2008年對(duì)于中國注定是一個(gè)多事之秋,地震、奧運(yùn)、神舟七號(hào)載人飛船順利升空、金融風(fēng)暴等事件的發(fā)生讓人們的心緒也隨之跌宕起伏。不過無論是喜是悲,08年都即將要過去,迎接我們的將是嶄新的2009年。 2008年對(duì)于投影
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo),消費(fèi)性電子大廠Sony傳出1995年來首度虧損,虧損金額恐達(dá)1,000億日?qǐng)A。東芝(Toshiba)也傳出2001年來首度虧損的壞消息,因此這2家企業(yè)股價(jià)雙雙重挫,Sony股價(jià)下跌8.9%,而東芝下跌6.4%。 由于
告別了2008年,國內(nèi)數(shù)字投影機(jī)產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入2009大“?!敝?,然而牛年的開始卻并未充滿牛的氣象。在全球金融危機(jī)的影響下,2009年的投影機(jī)產(chǎn)業(yè)擁有更多的未知數(shù)。 在09年之前的數(shù)年內(nèi),國內(nèi)投影機(jī)市場規(guī)模一直保持
1月13日下午消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,知情人士透露,受銷售疲軟及日元升值影響,索尼本財(cái)年可能虧損11億美元,為14年來首度出現(xiàn)虧損。受此消息刺激,索尼股價(jià)今天大跌9%,市值跌至220億美元,縮水近20億美元。 巨額虧
據(jù)國外媒體報(bào)道,四位知情人士透露,東芝和富士通正在為合并雙方硬盤業(yè)務(wù)而展開最后的談判,兩家公司有望于月底前達(dá)成協(xié)議。 富士通發(fā)言人Etsuro Yamada此前曾證實(shí),正與數(shù)家公司商討過合并硬盤業(yè)務(wù)事宜。一位知情人
在全球經(jīng)濟(jì)下滑,企業(yè)紛紛收縮投資之時(shí),日本東芝公司卻宣布將投資300億日元,新建一家鋰離子電池工廠,以滿足產(chǎn)業(yè)機(jī)械和汽車業(yè)等的需求。 據(jù)日本媒體最新報(bào)道,東芝的新充電電池工廠將建在新潟縣柏崎市,計(jì)劃2009
英特爾上周五表示,三年前的裁員有助其安全“渡過”當(dāng)前的經(jīng)濟(jì)衰退。這表明英特爾CEO歐德寧無須實(shí)施大規(guī)模裁員計(jì)劃。 英特爾發(fā)言人上周五通過電子郵件發(fā)表聲明說,“盡管我們沒有就員工規(guī)模進(jìn)行具體規(guī)劃,2006年的重
12月22日是冬至過后的第二天,北京依然氣溫比較寒冷??墒沁@一天在北京中關(guān)村皇冠假日酒店的4層多功能廳里卻是洋溢著一股溫暖的氣息。神州數(shù)碼聯(lián)手東芝在這里隆重召開 “影”領(lǐng)未來 “芯”動(dòng)體驗(yàn)的新品體驗(yàn)會(huì),在這
據(jù)報(bào)道,東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)減產(chǎn)效應(yīng)提前浮現(xiàn),三星電子(Samsung Electronics)眼看機(jī)不可失也趁機(jī)鎖貨,狠狠推了一把,導(dǎo)致小型記憶卡 microSD 價(jià)格單日大漲50%,創(chuàng)下有史以來單日最大漲幅。通路商表示,原
12月25日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐,終止先前下跌趨勢,至少都以平盤以上開出,主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上,隨價(jià)格回穩(wěn)走揚(yáng),將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價(jià)損失壓力。
據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報(bào)道,東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)減產(chǎn)效應(yīng)提前浮現(xiàn),三星電子(Samsung Electronics)眼看機(jī)不可失也趁機(jī)鎖貨,狠狠推了一把,導(dǎo)致小型記憶卡microSD價(jià)格單日大漲50%,創(chuàng)下有史以來單日最大漲幅。通
據(jù)日本共同社報(bào)道,民間調(diào)查公司Gartner Japan15日發(fā)布的2008年全球半導(dǎo)體銷售額預(yù)測(快報(bào))顯示,東芝的銷售額為105.1億美元,和去年一樣列世界第三。英特爾以341.87億美元連續(xù)17年蟬聯(lián)榜首,韓國三星電子緊隨其后。
東芝宣布,2009年1月開始,將在該公司的NAND閃存生產(chǎn)基地四日市工廠(三重縣四日市市)進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)整。將把該工廠的產(chǎn)量削減30%左右。由于全球經(jīng)濟(jì)衰退,以面向內(nèi)存卡及便攜式媒體播放器為主的閃存市場需求低迷,供給
東芝宣布基于與NEC Electronics共同開發(fā)的45納米工藝技術(shù)的40納米 CMOS平臺(tái)技術(shù)。新平臺(tái)用于生產(chǎn)系統(tǒng)芯片以滿足功率關(guān)鍵的移動(dòng)應(yīng)用,它消耗的功率不足65納米級(jí)的大規(guī)模集成電路的一半。該公司還宣布,它預(yù)計(jì)將于2008