低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66306

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66305

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66304

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66303

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66302

低功耗電源穩(wěn)壓器ADM66301

低功耗單芯片高性能音頻CODEC的設計

近年來隨著主流工藝線寬的不斷縮小到90nm以下，同時人們對數(shù)字音頻回放的質量要求越來越高，集成在SOC內部的音頻處理模塊慢慢的轉變?yōu)閱涡酒鉀Q方案。這樣就對單芯片音頻CODEC的功耗，性能和功能提出了更高的要求。

降低IC功耗的方法簡介

在許多設計中，功耗已經變成一項關鍵的參數(shù)。在高性能設計中，超過臨界點溫度而產生的過多功耗會削弱可靠性。在芯片上表現(xiàn)為電壓下降，由于片上邏輯不再是理想電壓條件下運行的那樣，功耗甚至會影響時序。為了處理功

“屏”成手機差異化途徑，多種技術爭奇斗艷

日前，天馬微電子股份有限公司2012年新技術產品發(fā)布會在深舉行，展示了天馬公司一年來在AM-OLED、LTPS、SIP、裸眼3D、CTP和e-paper等最新顯示技術上的進展，并透露業(yè)界目前十分關注的in-cell技術上，天馬已取得突破，

超級本固態(tài)硬盤未來幾年將激增

據(jù)IHS iSuppli公司，低功耗將是驅動超級本固態(tài)硬盤(SSD)增長的重要因素，明年SSD出貨量預計增長一倍以上。 預計2013年SSD出貨量將達到9200萬個，而今年和去年分別是4100萬和1700萬個，如圖所示。明年過后仍將強勁增長

TI低功耗高性能煙霧探測器解決方案

超低功耗、極低成本、高性能煙霧探測器使用 20 引腳 MSP430F1101。 設計注意事項煙霧探測器是為 3 種基本類型的系統(tǒng)實施而設計的：獨立式、無線連接和固定/有線連接，前 2 種需要電池供電。煙霧探測器具有 3 個主功

三菱電機引領光通訊市場邁向高速時代

三菱電機日前在CIOE 2012展上會見了記者，三菱電機高頻光器件工廠光器件部部長渡邊齊博士與記者深入交流了三菱電機的未來發(fā)展計劃。 聚焦中國市場　 三菱電機積累了50多年激光器研發(fā)的經驗，能夠提供高品質、高可靠

手機屏幕下一步的發(fā)展方向在哪？

手機硬件十年來一直發(fā)展緩慢，2003年前后，微軟推出了smartphone，手機開始堆硬件。2007年，蘋果手機的出現(xiàn)大大加快了堆硬件的速度，安卓的跟進更是讓堆硬件登峰造極。2007年的iphone，CPU性能相當于早期的奔騰2，屏

低功耗MCU在家電中的應用介紹

最近幾年由于人們對環(huán)保的重視，市場上開始關注節(jié)能低碳的電子產品，對家電等電子產品的低功耗性能也提高了要求，低功耗MCU在家庭的各種電器產品上將占據(jù)重要地位?！≡谥悄芗译姰a品通電后，MCU就開始啟動，由于MCU所

GLOBALFOUNDRIES發(fā)布14nm工藝，2014年開始量產

美國晶圓代工巨頭GLOBALFOUNDRIES于2012年9月20日發(fā)布了用于移動終端等配備的14nm級SoC（System on a Chip）的工藝“14XM（eXtreme Mobility）”（英文發(fā)布資料）。將采用三維構造的Fin FET取代20nm級之前的平面構造

中芯推出1.2伏低功耗嵌入式EEPROM平臺

中芯國際宣布，推出1.2伏（V）低功耗嵌入式EEPROM的平臺，與其0.13微米（um）低漏電（LL）工藝完全相容。 該平臺經過流片以及IP驗證，在降低功耗、晶片尺寸和成本的同時，能提高資料的安全性。這個新平臺為中芯國

中芯國際推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平臺

21ic訊 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際")日前宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平臺，與其0.13微米(um)低漏電(LL)工藝完全兼容。該平臺經過流片以及IP驗證，在降低功耗、芯片尺寸和成本的同時，能提高

中芯國際: 推出EEPROM平臺

上海2012年9月19日電 /美通社/ -- 中芯國際[0.29 0.00%]集成電路制造有限公司（"中芯國際"，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981），中國最大的和最先進的半導體代工廠，今天宣布推出其1.2伏（V）低功耗嵌

英特爾傾向低功耗 制程優(yōu)勢或保持十年

英特爾方面的負責人在今年秋季的IDF上向與會者介紹了14nm工藝進程的一些情況以及相關發(fā)展規(guī)劃。據(jù)悉，工藝——P1272將有望在2013年現(xiàn)身，這主要是為了滿足Broadwell批量生產的需要。 而據(jù)內部PPT資料分析，英特爾在2

英特爾傾向低功耗 制程優(yōu)勢或保持十年

英特爾方面的負責人在今年秋季的IDF上向與會者介紹了14nm工藝進程的一些情況以及相關發(fā)展規(guī)劃。據(jù)悉，工藝——P1272將有望在2013年現(xiàn)身，這主要是為了滿足Broadwell批量生產的需要。 而據(jù)內部PPT資料分析，英特爾在2