東芝
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東芝與海力士半導(dǎo)體合作研發(fā)MRAM內(nèi)存技術(shù)
東芝周三（713）宣布與韓國海力士半導(dǎo)體（HynixSemiconductor）合作研發(fā)磁電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）技術(shù)，今后將在韓國利川的海力士研究設(shè)施中集結(jié)雙方技術(shù)人才，積極推動(dòng)此合作計(jì)劃。MRAM是一種低耗電、讀寫速度快
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業(yè)內(nèi)消息：三星Line-16晶圓廠9月投產(chǎn)
據(jù)業(yè)內(nèi)媒體提供的最新消息顯示，韓國電子三星公司旗下半導(dǎo)體工廠Line-16預(yù)計(jì)將于今年9月份正式投產(chǎn)。其實(shí)早在2010年5月三星就已經(jīng)舉行了新內(nèi)存芯片制造廠Line-16的動(dòng)土典禮，據(jù)悉該廠總造價(jià)約為12兆韓元(約50億美元)
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東芝啟動(dòng)NAND閃存新廠房Fab5，將成為后NAND存儲器的主力工廠
竣工儀式的剪彩儀式（點(diǎn)擊放大） 在竣工宴會(huì)上致辭的東芝佐佐木（點(diǎn)擊放大） 東芝宣布，該公司在四日市工廠（三重縣四日市市）內(nèi)建設(shè)的NAND閃存新制造廠房“Fab5”已經(jīng)竣工并投產(chǎn)。該廠房將成為24nm工藝以后的
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業(yè)內(nèi)消息：三星Line-16晶圓廠9月投產(chǎn)
據(jù)業(yè)內(nèi)媒體提供的最新消息顯示，韓國電子三星公司旗下半導(dǎo)體工廠Line-16預(yù)計(jì)將于今年9月份正式投產(chǎn)。其實(shí)早在2010年5月三星就已經(jīng)舉行了新內(nèi)存芯片制造廠Line-16的動(dòng)土典禮，據(jù)悉該廠總造價(jià)約為12兆韓元(約50億美元)
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東芝和SanDisk日本建第3個(gè)NAND半導(dǎo)體工廠
據(jù)國外媒體報(bào)道，日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對智能手機(jī)和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。 這
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東芝Sandisk 共慶300mm級NAND閃存廠Fab 5在日投產(chǎn)
東芝株式會(huì)社與SanDisk公司今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。 由于消費(fèi)者對于智能手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動(dòng)著NAND閃存的全球需求總量進(jìn)
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東芝預(yù)計(jì)下半年閃存芯片需求將回彈
東芝周二稱，今年第二季度中閃存芯片的需求量不及預(yù)期，主要由于平板電腦及其他消費(fèi)電子設(shè)備的銷售表現(xiàn)疲弱。但東芝高管同時(shí)指出，在今年剩余時(shí)間里，圣誕節(jié)購物季節(jié)以前的閃存芯片需求都將表現(xiàn)強(qiáng)勁。東芝內(nèi)存芯片業(yè)
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東芝宣布攜手海力士聯(lián)合開發(fā)MRAM產(chǎn)品
（無忌）北京時(shí)間7月13日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，全球第二大內(nèi)存芯片制造商海力士和東芝周三聯(lián)合宣布，兩家公司將聯(lián)合開發(fā)磁阻隨機(jī)存儲器（MRAM）產(chǎn)品。 東芝與海力士共同簽署的聲明稱，一旦MRAM的技術(shù)開發(fā)完成，
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臺灣電腦廠商仁寶買下東芝墨西哥工廠
新浪科技訊 7月14日上午消息，臺灣電腦廠商仁寶昨日公告稱，將買下東芝位于墨西哥的液晶電視組裝廠，預(yù)計(jì)第三季度完成產(chǎn)權(quán)移轉(zhuǎn)。此舉有助仁寶擴(kuò)大爭取東芝和其他日本電視品牌廠的訂單，但可能沖擊另一家代工廠緯創(chuàng)
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東芝和新帝Fab 5新廠
連于慧 NAND Flash大廠東芝(Toshiba)和快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk) 于日本三重縣四日市合資新12吋晶圓廠Fab 5，此座新廠是采用2層式鋼結(jié)構(gòu)混凝土建筑，共達(dá)5層樓，建筑面積約38,000平方米，使用面積約187,000平方米
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東芝Sandisk 共慶300mm級NAND閃存廠Fab 5在日投產(chǎn)
東芝株式會(huì)社與SanDisk公司今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。 由于消費(fèi)者對于智能手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動(dòng)著NAND閃存的全球需求總量進(jìn)
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東芝/SanDisk合資Fab5投產(chǎn) 首批晶圓8月出貨
Toshiba東芝株式會(huì)社(TOKYO：6502) 與SanDisk公司 (NASDAQ：SNDK) 共同慶祝，位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm(12寸)晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。由于消費(fèi)者對于智慧手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備
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東芝欲取代三星成為全球第一大閃存制造商
（中濤）北京時(shí)間7月12日消息，據(jù)路透社報(bào)道，東芝總裁佐佐木則夫(Norio Sasaki)近日表示，東芝希望不久超過韓國三星電子，進(jìn)而成為全球第一大閃存(flash memory)產(chǎn)品制造商。 佐佐木則夫在視察日本一家新建芯片
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東芝與Sandisk共慶Fab 5正式投產(chǎn)
21ic訊 東芝株式會(huì)社與SanDisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。由于消費(fèi)者對于智能手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備的巨大需求推動(dòng)著NAND閃存的全球需求
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東芝預(yù)計(jì)下半年閃存芯片需求將回彈
北京時(shí)間7月13日凌晨消息，東芝周二稱，今年第二季度中閃存芯片的需求量不及預(yù)期，主要由于平板電腦及其他消費(fèi)電子設(shè)備的銷售表現(xiàn)疲弱。但東芝高管同時(shí)指出，在今年剩余時(shí)間里，圣誕節(jié)購物季節(jié)以前的閃存芯片需求都將
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三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%
據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo)，2011年第1季NANDFlash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(SamsungElectronics)8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動(dòng)DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。外
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東芝Sandisk宣布旗下300mm規(guī)格Fab5工廠正式啟動(dòng)開工
東芝與其NAND閃存芯片制造領(lǐng)域的合作伙伴SanDisk合作創(chuàng)立的第三間，同時(shí)也是其名下最大的一間300mmNAND閃存芯片廠Fab5近日在東芝 位于四日市的生產(chǎn)基地正式開工。據(jù)這間工廠的合資方東芝和SanDisk表示，F(xiàn)ab5芯片廠已
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中小面板轉(zhuǎn)單效應(yīng) 可期
受地震影響，日本日立與東芝等中小尺寸面板廠更倚賴臺廠產(chǎn)能支持；至于日本材料如異方性導(dǎo)電膠（ACF）等供應(yīng)狀況，面板廠仍在密切觀察其出貨狀況，希望不要影響面板廠第二季出貨。 業(yè)內(nèi)人士說，這次日本強(qiáng)震受創(chuàng)的
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東芝聯(lián)合硬盤零件廠商，與西數(shù)希捷三足鼎立
日本廠商東芝(Toshiba)將在日本設(shè)置兩個(gè)新的硬盤研發(fā)據(jù)點(diǎn)，在并購風(fēng)潮正烈的硬盤市場，東芝此舉頗有向那些規(guī)模較大的競爭對手宣戰(zhàn)之意味。 今年3月，兩家硬盤大廠Western Digital (WD)與日立環(huán)球儲存科技(Hitachi GS
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東芝在NAND閃存領(lǐng)域縮小與三星差距
今年第一季度，在NAND閃存領(lǐng)域，東芝與三星電子的差距正在縮小。iSuppli的數(shù)據(jù)顯示，三星電子目前是全球最大的NAND閃存芯片廠商，今年第一季度在這一市場的份額為35.9%。不過，東芝的市場份額已經(jīng)上升至35.6%。NAND閃
