由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高,并且在高功率應用中具有卓越的性能,因此目前正在開關應用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實現(xiàn)更快的開關時間,從而顯著降低開關損耗。這些優(yōu)勢源于 SiC 器件獨特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結構固有的快速反向恢復,這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢。在快速反向恢復事件期間,設備可能會經歷較大的電壓尖峰,從而給設備和整個系統(tǒng)帶來風險。其他設計挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障,例如假柵極事件或寄生導通 。幸運的是,您可以減輕這些影響,從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。
三極管更多的是做一個開關管來使用,且只有截止、飽和兩個狀態(tài)。截止狀態(tài)看作是“關”,飽和狀態(tài)看作是“開”,Ib≥1mA時,完全可以保證三極管工作在飽和狀態(tài),對于小功率的三極管此時Ic為幾十到幾百mA,驅動繼電器、蜂鳴器等功率器件綽綽有余。
穩(wěn)壓二極管是一種特殊的二極管,它的主要作用是將輸入電壓穩(wěn)定在一定的范圍內,防止電壓的波動影響電路的正常工作。穩(wěn)壓二極管的工作原理和普通二極管相同,但其結構和性能有很大的不同。
2024年11月13日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 聯(lián)手推出一本新電子書,重點介紹優(yōu)化電源系統(tǒng)的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》(面向未來的供電:兼顧效率與穩(wěn)健性的先進電源解決方案)這本電子書中,ADI和貿澤的主題專家對電源系統(tǒng)中的重要組件、架構和應用進行了深入分析。
與普通產品相比,可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理
數據中心、電動汽車基礎設施和工業(yè)設備中高效電源解決方案的理想選擇
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逆變器是由具有中心抽頭變壓器,兩只開關管V1、V2碭和兩只二極管D1、D2構成的,是一種完全對稱的結構形式。
穩(wěn)定工作時,第個開關周期導通期間電感電流的增加等于關斷期間電感電流的減小。
繼電器是一種將大電流和高電壓控制在小電流和低電壓下的電氣開關。它由觸點系統(tǒng)和電磁鐵組成,當電磁鐵通電時,可吸引鐵心,使觸點閉合或斷開。它可以將信號的控制和功率信號的處理隔離開,同時還可以承受高壓和大電流。
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發(fā)光二極管驅動芯片按類型可分為:恒壓式驅動芯片、恒流式驅動芯片以及脈沖式驅動芯片。其中恒壓式驅動芯片一般就是我們常見的DC/DC升壓芯片居多。