。 HDI工藝對(duì)MEMS封裝來(lái)說(shuō)有很大的優(yōu)越性。由于相對(duì)于引線(xiàn)鍵合來(lái)說(shuō)使用了直接金屬化，芯片互連僅產(chǎn)生很低的寄生電容和電感，工作頻率可達(dá)1GHz以上。 HDI還可以擴(kuò)展到三維封裝，并且焊點(diǎn)可以分布在芯片表面任何位置以及MCM具有可修復(fù)的特性。

    半導(dǎo)體 芯片制造 芯片封裝

  • 28nm 芯片產(chǎn)業(yè)鏈

    在芯片工藝中，5nm、10nm、14nm可能有點(diǎn)早了，但是28nm芯片值得我們關(guān)注。目前中芯國(guó)際，華虹半導(dǎo)體都能生產(chǎn)28nm芯片，現(xiàn)在最關(guān)鍵的是設(shè)備和材料端技術(shù)能不能跟上。 下面就是設(shè)備和材料中的15個(gè)細(xì)分行業(yè)的龍頭公司： 第1個(gè)細(xì)分行業(yè)：硅片設(shè)備：這是芯片最基本的材料，晶盛機(jī)電是龍頭，現(xiàn)在向切片、拋光、外延設(shè)備等拓展，還研發(fā)出了第三代碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備。 第2個(gè)：熱處理設(shè)備：北方華創(chuàng)是龍頭，在半導(dǎo)體的硅刻蝕、薄膜沉積、清洗設(shè)備、第三代碳化硅半導(dǎo)體上優(yōu)勢(shì)明顯。 第3個(gè)：光刻設(shè)備：包括光刻機(jī)和涂膠顯影機(jī)，最先進(jìn)的是上海微電子，明年就可以生產(chǎn)第一臺(tái)中國(guó)的28nm國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，激動(dòng)人心呀。另外就是茂萊光學(xué)，快上市了，在光學(xué)上做的很牛逼。在涂膠顯影機(jī)領(lǐng)域，芯源微是行業(yè)龍頭，已經(jīng)銷(xiāo)售 800余臺(tái)機(jī)器，不要小看這800臺(tái)呀。 第4個(gè)：刻蝕設(shè)備，這個(gè)當(dāng)然是中微公司了，講的很多，就不說(shuō)了。 第5個(gè)：離子注入設(shè)備，就是將離子放到硅襯下面，也就是離子注入機(jī)，萬(wàn)業(yè)企業(yè)是龍頭，它下面的凱世通，是頂級(jí)的投資公司投資的。 第6個(gè)：薄膜沉積設(shè)備：這個(gè)是北方華創(chuàng)，已經(jīng)做到14nm的技術(shù)了。 第7個(gè)：拋光設(shè)備，就是把硅片的表面弄光滑，叫拋光機(jī)，這個(gè)龍頭是華海清科，快上市了。 第8個(gè)：清洗設(shè)備：就是把芯片洗干凈，盛美半導(dǎo)體是該領(lǐng)域的龍頭，占80%市場(chǎng)份額，已經(jīng)在美國(guó)納斯達(dá)克指數(shù)上市了，很快也在國(guó)內(nèi)上市。剩下的20%則由北方華創(chuàng)、芯源微和至純科技三家瓜分。 第9個(gè)：檢測(cè)設(shè)備：就是測(cè)試合格不?有探針卡測(cè)試、探針臺(tái)測(cè)試和測(cè)試機(jī)，反正很多名堂，我真搞不清，龍頭是賽騰股份，其實(shí)它是收購(gòu)了日本的一個(gè)測(cè)試公司就成了老大。 第10個(gè)是硅片：這是最基本的材料，像泥土一樣重要，說(shuō)白了，就是沙子。龍頭是滬硅產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在給中芯國(guó)際、臺(tái)積電供應(yīng)硅片，2022年12英寸大硅片產(chǎn)能能到60萬(wàn)片。其次是中環(huán)股份，體量較小。 第11個(gè)是：電子特種氣體：就像血液和糧食一樣，需要在芯片內(nèi)循環(huán)，這就是特征氣體。龍頭老大是華特氣體、南大光電。 第12個(gè)：光刻膠，光刻膠其實(shí)幾臺(tái)就夠了，就是曝光技術(shù)，有人說(shuō)比原子彈的技術(shù)還難，可以打破摩爾定律，反正我真不懂這個(gè)玩意。龍頭是三家公司，北京科華、上海新陽(yáng)、晶瑞股份，現(xiàn)在還不知道哪個(gè)是老大。 第13個(gè)：拋光材料，不是拋光設(shè)備。有拋光液、拋光墊，是配合拋光設(shè)備使用的，龍頭是安集科技，已經(jīng)干到7nm米技術(shù)了，連臺(tái)積電都需要它的技術(shù)。 第14個(gè)：高純濕電子化學(xué)品：這個(gè)名字真難記，其實(shí)就是芯片試劑，想想試驗(yàn)室的試劑，龍頭是上海新陽(yáng)，晶瑞股份。 第15個(gè)：靶材，好像是醫(yī)藥的名字，主要是在制造和封裝中使用的，龍頭企業(yè)是江豐電子，臺(tái)積電已經(jīng)用到它的7nm技術(shù)，5nm米技術(shù)也快要用到了。

    半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)鏈 芯片 28nm

  • 臺(tái)積電芯片研發(fā)超前，半導(dǎo)體工藝芯片蝕刻起重要作用

    據(jù)臺(tái)媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構(gòu)，臺(tái)積電2nm改采全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管(MBCFET)架構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度超前。根據(jù)臺(tái)積電近年來(lái)整個(gè)先進(jìn)制程的布局，業(yè)界估計(jì)，臺(tái)積電2nm將在2023下半年推出，有助于其未來(lái)持續(xù)拿下蘋(píng)果、輝達(dá)等大廠先進(jìn)制程大單，狠甩三星。 幾十年來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)步的背后存在著一條金科玉律，即摩爾定律。摩爾定律表明：每隔 18~24 個(gè)月，集成電路上可容納的元器件數(shù)目便會(huì)增加一倍，芯片的性能也會(huì)隨之翻一番。 然而，在摩爾定律放緩甚至失效的今天，全球幾大半導(dǎo)體公司依舊在拼命廝殺，希望率先拿下制造工藝布局的制高點(diǎn)。 臺(tái)積電5nm已經(jīng)量產(chǎn)，3nm預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)，2nm研發(fā)現(xiàn)已經(jīng)取得重大突破! 由這個(gè)事情，想必大家肯定會(huì)聯(lián)系到現(xiàn)在的華為，事實(shí)證明必須擁有自己的核心技藝才行，才不會(huì)處處被卡，才能不斷發(fā)展進(jìn)步創(chuàng)造更好價(jià)值。 俗話(huà)說(shuō)的好，要想跑得快，先要把路走穩(wěn)，也就是說(shuō)，基礎(chǔ)要打好，一棟高樓大廈，地基如果不扎實(shí)，恐怕5級(jí)風(fēng)都會(huì)被吹塌。作為電路板、半導(dǎo)體最基礎(chǔ)的蝕刻行業(yè)更是如此。 這里先簡(jiǎn)單給大家介紹一下何為蝕刻： 刻蝕(Etching)，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。 蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類(lèi)。 最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。 從工藝流程上，分為兩種： 1、干法刻蝕：利用等離子體將不要的材料去除(亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法)。 2、濕法刻蝕：利用腐蝕性液體將不要的材料去除。 相較而言濕法刻蝕在相關(guān)產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)用比較普遍，在我們的日常生活中也隨處可見(jiàn)例如：金屬版畫(huà)、指示標(biāo)牌、電梯轎廂內(nèi)的裝飾板等等，濕法刻蝕在加工過(guò)程中主要采用兩種方法： 一、曝光法：工程根據(jù)圖形開(kāi)出備料尺寸-材料準(zhǔn)備-材料清洗-烘干→貼膜或涂布→烘干→曝光 → 顯影 →烘干-蝕刻→脫膜→OK 二、網(wǎng)印法：開(kāi)料→清洗板材(不銹鋼其它金屬材料)→絲網(wǎng)印→蝕刻→脫膜→OK 以上兩種工藝的流程在上產(chǎn)過(guò)程中都存在著工藝復(fù)雜，耗時(shí)費(fèi)力的問(wèn)題，而在其加工過(guò)程中所造成的環(huán)境污染問(wèn)題更是嚴(yán)重制約著行業(yè)的發(fā)展，在強(qiáng)調(diào)節(jié)能減排的今天，如何能夠做到既環(huán)保又可以提高生產(chǎn)效率成為了每一個(gè)蝕刻業(yè)者追求的目標(biāo)。 蝕刻優(yōu)版加工工藝的研發(fā)成功正是應(yīng)市場(chǎng)所需，目的就是為了解決以上所提到的問(wèn)題。 從此工藝上由繁變簡(jiǎn)，通過(guò)打印的方式，將抗蝕刻油墨直接打印在板材上，即打即熱固，打印完成，立即蝕刻。這項(xiàng)技術(shù)為數(shù)碼化生產(chǎn)提供了更多優(yōu)化的方案。 蝕刻優(yōu)版加工工藝對(duì)比上述工藝只需三步即可完成蝕刻前工作： 圖文定稿、蝕刻掩膜打印、打印完成，立即蝕刻。蝕刻優(yōu)版的廣泛應(yīng)用，必將促進(jìn)國(guó)內(nèi)蝕刻業(yè)的快速發(fā)展。

    半導(dǎo)體 臺(tái)積電 2nm 芯片蝕刻

  • 賽晶科技發(fā)布首款自研IGBT芯片

    IGBT應(yīng)用非常廣泛，滲透到工作生活的方方面面，小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)、風(fēng)電光伏等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，被形象地稱(chēng)為電力電子行業(yè)里的“CPU“。IGBT，學(xué)名稱(chēng)為“絕緣柵雙極型晶體管” (Insulated Gate Bipolar Transistor)，是一種驅(qū)動(dòng)功率小、飽和壓降低的功率半導(dǎo)體，既然是半導(dǎo)體，與我們熟知的芯片一樣，目前，我國(guó)在該領(lǐng)域仍存在“卡脖子”的現(xiàn)象。 正如某風(fēng)電行業(yè)人士所言，過(guò)去兩年來(lái)，新能源行業(yè)呈現(xiàn)一個(gè)井噴式、爆發(fā)式的增長(zhǎng)，但整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力不足，例如葉片、滾動(dòng)軸承、IGBT等，存在一定程度上的“短板”。 可喜的是，國(guó)內(nèi)廠商已經(jīng)在國(guó)產(chǎn)替代之路上邁開(kāi)了步伐。 9月28日，港股上市的賽晶科技(580.HK)首發(fā)了自主研發(fā)的國(guó)產(chǎn)IGBT芯片及模塊產(chǎn)品，引起了業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注與熱議。 一、國(guó)產(chǎn)替代已是大勢(shì)所趨 上述人士表示，全球范圍來(lái)看，許多行業(yè)都會(huì)應(yīng)用到變流器，例如新能源產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)、汽車(chē)產(chǎn)業(yè)等等，而IGBT芯片/模組則是變流器的核心器件。大概在十五年前，無(wú)論是變流器的廠商，還是IGBT芯片/模組均以進(jìn)口為主。盡管后來(lái)變流器開(kāi)始國(guó)產(chǎn)化，但核心器件IGBT仍是以進(jìn)口為主，以德國(guó)、日本居多。 IGBT國(guó)產(chǎn)替代已是各相關(guān)產(chǎn)業(yè)的大勢(shì)所趨，從全國(guó)各產(chǎn)業(yè)發(fā)展來(lái)看，對(duì)IGBT需求迫切。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，雖然目前市場(chǎng)規(guī)模只有200多億，但隨著清潔能源、新能源汽車(chē)等的發(fā)展，未來(lái)市場(chǎng)規(guī)模將呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。 市場(chǎng)前景的廣闊，也讓國(guó)內(nèi)眾多廠商嗅到了商機(jī)。但在該領(lǐng)域，目前的市場(chǎng)份額基本被英飛凌、三菱、富士等國(guó)外巨頭壟斷。我們所處的現(xiàn)實(shí)是，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上，卻有超過(guò)90%的高檔IGBT芯片依賴(lài)進(jìn)口。 二、在此背景下，國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫。 由于IGBT并非一個(gè)暴利行業(yè)，屬于“投資風(fēng)險(xiǎn)大、回報(bào)率相對(duì)較小的產(chǎn)業(yè)”，所以國(guó)產(chǎn)替代并非企業(yè)的單打獨(dú)斗所能完成的，需要整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同以及政策支持。 “IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在接受政策扶持的同時(shí)，也需要產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的‘包容’。IGBT產(chǎn)品在國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展中一定會(huì)存在問(wèn)題，只有產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)通力協(xié)作，才能幫助IGBT企業(yè)能夠快速迭代產(chǎn)品，改進(jìn)設(shè)計(jì)，用幾年時(shí)間來(lái)提高成品率與良品率?！鄙鲜鋈耸恐赋觯谖覈?guó)IGBT領(lǐng)域，做學(xué)術(shù)理論的人才居多，實(shí)踐性的人才偏少，IGBT發(fā)展離不開(kāi)產(chǎn)學(xué)研合作。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上，IGBT主要是引用國(guó)際當(dāng)下或過(guò)去幾年的技術(shù)，如果我們要發(fā)展自身產(chǎn)業(yè)，就自然不能一直在引進(jìn)別人的技術(shù)，我們需要科研院所在基礎(chǔ)技術(shù)上進(jìn)行突破，來(lái)支撐整個(gè)IGBT產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。 賽晶電力電子董事會(huì)主席項(xiàng)頡也表達(dá)了類(lèi)似觀點(diǎn)：“首先，做IGBT需要很強(qiáng)的科研能力，包括科研人員的經(jīng)驗(yàn)，這不是一時(shí)半刻就能有的，需要一群人經(jīng)年累月的埋頭研究。全世界的IGBT技術(shù)精英就那么數(shù)得著的幾十個(gè)，集中前幾的幾家企業(yè)。換一句話(huà)說(shuō)，IGBT不是有錢(qián)就能砸出來(lái)的!第二是我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)起步晚，各方面的積累不夠。國(guó)際上很多企業(yè)很早就開(kāi)始做這個(gè)了，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)現(xiàn)在增速很快，但想要后來(lái)居上，需要一定時(shí)間。” 三、國(guó)內(nèi)企業(yè)紛紛布局 隨著新能源產(chǎn)業(yè)、電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)等多個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈下游應(yīng)用的快速發(fā)展，催生國(guó)產(chǎn)IGBT制造氛圍，但留給國(guó)內(nèi)廠商的時(shí)間已經(jīng)不多。以國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)為例，中國(guó)已經(jīng)走在世界的前列，可以稱(chēng)作中國(guó)的一張“靚麗名片”，但是在核心的電流轉(zhuǎn)換器逆變器方面，仍與國(guó)際大廠存在差距，主要體現(xiàn)在功率半導(dǎo)體、集成電路等器件上仍是以進(jìn)口為主，以德企、日企、美企等為代表。 特變電工西安電氣科技有限公司總工程師周洪偉稱(chēng)，與國(guó)外企業(yè)相比，我國(guó)的IGBT產(chǎn)業(yè)還是具有一定差距的。政府對(duì)于IGBT國(guó)產(chǎn)化應(yīng)用有很大力度的支持，可以看到國(guó)內(nèi)許多廠商正在研發(fā)IGBT，而且有許多產(chǎn)業(yè)鏈終端用戶(hù)也在支持國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)品。無(wú)論是政府、企業(yè)還是下游用戶(hù)，都在推動(dòng)IGBT國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。 與光伏行業(yè)類(lèi)似，風(fēng)電行業(yè)也存在市場(chǎng)規(guī)模大，核心器件“卡脖子”的現(xiàn)象。 天津瑞能電氣技術(shù)部經(jīng)理陳海彬亦稱(chēng)，目前困擾風(fēng)電產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化的難點(diǎn)還是集中在核心器件，例如芯片，功率半導(dǎo)體、高性能材料等等，其中IGBT是重中之重，需求迫切。 遠(yuǎn)景能源變流器電氣總監(jiān)溫進(jìn)表示，目前，光伏風(fēng)電兩個(gè)產(chǎn)業(yè)所運(yùn)用的核心器件仍依賴(lài)國(guó)際廠商，例如德企與日企，存在市場(chǎng)壟斷。因?yàn)閴艛嗟奶卣?，所以?guó)內(nèi)企業(yè)在核心器件的實(shí)際運(yùn)用過(guò)程中，遇到的難題或產(chǎn)生的特殊需求并不能及時(shí)從國(guó)際企業(yè)那邊得到解決與滿(mǎn)足，由此，促進(jìn)IGBT國(guó)產(chǎn)化，有助于這些現(xiàn)象迎刃而解。 比如在定制化方面，國(guó)際廠商所運(yùn)用的技術(shù)是通用技術(shù)，是標(biāo)準(zhǔn)化的，并不專(zhuān)門(mén)針對(duì)某個(gè)行業(yè)，所以提供不了最優(yōu)方案。但國(guó)內(nèi)廠商隨著在IGBT的深耕，形成長(zhǎng)期積累與自己的市場(chǎng)判斷，可以根據(jù)應(yīng)用企業(yè)特定的使用場(chǎng)景做優(yōu)化調(diào)整，或定制研發(fā)，以適應(yīng)多元需求。譬如，一些風(fēng)電項(xiàng)目有的時(shí)候會(huì)面臨緊急交付的情況，若過(guò)度依賴(lài)外部企業(yè)，就容易出現(xiàn)“項(xiàng)目卡頓”的情況發(fā)生，我們自主研發(fā)或聯(lián)合研發(fā)的IGBT產(chǎn)品就可以減少這一現(xiàn)象發(fā)生的可能。 “我們天津瑞能也會(huì)做一些IGBT的布局。從我們企業(yè)來(lái)講，中車(chē)半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、賽晶半導(dǎo)體是平等的，因?yàn)槲覀儠?huì)基于產(chǎn)品性能來(lái)?yè)駜?yōu)儲(chǔ)備?！标惡１蛘f(shuō)，“對(duì)于賽晶科技年底發(fā)布的IGBT新品，它是建立在ABB半導(dǎo)體技術(shù)上的，我是很看好的。我認(rèn)為，賽晶科技是一個(gè)很好的合作伙伴，而且我很希望賽晶科技可以將ABB在高壓、直流輸電方面的技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)延用、繼承下來(lái)?！?

    半導(dǎo)體 igbt 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體 賽晶科技

  • 你不知道的比亞迪半導(dǎo)體

    比亞迪自進(jìn)入汽車(chē)行業(yè)以來(lái)，就定下了發(fā)展新能源汽車(chē)的戰(zhàn)略。作為電動(dòng)汽車(chē)的核心，芯片是一定要解決的問(wèn)題。 比亞迪從2002年進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)近20年努力，除了已經(jīng)為人所熟知的IGBT、SiC功率器件之外，比亞迪半導(dǎo)體還在MCU(微控制單元)、AC-DC、保護(hù)IC等智能控制IC，嵌入式指紋識(shí)別芯片、CMOS圖像傳感器、電流電壓傳感器等智能傳感器，以及光電半導(dǎo)體等領(lǐng)域取得顯著成果。 比亞迪深耕半導(dǎo)體技術(shù)，打破國(guó)外企業(yè)壟斷，實(shí)現(xiàn)了從工業(yè)消費(fèi)級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)，到車(chē)規(guī)級(jí)高效率、高智能、高集成半導(dǎo)體技術(shù)的跨越式發(fā)展，解決了汽車(chē)電動(dòng)化、智能化進(jìn)程中的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。 IGBT4.0發(fā)布會(huì)活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng) 一、不斷攻克智能化關(guān)鍵技術(shù)，32位車(chē)規(guī)級(jí)MCU率先國(guó)產(chǎn)化 MCU即微控制單元，是將CPU、存儲(chǔ)器都集成在同一塊芯片上，形成芯片級(jí)計(jì)算機(jī)，可為不同應(yīng)用場(chǎng)景實(shí)施不同控制。隨著汽車(chē)不斷從電動(dòng)化向智能化深度發(fā)展，MCU在汽車(chē)電子中的應(yīng)用場(chǎng)景也不斷豐富。作為汽車(chē)電子系統(tǒng)內(nèi)部運(yùn)算和處理的核心，MCU是實(shí)現(xiàn)汽車(chē)智能化的關(guān)鍵。在汽車(chē)應(yīng)用中，從雨刷、車(chē)窗到座椅，從安全系統(tǒng)到車(chē)載娛樂(lè)系統(tǒng)，再到車(chē)身控制和引擎控制，幾乎都離不開(kāi)MCU芯片，汽車(chē)電子的每一項(xiàng)創(chuàng)新都要通過(guò)MCU的運(yùn)算控制功能來(lái)實(shí)現(xiàn)。 據(jù)iSuppli報(bào)告顯示，一輛汽車(chē)中所使用的半導(dǎo)體器件數(shù)量中，MCU芯片約占30%。在汽車(chē)向智能化演進(jìn)過(guò)程中，對(duì)MCU的需求增長(zhǎng)得越來(lái)越快。IC Insights預(yù)測(cè)，未來(lái)MCU出貨量將持續(xù)上升，車(chē)規(guī)級(jí)MCU市場(chǎng)將在2020年接近460億元，2025年將達(dá)700億元，單位出貨量將以11.1%復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。MCU是行業(yè)戰(zhàn)略高地，對(duì)汽車(chē)智能化發(fā)展有著決定性的作用。 比亞迪半導(dǎo)體從2007年就進(jìn)入MCU領(lǐng)域，從工業(yè)級(jí)MCU開(kāi)始，堅(jiān)持性能與可靠性雙重路線(xiàn)，現(xiàn)擁有工業(yè)級(jí)通用MCU芯片、工業(yè)級(jí)三合一MCU芯片、車(chē)規(guī)級(jí)觸控MCU芯片、車(chē)規(guī)級(jí)通用MCU芯片以及電池管理MCU芯片，累計(jì)出貨突破20億顆。 結(jié)合多年工業(yè)級(jí)MCU的技術(shù)和制造實(shí)力，比亞迪半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了從工業(yè)級(jí)MCU到車(chē)規(guī)級(jí)MCU的高難度跨級(jí)別業(yè)務(wù)延伸，在2018年成功推出第一代8位車(chē)規(guī)級(jí)MCU芯片，2019年推出第一代32位車(chē)規(guī)級(jí)MCU芯片，批量裝載在比亞迪全系列車(chē)型上，已累計(jì)裝車(chē)超500萬(wàn)顆，標(biāo)志著中國(guó)在車(chē)規(guī)級(jí)MCU市場(chǎng)上實(shí)現(xiàn)了重大的突破。未來(lái)，比亞迪半導(dǎo)體還將推出應(yīng)用范圍更廣、技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先的車(chē)規(guī)級(jí)多核高性能MCU芯片。 比亞迪MCU芯片 二、功率半導(dǎo)體以IGBT和SiC為核心，逐步實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈整合 2005年，比亞迪組建團(tuán)隊(duì)，開(kāi)始研發(fā)IGBT(絕緣柵雙極晶體管);2009年推出國(guó)內(nèi)首款自主研發(fā)IGBT芯片，打破國(guó)外企業(yè)的技術(shù)壟斷;2018年推出的IGBT 4.0芯片，成為國(guó)內(nèi)中高端IGBT功率芯片新標(biāo)桿。目前，以IGBT為主的車(chē)規(guī)級(jí)功率器件累計(jì)裝車(chē)超過(guò)100萬(wàn)輛，單車(chē)行駛里程超過(guò)100萬(wàn)公里。 比亞迪半導(dǎo)體IGBT4.0晶圓 與此同時(shí)，比亞迪半導(dǎo)體對(duì)SiC的研發(fā)也從未停止。和IGBT相比，SiC生產(chǎn)的芯片尺寸更小、功率器件效率更高，耐溫性也更高。作為新能源汽車(chē)下一代功率半導(dǎo)體器件核心，SiC MOSFET可使得電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器體積減小60%以上，整車(chē)性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。 今年7月上市的比亞迪旗艦車(chē)型"漢"，是國(guó)內(nèi)首款批量搭載SiC 功率模塊的車(chē)型。匹配這一電控系統(tǒng)的后電機(jī)，峰值扭矩350N m，峰值功率為200kW，SiC電控的綜合效率高達(dá)97%以上，使整車(chē)的動(dòng)力性、經(jīng)濟(jì)性表現(xiàn)非常出眾。 三、光電半導(dǎo)體和智能傳感器持續(xù)發(fā)展，多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)占主導(dǎo)地位 除了MCU、IGBT和SiC，比亞迪還致力于光電半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，不斷拓展自主研發(fā)LED光源在汽車(chē)上的應(yīng)用，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)可見(jiàn)光及不可見(jiàn)光產(chǎn)品全面覆蓋。目前，比亞迪半導(dǎo)體的車(chē)規(guī)級(jí)LED光源累計(jì)裝車(chē)超100萬(wàn)輛，在汽車(chē)前裝市場(chǎng)上位居中國(guó)第一。 與此同時(shí)，比亞迪半導(dǎo)體在嵌入式指紋芯片、掃描傳感器、CMOS圖像傳感器、電流電壓傳感器等智能傳感器領(lǐng)域也發(fā)展迅速。 作為嵌入式指紋市場(chǎng)主流供應(yīng)商，各類(lèi)SENSOR方案月出貨量超100萬(wàn)套，在中國(guó)智能門(mén)鎖市場(chǎng)占有率第一。在嵌入式指紋市場(chǎng)，比亞迪半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了多項(xiàng)全球第一，比如：第一家小面積算法嵌入式化;第一家推出大小面積融合算法，識(shí)別率超過(guò)99%，遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(95%);第一家推出完整嵌入式指紋解決方案，推出三合一鎖控MCU，高度集成，大大縮短方案開(kāi)發(fā)周期和開(kāi)發(fā)成本。 比亞迪半導(dǎo)體高集成、三合一鎖控MCU 在掃描傳感器方面，比亞迪半導(dǎo)體打破了線(xiàn)性?huà)呙鑲鞲衅餍酒扇毡竟緣艛嗟木置?，掃描傳感器芯片出貨量位居中?guó)第一，全球第二。 在圖像傳感器方面，比亞迪半導(dǎo)體由手機(jī)消費(fèi)電子入手，逐步向車(chē)規(guī)級(jí)拓展，成功開(kāi)發(fā)出了國(guó)內(nèi)第一顆車(chē)規(guī)級(jí)BSI 1080P、960P圖像傳感器，正在繼續(xù)探索和豐富圖像傳感器芯片在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用場(chǎng)景。 近年來(lái)，我國(guó)大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，在家電、工業(yè)等領(lǐng)域已逐漸實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，在車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體領(lǐng)域雖有突破，但仍處于弱勢(shì)地位。 作為中國(guó)率先掌握車(chē)規(guī)級(jí)核心半導(dǎo)體器件的企業(yè)，比亞迪半導(dǎo)體正持續(xù)為客戶(hù)提供領(lǐng)先的車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體整體解決方案，致力于成為高效、智能、集成的新型半導(dǎo)體供應(yīng)商。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 比亞迪 MCU

  • 被列入了美國(guó)“出口管制”的中芯，下一步如何走？

    9月26日，中芯被美國(guó)實(shí)施出口管制一事，繼美國(guó)將華為加入禁令清單后，再次引起了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注。加之月初，美國(guó)懷疑中芯國(guó)際有“涉軍”嫌疑，威脅要加以制裁，之后中芯國(guó)際的聲明與事態(tài)進(jìn)展，中芯更是被推到風(fēng)口浪尖。 一、“出口管制”和“實(shí)體清單”的區(qū)別。 雖然中芯和美國(guó)商務(wù)部都沒(méi)有發(fā)表明確聲明，但據(jù)芯謀研究掌握的信息，中芯被列入了美國(guó)“出口管制”關(guān)注的名單，并沒(méi)有被列入“實(shí)體清單”!更確切地說(shuō)，9月26日網(wǎng)上流傳的那封信是美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局發(fā)給SIA(美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì))，然后再由SIA發(fā)給相關(guān)公司，目前美國(guó)相關(guān)公司也收到了此信。 因?yàn)槭侵苣?，很多?xì)則還沒(méi)有出來(lái)，相關(guān)企業(yè)也正在了解詳細(xì)情況。即便中芯最終被確認(rèn)實(shí)施“出口管制”，這與被列入“實(shí)體清單”仍有區(qū)別。若被列入“出口管制”，中芯的美國(guó)供應(yīng)商在給中芯供貨時(shí)需依照美國(guó)出口管制條例的EAR 744.21(b)申請(qǐng)?zhí)厥庠S可證。 如果涉軍嫌疑被確認(rèn)，中芯作為軍事用戶(hù)，軍控清單里的物項(xiàng)就需要特別許可證。雖然手續(xù)麻煩了許多，但遠(yuǎn)不及被列入“實(shí)體清單”那么嚴(yán)重——“實(shí)體清單”提出的申請(qǐng)會(huì)被“推定拒絕”，而對(duì)軍事用戶(hù)或軍事用途的審批過(guò)程雖會(huì)被拖延，但仍有被批準(zhǔn)的可能——只不過(guò)在當(dāng)前敏感的政治形勢(shì)下，獲得批準(zhǔn)將會(huì)困難重重。 二、對(duì)中芯有哪些影響? 中芯一旦被實(shí)施出口管制，在當(dāng)前敏感的政治形勢(shì)下，后續(xù)獲得批準(zhǔn)的過(guò)程無(wú)疑崎嶇坎坷。這將直接導(dǎo)致中芯購(gòu)買(mǎi)來(lái)自美國(guó)和部分國(guó)際公司的設(shè)備材料以及備品備件時(shí)遇到阻礙，甚至有斷貨的可能;中芯與美國(guó)客戶(hù)、部分國(guó)際客戶(hù)的合作將會(huì)受到嚴(yán)重影響;同時(shí)中芯與美國(guó)和部分國(guó)際合作方的合作將會(huì)遇到阻礙。影響是全面的，嚴(yán)重的! 但美國(guó)的制裁會(huì)讓中芯陷入絕境，甚至?xí)[嗎?答案顯然是否定的。若美國(guó)對(duì)中芯進(jìn)行制裁，會(huì)讓中芯的業(yè)務(wù)大受影響，但不會(huì)讓中芯停擺。首先是中芯是一家已經(jīng)運(yùn)營(yíng)了20年，擁有成建制幾十萬(wàn)片月產(chǎn)能的成套設(shè)備、成熟工藝、多種技術(shù)和多元化的供應(yīng)商; 其次是華為事件后，中芯的憂(yōu)患意識(shí)更加強(qiáng)烈，早已強(qiáng)化底線(xiàn)思維，對(duì)包括設(shè)備、備件、原材料、國(guó)際客戶(hù)等上下游產(chǎn)業(yè)鏈都做了兩手準(zhǔn)備。比如原材料上儲(chǔ)備充分;比如北美客戶(hù)營(yíng)收占比大幅降低，國(guó)內(nèi)客戶(hù)營(yíng)收比例提升;現(xiàn)在中芯已在國(guó)內(nèi)科創(chuàng)板上市，目前擁有超過(guò)千億人民幣的現(xiàn)金，為過(guò)冬和持久戰(zhàn)作好了全面的后勤保障。 三、怎樣看中芯的聲明? 自媒體時(shí)代，紛紜眾聲。中芯聲明一發(fā)，有說(shuō)中芯“跪了”，有說(shuō)中芯“軟弱”，甚至有說(shuō)中芯是技術(shù)買(mǎi)辦。還有的公眾號(hào)里面號(hào)稱(chēng)企業(yè)要捆綁愛(ài)國(guó)情懷，發(fā)出以上實(shí)體清單為榮的這種辭令，甚至說(shuō)“生的光榮、死的偉大”這種詞句。這其中不乏一些“圖一時(shí)口舌之快、逞一時(shí)嘴炮之能”的鍵盤(pán)俠?？吹骄W(wǎng)上一些不解現(xiàn)狀、不懂行業(yè)、不知差距的“看熱鬧不嫌事大”的言論，不禁胸中氣苦、憤從中來(lái)。 作為產(chǎn)業(yè)人，必須要有深刻、清醒、理智、全面的定力。我不想舉韓信的故事，更想把《趙氏孤兒》中公孫杵臼與程嬰這段話(huà)與大家分享：公孫杵臼曰：“立孤與死孰難?”程嬰曰：“死易，立孤難耳?！惫珜O杵臼曰：“趙氏先君遇子厚，子強(qiáng)為其難者，吾為其易者，請(qǐng)先死?！?.....杵臼謬曰：“小人哉程嬰!昔下宮之難不能死，與我謀匿趙氏孤兒，今又賣(mài)我?？v不能立，而忍賣(mài)之乎!”抱兒呼曰：“天乎天乎!趙氏孤兒何罪?請(qǐng)活之，獨(dú)殺杵臼可也?！敝T將不許，遂殺杵臼與孤兒。 公孫杵臼，視死如歸，為忠義不惜性命，為目的敢拋頭顱。這種精神千百年來(lái)激勵(lì)著我們，也讓我們深受感動(dòng)。但幾千年前的先人尚且知道“死易活難”。死了一了百了，落個(gè)“忠義慷慨”的千秋美名，而活著卻要忍辱負(fù)重，還要背負(fù)自責(zé)壓力、養(yǎng)教之苦，程嬰甚至背負(fù)著賣(mài)友求榮的一世罵名!這在重視名聲、追求青史留名的古代更為不易。 公孫杵臼的慷慨赴死是為了活，死是手段，活是目的，他的“先死”讓我們感動(dòng)的不能僅僅是忠義與犧牲，更應(yīng)有大局與智慧;程嬰的委曲求活、忍辱負(fù)重才讓公孫杵臼的死有意義。飛蛾撲火精神可嘉，但灰燼過(guò)去，沒(méi)有一點(diǎn)光華留下。而忍辱負(fù)重者，方能扛起責(zé)任和歷史!活著，才有希望!幾千年前如此，當(dāng)下亦如此! 回到半導(dǎo)體，中國(guó)幾千家芯片設(shè)計(jì)公司，多數(shù)在中芯生產(chǎn)，在全球產(chǎn)能都極其緊張的當(dāng)下，如果中芯“慷慨赴死”，那中國(guó)幾千家公司很難拿到產(chǎn)能，這樣中國(guó)的設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)會(huì)遭到致命打擊;更進(jìn)一步，國(guó)產(chǎn)設(shè)備材料的發(fā)展，更不可能指望國(guó)際公司進(jìn)行初始驗(yàn)證。 某種意義上中芯既擔(dān)負(fù)著為國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司提供產(chǎn)能的重任，又擔(dān)負(fù)著支持國(guó)產(chǎn)設(shè)備材料驗(yàn)證的使命，這不僅是中芯的實(shí)力決定，更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中制造業(yè)的產(chǎn)業(yè)規(guī)律使然。 網(wǎng)絡(luò)自媒體里面不負(fù)責(zé)任的輕巧話(huà)兒好說(shuō)，鍵盤(pán)俠、打嘴炮容易，但這對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展有意義嗎?中芯固然可以選擇玉石俱焚，但為了中國(guó)產(chǎn)業(yè)的大局，幾百家設(shè)備材料公司、幾千家設(shè)計(jì)公司更需要中芯堅(jiān)強(qiáng)地活著! 四、怎樣看中國(guó)半導(dǎo)體的現(xiàn)狀? 1、半導(dǎo)體，我的國(guó)目前還不厲害 過(guò)去互聯(lián)網(wǎng)上過(guò)多的“厲害了我的國(guó)” 的言論，過(guò)多的“填補(bǔ)空白，實(shí)現(xiàn)趕超”的喜訊，讓不少人甚至某些領(lǐng)導(dǎo)產(chǎn)生了我們半導(dǎo)體飛速發(fā)展、大干快成的錯(cuò)覺(jué)。華為事件、科創(chuàng)板等又讓中國(guó)的半導(dǎo)體成為媒體關(guān)注的重點(diǎn)。網(wǎng)上很多關(guān)于芯片的文章為對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不了解的人所寫(xiě)，里面有不少妄自尊大的言辭，自我吹捧的宣揚(yáng)。 實(shí)際上作為后進(jìn)者，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是落后很多、差距很大的，在這個(gè)領(lǐng)域，我的國(guó)目前并不厲害。 2、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)美國(guó)從政治和技術(shù)上都有很強(qiáng)的主控、領(lǐng)先、主導(dǎo)權(quán) 本來(lái)集成電路就是美國(guó)發(fā)明主導(dǎo)的，美國(guó)對(duì)半導(dǎo)體的主導(dǎo)權(quán)始于過(guò)去，始終掌控在手中，領(lǐng)導(dǎo)權(quán)依然穩(wěn)固如初。因?yàn)橛螒蛞?guī)則都是他們定的，原創(chuàng)技術(shù)是他們發(fā)明的，以至于很多非美國(guó)的知名企業(yè)也受制于美國(guó)。在沖突中，我們看到了不少非美公司的猶豫和為難，這不僅僅是地緣政治上受限于美國(guó)，更是因?yàn)榧夹g(shù)上也受制于美國(guó)。 很無(wú)奈，但是這就是現(xiàn)實(shí)。 3、即使是已經(jīng)獨(dú)立自主的產(chǎn)業(yè)，當(dāng)尋根朔源時(shí)依然擺脫不了依賴(lài) 有些專(zhuān)家把自己說(shuō)的很強(qiáng)，給了人民群眾認(rèn)為中國(guó)半導(dǎo)體在不少關(guān)鍵方向已經(jīng)獨(dú)立自主的錯(cuò)覺(jué)，但可惜真相并非如此。中興華為事件后，之前被譽(yù)為取得重大突破、填補(bǔ)空白的設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)卻并不能解決芯片問(wèn)題;海思事件后，國(guó)內(nèi)的制造業(yè)也依然無(wú)法為海思生產(chǎn)，并不能解決制造問(wèn)題;同樣如果中國(guó)制造被制裁后，國(guó)內(nèi)的設(shè)備材料公司能解決問(wèn)題嗎?和平立項(xiàng)時(shí)的慷慨激昂和戰(zhàn)爭(zhēng)立功時(shí)的無(wú)可奈何，就是這么矛盾卻和諧地出現(xiàn)在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)每一個(gè)環(huán)節(jié)中。 比如我們現(xiàn)在寄予厚望的設(shè)備產(chǎn)業(yè)，其實(shí)中國(guó)設(shè)備產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值在全球設(shè)備市場(chǎng)的占比不到2%!同時(shí)國(guó)內(nèi)不少設(shè)備企業(yè)的關(guān)鍵部件也是國(guó)際供應(yīng)商甚至不少美國(guó)技術(shù)，而不少設(shè)備材料企業(yè)的核心團(tuán)隊(duì)往往是美國(guó)國(guó)籍。如果真的中芯有難，他們同樣會(huì)遇到中芯今天的難題。 中芯之事，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著巨大的影響!但遺憾的是目前并未引起更高的重視，反而網(wǎng)絡(luò)上一片指責(zé)謾罵的聲音。在自媒體時(shí)代，輿論的多元化是正常的。但不譴是非，以與世俗處。我們希望專(zhuān)家學(xué)者、領(lǐng)導(dǎo)政要、產(chǎn)業(yè)各界能充分意識(shí)到上面三點(diǎn)，能理解中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、理解中芯面臨的艱苦處境，不為各種浮躁的聲音所干擾! 我們更呼吁，要給予中芯足夠的耐心和支持，給予安靜的發(fā)展環(huán)境。指責(zé)謾罵于事無(wú)補(bǔ)，言論攻訐無(wú)濟(jì)于事，我們應(yīng)該要多些換位理解，多些切身體會(huì)。更要理解低頭需要勇氣，忍辱負(fù)重更難!只有度過(guò)黑暗，才能見(jiàn)到光明，只有好好地活下去，才能為中國(guó)產(chǎn)業(yè)做出更大的貢獻(xiàn)。 五、中國(guó)芯，如何做? 自力更生、做全產(chǎn)業(yè)鏈可能是一種方案，但這需要建立在更有耐心、更長(zhǎng)時(shí)間、更加專(zhuān)業(yè)等眾多成功要素基礎(chǔ)上，這不是解決當(dāng)下問(wèn)題的最優(yōu)選擇。 或許華為這樣以一己之力對(duì)抗美國(guó)制裁的做法，讓我們感受到了中國(guó)技術(shù)的實(shí)力和昂揚(yáng)的士氣。但華為畢竟是獨(dú)一無(wú)二的，我們需要華為這種提升斗志、正面作戰(zhàn)的企業(yè)，但同時(shí)我們也需要更多迂回斡旋、砥礪前行的非華為企業(yè)。 或許政府業(yè)界對(duì)中芯寄予了很高的期望，或許人民群眾期待中芯和華為一樣“正面硬抗”美國(guó)。但中芯更加依賴(lài)全球性的供應(yīng)和技術(shù)，而且即使強(qiáng)大如華為，在全球一體化大背景下，在當(dāng)下美國(guó)掌握半導(dǎo)體主導(dǎo)權(quán)的背景下，也在與美國(guó)積極溝通，希望長(zhǎng)期合作。這不是軟弱，更不無(wú)能，而是務(wù)實(shí)之舉，也是“留得青山在、不愁沒(méi)柴燒”的中國(guó)智慧。 彎道和曲折雖然讓我們多走了幾步路， 但它會(huì)讓我們走得更遠(yuǎn)。沒(méi)有任何大江大河能直線(xiàn)前往，因?yàn)橹挥星塾鼗夭拍芡ㄍ蠛?同樣通往星辰大海的芯路也會(huì)曲折反復(fù)，甚至折回!但唯如此，才能不畏山阻道長(zhǎng)，才能行則將至。 要解決眼前的芯片難題，我們要么跳出芯片看芯片，在國(guó)家這個(gè)更大的范疇中和更高的全局中考慮芯片的定位;要么務(wù)實(shí)分析我們的產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)短板?，F(xiàn)階段我們芯片產(chǎn)業(yè)最強(qiáng)的兩段，一個(gè)是資本、一個(gè)是市場(chǎng)，要充分利用好這兩個(gè)長(zhǎng)板。金融上擴(kuò)大開(kāi)放、產(chǎn)業(yè)上結(jié)合市場(chǎng)擴(kuò)大縱深。 如果能在金融和市場(chǎng)開(kāi)放上做更大文章，與眾多國(guó)際優(yōu)秀企業(yè)探討在新的形勢(shì)下，通過(guò)資本開(kāi)放、金融開(kāi)放、市場(chǎng)開(kāi)放，以開(kāi)放促合作，以合作求發(fā)展，共同尋找新時(shí)期的合作模式。 在這非常之時(shí)機(jī)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為非常之產(chǎn)業(yè)，要有進(jìn)入準(zhǔn)戰(zhàn)時(shí)狀態(tài)的思維，而作為產(chǎn)業(yè)中流砥柱的代工業(yè)更應(yīng)該居安思危，以變應(yīng)變。芯謀研究很早就提出了產(chǎn)業(yè)三線(xiàn)的觀點(diǎn)：大力扶持現(xiàn)有量產(chǎn)企業(yè)積極擴(kuò)產(chǎn)，新增相關(guān)主體，戰(zhàn)術(shù)上為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供更多產(chǎn)能支撐，戰(zhàn)略上為持續(xù)增強(qiáng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)安全提供保障。 對(duì)中芯來(lái)說(shuō)，積極溝通，爭(zhēng)取以時(shí)間換空間;而國(guó)內(nèi)適度增加新的主體，布局產(chǎn)業(yè)三線(xiàn)，則是以空間換時(shí)間。 在這敏感的時(shí)代、敏感的產(chǎn)業(yè)，一個(gè)分析師往往很難判斷產(chǎn)業(yè)的全局走向，同樣一個(gè)企業(yè)也很難在政治過(guò)度干預(yù)的當(dāng)下，做出令各方滿(mǎn)意的決策。中芯不易，中國(guó)芯更難! 河流，無(wú)形無(wú)態(tài)，能奔流、能緩行、能彎曲、能沖擊，但初心不改，目標(biāo)始終是大海。我們希望中國(guó)資本的熱情，可以轉(zhuǎn)化為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大的動(dòng)力，我們也希望整個(gè)產(chǎn)業(yè)同仁可以風(fēng)雨同舟，攜手并進(jìn)，砥礪前行，共同筑起產(chǎn)業(yè)大廈的牢固根基。

    半導(dǎo)體 美國(guó) 中芯 出口管制

  • 中芯國(guó)際持續(xù)發(fā)力，日本半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)華出口額飆升

    科技領(lǐng)先意味著國(guó)家發(fā)展的主導(dǎo)權(quán)，而芯片國(guó)產(chǎn)化就是我國(guó)把半導(dǎo)體行業(yè)十分重要的關(guān)鍵點(diǎn)。近日，中科院宣布：將光刻機(jī)等半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)當(dāng)中的重要設(shè)備和材料，列入重點(diǎn)研究范圍。由此可見(jiàn)，如今我國(guó)對(duì)于芯片科技領(lǐng)域的重視，可以說(shuō)是進(jìn)一步地提升了。 而提到中國(guó)芯片領(lǐng)域的巨頭，中芯國(guó)際無(wú)疑是大眾認(rèn)知度較廣的一家企業(yè)。在這個(gè)特殊的時(shí)期之內(nèi)，其也肩負(fù)了中國(guó)芯崛起的重?fù)?dān)。 據(jù)悉，如今中芯國(guó)際正在不斷加大在半導(dǎo)體制造設(shè)備上的投資，以期能夠擴(kuò)大自身的產(chǎn)能，推動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程。 在中芯國(guó)際持續(xù)發(fā)力的情況之下，作為世界范圍內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備出口大國(guó)，日本因此也是得到了很多的利益。根據(jù)9月28日的最新報(bào)道顯示，在今年的8月份當(dāng)中，該國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)華出口額，出現(xiàn)了大幅飆升的局面。 眾所周知，由于衛(wèi)生事件的影響和沖擊，在今年伊始的一段時(shí)間內(nèi)，我國(guó)有著許多產(chǎn)業(yè)都陷入了停工的狀態(tài)當(dāng)中，芯片也不例外。然而隨著復(fù)工復(fù)產(chǎn)的推進(jìn)，中國(guó)芯的發(fā)展也是迸發(fā)出了嶄新的活力，且以中芯國(guó)際為代表的一眾中國(guó)芯片制造商，也是加大了自身的研發(fā)力度。 在這種情況下，在今年的第二季度當(dāng)中，中國(guó)時(shí)隔3個(gè)月，再次成為了日本半導(dǎo)體設(shè)備的最大出口市場(chǎng)。 此外，在8月份當(dāng)中，雙方在半導(dǎo)體設(shè)備的貿(mào)易方面，更是出現(xiàn)了進(jìn)一步的增長(zhǎng)。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，8月日本對(duì)華銷(xiāo)售的半導(dǎo)體制造設(shè)備的銷(xiāo)售額，出現(xiàn)了同比17.3%的暴漲，銷(xiāo)售額達(dá)到了1884億日元(折合人民幣約122億元)。 毫無(wú)疑問(wèn)，在此局面的背后，中芯國(guó)際等一眾推動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)化的中企，對(duì)此起到了主要的拉動(dòng)作用。 目前來(lái)看，我國(guó)在NAND型閃存，以及半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的設(shè)備投資，均是維持在一個(gè)較高的水平之上。值得一提的是，在此之前，日本半導(dǎo)體設(shè)備在中國(guó)市場(chǎng)內(nèi)的最大買(mǎi)家，卻并不是這些中國(guó)芯片國(guó)企，而是三星等在華的外企。 而如今這個(gè)情況發(fā)生了改變，更是進(jìn)一步地顯示出了我國(guó)現(xiàn)階段對(duì)于芯片國(guó)產(chǎn)化的重視以及決心。在我國(guó)境內(nèi)，目前半導(dǎo)體廠商的數(shù)量也是處于增長(zhǎng)當(dāng)中，這對(duì)相關(guān)投資也是存在著拉動(dòng)作用。 看到這一局面，美方卻是著急了。要知道在此之前，美方的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司，在中國(guó)市場(chǎng)內(nèi)可是占據(jù)了大量的份額的。然而由于其自身的相關(guān)限制，卻是使得雙方的合作不得不中止。而日本的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，卻是趁著這個(gè)大好計(jì)劃，進(jìn)一步擴(kuò)大了在華市場(chǎng)的影響力。 對(duì)于美方的相關(guān)企業(yè)而言，這無(wú)疑是十分不利的。毫無(wú)疑問(wèn)，若是沒(méi)有著禁令相關(guān)的限制，該國(guó)的半導(dǎo)體制造商在現(xiàn)如今這個(gè)時(shí)期內(nèi)，可以從中國(guó)市場(chǎng)內(nèi)獲取相當(dāng)之大的利潤(rùn)，然而如今卻是不得不拱手讓人。 此前國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的總裁，就曾對(duì)美方的政府喊話(huà)，表示受其做出的限制影響，該國(guó)在芯片制造設(shè)備的出口上，每年的損失預(yù)計(jì)將高達(dá)200億美元(折合人民幣約1365億元)之多。 綜上所述，對(duì)于我國(guó)而言，推動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程是勢(shì)在必行的事，而中芯國(guó)際等一眾芯片產(chǎn)業(yè)，也是處于不斷發(fā)力的階段當(dāng)中。

    半導(dǎo)體 中芯國(guó)際 日本半導(dǎo)體 設(shè)備出口

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